一种基于RCLED的传感器及其制造方法与流程

一种基于rcled的传感器及其制造方法
技术领域
1.本技术涉及传感器技术领域，尤其涉及一种基于rcled的传感器。


背景技术：

2.随着微纳米结构技术的发展，基于微纳米结构的表面等离子共振受到广泛关注，因为表面等离子体能够把光局域在金属微纳米结构的表面，使金属表面的场得到极大增强。利用这种特性，可以探测局部折射率的微小变化，而近年来，表面等离子共振传感器主要应用于药物筛选、疾病诊断与环境检测等领域。
3.随着日益增长的即时检测和个人疾病诊断的需求下，新一代传感器被要求具备高灵敏度，小型化，廉价和快速检测等特点，而传统的传感器一般基于金属薄膜和棱镜耦合设备，存在设备复杂，成本高，便携性差。
4.为了克服上述问题，研究者提出基于局域等离子共振的折射率传感器，例如基于金属颗粒或其阵列，但是一般通过外置光源，难以实现微型化的集成传感器。


技术实现要素：

5.本技术提供了一种基于rcled的传感器及其制造方法，用于解决现有的传感器仍需通过外置光源驱动工作的技术问题。
6.有鉴于此，本技术第一方面提供了一种基于rcled的传感器，包括谐振腔发光二极管，所述谐振腔发光二极管表面设有微纳米结构阵列；
7.所述谐振腔发光二极管包括衬底以及设在所述衬底上方的谐振腔与半导体外延层，所述半导体外延层设于所述谐振腔内；
8.所述微纳米结构阵列包括介质层以及设于所述介质层上的金属孔阵列。
9.优选地，基于rcled的传感器还包括第一金属层，所述半导体外延层由下至上依次设有n型导电层、有源区与p型导电层，所述第一金属层与所述n型导电层之间欧姆接触，所述p型导电层上设有第二金属层，所述第二金属层与所述p型导电层之间欧姆接触。
10.优选地，所述微纳米结构阵列的阵列周期为300～800nm，所述金属孔阵列中的金属孔的半径为60～300nm，所述微纳米结构阵列的金属厚度为20～160nm。
11.优选地，所述谐振腔由两块上下对应设置的反射镜组成，其中，相对所述衬底较近的所述反射镜的反射率大于相对所述衬底较远的所述反射镜的反射率。
12.优选地，所述反射镜采用金属反射镜和分布式拉格反射镜中的一种或两种。
13.优选地，所述介质层采用氮化硅、氧化硅、ito或其它氧化物或其它氮化物介质材料。
14.优选地，所述第一金属层与所述第二金属层均采用金、银、铝、铜、铂、钯、镁之一或合金。
15.另一方面，本技术实施例还提供了一种基于rcled的传感器的制造方法，包括以下步骤：
16.s101：在衬底上形成谐振腔；
17.s102：在所述谐振腔内形成半导体外延层，具体为所述谐振腔内由下至上依次形成n型导电层、有源区与p型导电层；
18.s103：在所述衬底或所述n型导电层上形成第一金属层，所述第一金属层与所述n型导电层之间导电；
19.s104：在所述p型导电层上形成第二金属层，所述第二金属层与所述p型导电层之间欧姆接触；
20.s105：在所述谐振腔上形成微纳米结构阵列，所述微纳米结构阵列包括介质层与设置在所述介质层上的金属孔阵列。
21.优选地，所述谐振腔由两块上下对应设置的反射镜组成，其中，相对所述衬底较近的所述反射镜的反射率大于相对所述衬底较远的所述反射镜的反射率。
22.优选地，所述步骤s105中的所述微纳米结构阵列采用电子束光刻工艺或聚焦离子束刻蚀工艺制成，所述微纳米结构阵列的阵列周期为300～800nm，所述金属孔阵列中的金属孔的半径为60～300nm，所述微纳米结构阵列的金属厚度为20～160nm。
23.从以上技术方案可以看出，本技术实施例具有以下优点：
24.本技术实施例提供了一种基于rcled的传感器及制造方法，通过将金属孔阵列的微纳米结构阵列置于具有谐振腔的发光二极管(rcled)表面，发光二极管发光经过谐振腔选模作用，形成具有较高q值的腔模，同时，较高q值的腔模与微纳米结构阵列相互作用，需通过外置光源驱动工作，就可以直接用于探测金属纳米孔阵周围折射率的微小变化，从而可以实现便捷的裸眼观测。
附图说明
