一种PVT法生长AlN单晶的籽晶固定装置

本技术属于半导体材料，涉及一种pvt法生长aln单晶的籽晶固定装置。背景技术：1、氮化铝作为第三代宽禁带半导体材料，具有高禁带宽度(6.2ev)、高热导率、高击穿场强、良好的紫外透过率、化学和热稳定性......

2024-06-20 55

#装置#生长#PVT