本发明属于微纳结构及材料加工,具体涉及一种乐高式范德华异质结及其制备方法。背景技术:1、硅基半导体材料在极限尺寸下由于量子限域效应使得电学性能显著衰退,研究新材料是后摩尔时代的机遇与挑战。石墨烯和过渡......