本发明属于相变材料,具体涉及一种掺杂碲化锑及其制备方法和应用。背景技术:1、相变存储器是一种新兴的非易失性存储器技术,具有读写速度快、读写功耗低、高密度和长寿命等优势,因此在计算机存储领域备受关注,被......