IGBT - 技术新讯

一种基于IGBT饱和压降拐点的结温检测方法

本发明涉及电力电子，特别涉及一种基于igbt饱和压降拐点的结温检测方法。背景技术：1、根据电力电子系统的可靠性调查研究，变流系统中最重要并且也是最容易失效的部分就是半导体器件，约占总失效比的34％，而......

2024-10-09 19

本发明属于电子器件领域，具体涉及igbt并联均流控制电路及系统。背景技术：1、igbt作为电机控制器中的核心器件，其运行中的电压电流状态需要密切关注。有时单igbt器件的额定电流无法满足电机控制器的电......

2024-09-11 40

本发明涉及igbt老化，具体涉及一种基于风冷散热式的多功能igbt老化实验平台。背景技术：1、igbt是功率半导体器件之一，也是电力电子设备的核心器件，其可靠性决定电力电子设备的安全可靠运行；生产后的......

2024-08-22 6

本技术涉及电子，具体为一种igbt驱动器。背景技术：1、igbt驱动器是驱动igbt并对其整体性能进行调控的装置，它不仅影响了igbt的动态性能，同时也影响系统的成本和可靠性。中国专利cn219227......

2024-08-02 9

本技术涉及igbt管，具体为一种igbt管生产的封装夹具。背景技术：1、igbt管是一种功率半导体器件，由基底、集电极、发射极、栏极、绝缘层、结构封装等部分组成，这些组成部分共同作用，使igbt管能够......

2024-07-31 16