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含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物、及图案形成方法与流程

本发明关于含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物、及图案形成方法。背景技术：1、随着iot市场的扩大，lsi的高集成化、高速化及低消费电力化进一步被要求，图案规则的微细化也在急速进展。尤其，逻辑器件引领着微细......

2024-09-14 29

本发明总体涉及移动通信，并且更具体地，涉及针对紧急服务故障的用户设备(user equipment，ue)行为。背景技术：1、在当前的3gpp规范下，用于发起紧急协议数据单元(protocol dat......

2024-09-14 100

本公开内容总体上涉及半导体加工领域，特别是极紫外(euv)光致抗蚀剂(pr)光刻技术和材料。背景技术：1、随着半导体制造的不断进步，特征尺寸不断缩小，并且需要新的处理方法。正在取得进展的一个领域是图案......

2024-09-11 80

【】本申请属于建筑工具，具体涉及一种监测铝模现浇山墙上下层偏位的装置。背景技术0、背景技术：1、目前铝模现浇山墙上下层间虽有k板保证接缝不出现错台，但无上下层铝膜外墙板的防偏位措施，在实际施工过程中，......

2024-08-05 89

本技术涉及一种适合tbm连续施工的引水下层排水廊道，适用于水利水电工程。背景技术：1、水电站压力管道普遍采用钢板衬砌进行设计，众所周知钢板衬砌有强度高、受内水条件好、防渗性好等众多优势，但也有抗外水压......

2024-07-09 16

本发明涉及一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，并提供一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其能够形成以下含硅膜：在微细图案化中，能够形成低粗糙度的图案，能够利用在半导体基板、图案化工序中不会对所需的涂布型有机下......

2024-06-21 74

本发明涉及用于在具有高低差的基板上形成平坦化膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物及使用了该抗蚀剂下层膜的被平坦化了的叠层基板的制造方法。背景技术：1、一直以来在半导体器件的制造中，通过使用了光致抗蚀剂组合物的......

2024-06-21 72