25.图1为本技术一个实施例提供的一种基于rcled的传感器的制造方法的流程图；
26.图2为本技术另一个实施例提供的一种基于rcled的传感器的制造方法的流程图；
27.图3为本技术实施例提供的一种基于rcled的传感器的制造方法中示例一的步骤s301的样品截面图；
28.图4为本技术实施例提供的一种基于rcled的传感器的制造方法中示例一的步骤s302的样品截面图；
29.图5为本技术实施例提供的一种基于rcled的传感器的制造方法中示例一的步骤s303的样品截面图；
30.图6为本技术实施例提供的一种基于rcled的传感器的制造方法中示例一的步骤s304的样品截面图；
31.图7为本技术实施例提供的一种基于rcled的传感器的制造方法中示例一的步骤s306的样品截面图；
32.图8为本技术实施例提供的一种基于rcled的传感器的制造方法中示例一的步骤s307的样品俯视图；
33.图9为本技术实施例提供的一种基于rcled的传感器的制造方法中示例一中的谐振波长为650nm的传感器的红外光谱图；
34.图10为本技术实施例提供的一种基于rcled的传感器的制造方法中示例二的样品
截面图；
35.图11为本技术实施例提供的一种基于rcled的传感器的制造方法中示例二中的谐振波长为570nm的传感器的红外光谱图。
具体实施方式
36.为了使本技术领域的人员更好地理解本技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
37.为了便于理解，本实施例提供的一种基于rcled的传感器，包括谐振腔发光二极管，所述谐振腔发光二极管表面设有微纳米结构阵列；
38.谐振腔发光二极管包括衬底以及设在衬底上方的谐振腔与半导体外延层，半导体外延层设于谐振腔内；
39.微纳米结构阵列包括介质层以及设于介质层上的金属孔阵列。
40.需要说明的是，介质层可以起到支撑作用，可在介质层上制备出稳定的金属孔阵列。另外，介质层可以图形化，形成图形化的介质层，其形状同金属孔阵列相同，阵列为正方形或六边形孔阵。
41.另外，合理设计的周期性结构可以抑制辐射损耗，实现金属模式之间耦合的多样性，但周期过大导致失谐，则各孔之间的表面等离子共振耦合效应会减弱，甚至相互影响可以被忽视，优选地，阵列周期为300-800nm。
42.同时，在一定范围内，金属孔孔径越小，产生的表面等离子共振耦合减弱，优选地，半径为60-300nm；而金属微纳米结构阵列中金属厚度越大，会使得入射光的透射强度会减弱，优选地，金属微纳米结构阵列中金属厚度为20-160nm。
43.另外，在本实施例中，将金属孔阵列的微纳米结构阵列置于具有谐振腔的发光二极管(rcled)表面，发光二极管发光经过谐振腔选模作用，形成具有较高q值的腔模，同时，较高q值的腔模与微纳米结构阵列相互作用，需通过外置光源驱动工作，就可以直接用于探测金属纳米孔阵周围折射率的微小变化，从而可以实现便捷的裸眼观测。
44.以上为本技术提供的一种基于rcled的传感器的一个实施例，以下为本技术提供的一种基于rcled的传感器的另一个实施例并做详细描述。
45.本实施例提供的一种基于rcled的传感器，包括谐振腔发光二极管，谐振腔发光二极管表面设有微纳米结构阵列；
46.谐振腔发光二极管包括衬底以及设在衬底上方的谐振腔与半导体外延层，半导体外延层设于谐振腔内；
47.微纳米结构阵列包括介质层以及设于介质层上的金属孔阵列。
48.需要说明的是，介质层可以起到支撑作用，可在介质层上制备出稳定的金属孔阵列。另外，介质层可以图形化，形成图形化的介质层，其形状同金属孔阵列相同，阵列为正方形或六边形孔阵。
49.进一步地，基于rcled的传感器还包括第一金属层，半导体外延层由下至上依次设有n型导电层、有源区与p型导电层，第一金属层与n型导电层之间欧姆接触，p型导电层上设
有第二金属层，第二金属层与p型导电层之间欧姆接触。
50.进一步地，有源区包括量子阱或量子点。
51.进一步地，微纳米结构阵列的阵列周期为300～800nm，金属孔阵列中的金属孔的半径为60～300nm，微纳米结构阵列的金属厚度为20～160nm。
