一种高能量氢离子束产生装置的制作方法

本技术属于半导体离子注入，具体地涉及一种高能量氢离子束产生装置。背景技术：1、对于igbt(绝缘栅双极晶体管)芯片，研究表明采用高能氢(h+)注入工艺可显著提高性能，其需要采用高能量氢离子注入机，但目......

2024-07-31 12

#制作方法#装置#氢离子