52.需要说明的是，合理设计的周期性结构可以抑制辐射损耗，实现金属模式之间耦合的多样性，但阵列周期过大导致失谐，则各金属孔之间的表面等离子共振耦合效应会减弱，甚至相互影响可以被忽视，优选地，阵列周期为300-800nm最为合适。
53.另外，在一定范围内，金属孔孔径越小，产生的表面等离子共振耦合减弱，而金属微纳米结构阵列中金属厚度越大，会使得入射光的透射强度会减弱，优选地，金属微纳米结构阵列中金属厚度为20-160nm最为合适。
54.进一步地，谐振腔由两块上下对应设置的反射镜组成，其中，相对衬底较近的反射镜的反射率大于相对衬底较远的反射镜的反射率。
55.需要说明的是，反射镜的反射率可通过设置反射镜折射率材料的堆叠层数来进行限定，而反射镜采用金属反射镜和分布式拉格反射镜(dbr)中的一种或两种，例如两个反射镜均为金属反射镜或分布式拉格反射镜或一个为金属反射镜而另一个为分布式拉格反射镜。其中，以分布式拉格反射镜为例，分布式拉格反射镜由两种不同折射率材料a与材料b经过交替排列组成的周期结构，每层材料的光学厚度为中心反射波长的1/4，根据λbragg＝4nl，其中，λbragg为分布式拉格反射镜的高反带的中心波长，n为材料的折射率，l为每层材料的光学厚度，则可通过设定不同折射率的材料和每层材料的光学厚度从而产生特定的中心反射波长。
56.进一步地，介质层采用氮化硅、氧化硅、ito或其它氧化物或其它氮化物介质材料。
57.进一步地，第一金属层与第二金属层均采用金、银、铝、铜、铂、钯、镁之一或合金。
58.需要说明的是，本实施例的原理如下：
59.(1)本实施例通过选用rcled，其中，rcled中的谐振腔的作用有两个：一是提供光学反馈能力以形成强的发光光谱，提高特定波长的出光效率，从而提高表面等离激元的激发效率；二是形成选模作用，得到高q值的发光谱，在相同灵敏度下具有更大的光强变化，从而有利于裸眼观测；同时，利用反射镜堆叠介质层的折射率和厚度设置特定的中心波长，通常中心波长可以为300～1200nm，当谐振腔发光二极管产生的峰值波长和微纳米结构的共振波长相同匹配时，rcled通过微纳米结构具有最强透射光强；而当波长失谐时，透射光强降低。根据表面等离激元特性，金属结构周围折射率的改变影响表面等离激元共振波长的改变，从而可调节rcled峰值波长与微纳米阵列共振波长的匹配程度，进而可调节出光强度。因此，该结构中，rcled出光通过微纳米结构透射出的光强度随周围介质折射率发生变化。当对应的折射率和出光强度标定后，即可通过光强度变化得知被探测物的折射率，通过类似原理，可将其应用在生物传感器方面。
60.(2)本实施例基于半导体的谐振腔发光二极管，在介质层和金属结构表面产生强的共振电场，通过纳米圆孔的能量运输，在金属表面产生了增强的电场。通过本实施例特殊设计的谐振腔模式与周期性微纳米结构孔阵列，并对周期性微纳米结构孔阵列的阵列周期与金属孔的半径以及金属薄膜厚度进行特定限制，可以在微纳米金属孔阵表面可以产生特定波长的表面等离子共振。
61.(3)本实施例通过选用rcled，与普通led相比，因为普通led自发的辐射光没有经过谐振腔调制作用，所产生光的光谱为高斯分布，在作为传感器使用时，光与金属微纳米阵列结构相互作用，虽然具有峰值波长移动的效果，但由于光谱线宽很宽，相同灵敏度下其光强变化与rcled相比要小很多，因此，利用普通led会使得裸眼观测整体效果更差。而rcled中的谐振腔的存在具有波长选择作用，提高特定波长对应光的强度、单色性和偏振特性，从而更加适用于表面等离激元的激发。利用特定被选择的光，可激发金属微纳米结构产生表面等离子共振。另外，rcled在特定波长下辐射损耗更小，品质因数更高，更容易灵敏地检测到微小的变化。
62.以上为本技术提供的一种基于rcled的传感器的另一个实施例，以下为本技术提供的一种基于rcled的传感器的制造方法的一个实施例。
63.为了方便理解，请参考图1，本实施例提供的一种基于rcled的传感器的制造方法，包括以下步骤：
64.s101：在衬底上形成谐振腔；
65.需要说明的是，衬底可为蓝宝石衬底、sic衬底、si衬底、gaas衬底或石英衬底。
66.s102：在谐振腔内形成半导体外延层，具体为谐振腔内由下至上依次形成n型导电层、有源区与p型导电层；
67.s103：在衬底或n型导电层上形成第一金属层，第一金属层与n型导电层之间导电；
68.需要说明的是，在当衬底形成第一金属层，第一金属层与衬底之间为欧姆接触，其衬底可为n型导电层，或通过衬底与n型导电层导电；当在n型导电层上形成第一金属层，则第一金属层与n型导电之间欧姆接触从而导电，欧姆接触的方式可以采用退火工艺来降低两者的接触电阻。
69.s104：在p型导电层上形成第二金属层，第二金属层与p型导电层之间欧姆接触；
70.需要说明的是，第二金属层与p型导电层之间欧姆接触均可以采用退火工艺来降低两者的接触电阻，同时，第一金属层与第二金属层的材料均可以采用金、银、铝、铜、铂、钯、镁之一或合金。
71.s105：在谐振腔上形成微纳米结构阵列，微纳米结构阵列包括介质层与设置在介质层上的金属孔阵列。
72.需要说明的是，介质层为氮化硅、氧化硅、ito或其它氧化物或氮化物介质材料，介质层起到支撑作用，可在介质层上制备出稳定的金属孔阵列。另外，介质层可以图形化，形成图形化的介质层，其形状同金属孔阵列相同，阵列为正方形或六边形孔阵。
73.合理设计的周期性结构可以抑制辐射损耗，实现金属模式之间耦合的多样性，但周期过大导致失谐，则各金属孔之间的表面等离子共振耦合效应会减弱，甚至相互影响可以被忽视，优选地，阵列周期为300-800nm。
74.在一定范围内，金属孔孔径越小，产生的表面等离子共振耦合减弱，而金属微纳米结构阵列中金属厚度越大，会使得入射光的透射强度会减弱，优选地，金属微纳米结构阵列中金属厚度为20-160nm。
75.以上为本技术提供的一种基于rcled的制造方法的一个实施例，以下为本技术提供的一种基于rcled的传感器的制造方法的另一个实施例。
76.本实施例提供的一种基于rcled的传感器的制造方法，请参考图2，包括以下步骤：
77.s201：在衬底上形成谐振腔，谐振腔由两块上下对应设置的反射镜组成，其中，相对衬底较近的反射镜的反射率大于相对衬底较远的反射镜的反射率；
78.需要说明的是，衬底可为蓝宝石衬底、sic衬底、si衬底、gaas衬底或石英衬底。
79.另外，反射镜的反射率可通过设置反射镜折射率材料的堆叠层数来进行限定，而反射镜采用金属反射镜和分布式拉格反射镜(dbr)中的一种或两种，例如两个反射镜均为金属反射镜或分布式拉格反射镜或一个为金属反射镜而另一个为分布式拉格反射镜。其中，以分布式拉格反射镜为例，分布式拉格反射镜由两种不同折射率材料a与材料b经过交替排列组成的周期结构，每层材料的光学厚度为中心反射波长的1/4，根据λbragg＝4nl，其中，λbragg为分布式拉格反射镜的高反带的中心波长，n为材料的折射率，l为每层材料的光学厚度，则可通过设定不同折射率的材料和每层材料的光学厚度从而产生特定的中心反射波长。
80.s202：在谐振腔内形成半导体外延层，具体为谐振腔内由下至上依次形成n型导电层、有源区与p型导电层；
81.s203：在衬底或n型导电层上形成第一金属层，第一金属层与n型导电层之间导电；
82.需要说明的是，在当衬底形成第一金属层，第一金属层与衬底之间为欧姆接触，其衬底可为n型导电层，或通过衬底导电与n型导电层导电；当在n型导电层上形成第一金属层，则第一金属层与n型导电之间欧姆接触，欧姆接触的方式可以采用退火工艺来降低两者的接触电阻。
83.s204：在p型导电层上形成第二金属层，第二金属层与p型导电层之间欧姆接触；
84.需要说明的是，第二金属层与p型导电层之间欧姆接触均可以采用退火工艺来降低两者的接触电阻，同时，第一金属层与第二金属层的材料均可以采用金、银、铝、铜、铂、钯、镁之一或合金。
85.s205：在谐振腔上采用电子束光刻工艺或聚焦离子束刻蚀工艺制成微纳米结构阵列，微纳米结构阵列包括介质层与设置在介质层上的金属孔阵列，微纳米结构阵列的阵列周期为300～800nm，金属孔阵列中的金属孔的半径为60～300nm，微纳米结构阵列的金属厚度为20～160nm。
86.需要说明的是，介质层为氮化硅、氧化硅、ito或其它氧化物或氮化物介质材料，介质层起到支撑作用，可在介质层上制备出稳定的金属孔阵列。另外，介质层可以图形化，形成图形化的介质层，其形状同金属孔阵列相同，阵列为正方形或六边形孔阵。
87.另外，微纳米结构阵列采用电子束光刻工艺制成的具体步骤为电子束光刻技术在计算机控制下，按照预设的加工图形，利用聚焦后的电子束对介质层的抗蚀剂进行曝光，在抗蚀中产生不同溶解性能区域，根据不同区域的溶解特性，再利用具有选择性的显影进行显影，就可得到所需的抗蚀剂图形；另外，微纳米结构阵列采用聚焦离子束刻蚀工艺制成的具体步骤为，利用聚焦离子束刻蚀得到预设结构的金属孔阵列。
88.另外，合理设计的周期性结构可以抑制辐射损耗，实现金属模式之间耦合的多样性，但周期过大导致失谐，则各金属孔之间的表面等离子共振耦合效应会减弱，甚至相互影响可以被忽视，优选地，阵列周期为300-800nm。
89.另外，金属孔阵列具有若干个金属孔，在一定范围内，金属孔孔径越小，产生的表面等离子共振耦合减弱，而金属微纳米结构阵列中金属厚度越大，会使得入射光的透射强
度会减弱，优选地，金属微纳米结构阵列中金属厚度为20-160nm。
90.下面结合本技术提供的一种基于rcled的制造方法列举部分实施示例。
91.示例一
92.本示例以发光中心波长在650nm的gaas基rcled为例，提供的一种基于rcled的传感器的制造方法，包括以下步骤：
93.s301：参考图3，采用金属有机化学气相沉积(mocvd)或分子束外延(mbe)方法在n型gaas衬底11上设置tio2高折射率层12和mgf2低折射率层13，tio2高折射率层12和mgf2低折射率层13通过设定材料层数形成层数之和为60层的底部分布式拉格反射镜14，其中，底部分布式拉格反射镜14的中心反射波长为650nm，设tio2高折射率层12的折射率n1＝2.45，则其物理厚度为66.3nm；mgf2低折射率层13的折射率n2＝1.37，则其物理厚度为118.6nm；
94.s302：参考图4，在抛光或未抛光的n型gaas衬底11背面形成ti/au金属层21，用于与n型gaas衬底11之间欧姆接触；
95.s303：参考图5，在底部分布式拉格反射镜14上形成gaas基半导体外延层，gaas基半导体外延层由下至上依次设有n型algaas外延层31、量子阱32及p型algaas外延层33，并在p型algaas外延层33上形成图形化的p型金属电极；
96.s304：参考图6，在p型algaas外延层33上表面形成tio2高折射率层15和mgf2低折射率层16，tio2高折射率层15和mgf2低折射率层16通过设定材料层数形成层数之和为10层的顶部分布式拉格反射镜41；
97.需要说明的是，步骤s301中的底部分布式拉格反射镜14与步骤s303中的顶部分布式拉格反射镜41之间形成谐振腔；
98.s305：在顶部分布式拉格反射镜41上蒸镀氧化物ito层，其厚度为70nm；
99.s306：参考图7，在氧化物ito层上蒸镀au层51，然后，在au层51上涂覆一层光刻胶，进行电子束曝光和显影，得到均匀排列的聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)方形孔阵列层52，其中，阵列周期为0.6um，方形孔边长为0.1um；
100.s307：采用反应离子刻蚀方法在聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)方形孔阵列层52上进行刻蚀金薄膜形成金属孔阵列，并对应刻蚀氧化物ito层，最后利用有机溶剂去除pmma，形成微纳米结构阵列，请参考图8为结构的俯视图。
101.最后，对经过上述步骤s301～s307形成的基于rcled的传感器的效果进行模拟，其中，所设计的结构尺寸对应的谐振波长为650nm,为了更好地量化基于rcled的传感器的传感能力，在微纳米结构阵列的表面覆盖了一层3nm的折射率为n＝2.3的介电膜，相当于在表面粘着一层生物分子层。如图9所示，通过对比没有覆盖和覆盖介电膜的透射光谱强度变化情况，计算其相对强度变化((0.118458-0.02722)/0.118458＝0.77044)，由此可以判断本示例中的基于rcled的传感器的性能较好。
102.示例二
103.为了方便理解，请参考图10，本示例以发光峰为570nm的gan基半导体材料为例，提供的一种基于rcled的传感器的制造方法，包括以下步骤：
104.s401：采用金属有机化学气相沉积(mocvd)或分子束外延(mbe)方法在蓝宝石衬底81上设置algan高折射率层82和gan低折射率层83，algan高折射率层82和gan低折射率层83通过设定材料层数形成层数之和为40层的底部分布式拉格反射镜84，其中，底部分布式拉
格反射镜84的中心反射波长为500nm；
105.s402：在底部分布式拉格反射镜84上形成gan基半导体外延层，gan基半导体外延层由下至上依次设有n型gan外延层85、量子阱87及p型gan外延层88，并在p型gan外延层88表面上形成ito层，ito层与p型gan外延层88之间欧姆接触；
106.s403：在半导体外延层上刻蚀出器件单元，并在两侧段露出n型gan外延层85；
107.s404：在刻蚀后出的n型gan外延层85表面形成cr/au层86；
108.s405：在p型gan外延层88上形成tio2高折射率层89和sio2低折射率层810，tio2高折射率层89和sio2低折射率层810通过设定材料层数形成层数之和为10层的顶部分布式拉格反射镜811；
109.需要说明的是，步骤s401中的底部分布式拉格反射镜84与步骤s405中的顶部分布式拉格反射镜811之间形成谐振腔；
110.s406：在顶部分布式拉格反射镜811上表面蒸发氮化硅层812，其中，厚度为70nm。并在氮化硅层812表面上蒸镀au层813，其厚度为120nm；
111.s407：在au层813表面旋涂pmma，并进行电子束曝光和显影，得到正方形孔阵列图形pmma纳米孔阵，其中，阵列周期为0.4um，孔半径为0.1um；
112.s408：采用反应离子刻蚀方法依次刻蚀氮化硅层812以及对应刻蚀au层813，并利用有机溶剂去除pmma，形成微纳米结构阵列。
113.最后，对经过上述步骤s401～s408形成的基于rcled的传感器的效果进行模拟，其中，所设计的结构尺寸对应的谐振波长为570nm,为了更好地量化基于rcled的传感器的传感能力，在au层813的表面覆盖了一层3nm的折射率为n＝2.3的介电膜，相当于在表面粘着一层生物分子层，如图11所示，通过对比没有覆盖和覆盖介电膜的透射光谱强度变化情况，计算其相对强度变化((0.412684-0.218233)/0.412684＝0.471186)。通过示例一中的相对强度结果为0.77044，其0.77044大于0.471186，说明示例一中的谐振波长为650nm的相对强度变化更为明显，当金属纳米孔阵列在波长越长时，其灵敏度越高。
114.在本技术所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
115.所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
116.另外，在本技术各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
117.以上所述，以上实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前
述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的精神和范围。