射频损耗的无损检测系统及方法与流程

1.本技术涉及射频损耗检测技术领域，尤其涉及一种射频损耗的无损检测系统及方法。


背景技术：

2.随着第五代(5g)通信技术在世界上的快速商业化，市场对5g频段的射频(rf)滤波元件需求急剧增长。基于压电薄膜的声学谐振器/滤波器是作为实现高性能射频滤波元件的有效解决方案之一。
3.压电薄膜的吸收损耗是限制高端滤波器或射频器件发展的主要因素之一，影响薄膜的声波调制效率。特别是在二次谐波、三次谐波或高次谐波下，即使十分微弱的吸收损耗也足以导致薄膜元件的灾难性破坏。目前，通常需要先将压电薄膜材料切割加工成器件，然后进行射频损耗的检测，该检测方式属于破坏性检验。
4.压电薄膜在进行破坏性检验后，被检验样品完全丧失了原有的使用价值，使得研究和生产的经济成本增加。并且，将压电薄膜加工成器件使得检测周期较长，增加了时间成本，严重影响研究和生产进度。因此，亟需提供一种压电薄膜材料的无损检测方式。


技术实现要素：

5.本技术提供了一种射频损耗的无损检测系统及方法，以解决现有技术中压电薄膜的检测方式使得研究和生产的经济成本增加，且检测周期较长技术问题。
6.为了解决上述技术问题，本技术实施例公开了如下技术方案：
7.第一方面，本技术实施例公开了一种射频损耗的无损检测系统，所述无损检测系统包括：微波发射装置、探测波发射装置、光接收装置、测量装置以及样品台，其中：
8.所述微波发射装置包括依次设置的微波发射器、微波调制器以及微波聚焦器，所述微波发射器所射出的微波经过所述微波调制器和微波聚焦器照射至所述样品台上的待检测样品；
9.所述探测波发射装置包括依次设置的探测波发射器、探测波调制器以及探测波聚焦器，所述探测波发射器所射出的探测波经过所述探测波调制器和所述探测波聚焦器照射至所述待检测样品；
10.所述探测波照射至所述待检测样品上所射出的光信号经由所述光接收装置转化为电学信号，所述电学信号传输至所述测量装置，以使所述测量装置根据所述电学信号对所述待检测样品进行检测。
11.可选地，在上述射频损耗的无损检测系统中，所述光接收装置包括反射光接收装置，所述反射光接收装置包括反射光聚焦器、反射光滤波器以及反射光接收器；
12.所述探测波照射至所述待检测样品表面上所反射出的反射光信号依次进入所述反射光聚焦器、所述反射光滤波器以及所述反射光接收器，其中，所述反射光聚焦器用于对反射光进行聚焦，所述反射光滤波器用于对滤除反射光中的散射部分，所述反射光接收器
用于将反射光转化为电信号。
13.可选地，在上述射频损耗的无损检测系统中，所述光接收装置还包括透射光接收装置，所述透射光接收装置包括透射光聚焦器、透射光滤波器以及透射光接收器；
14.所述探测波照射至所述待检测样品内部所透射出的透射光信号依次进入所述透射光聚焦器、所述透射光滤波器以及所述透射光接收器，其中，所述透射光聚焦器用于对透射光进行聚焦，所述透射光滤波器用于对滤除透射光中的散射部分，所述透射光接收器用于将透射光转化为电信号。
15.可选地，在上述射频损耗的无损检测系统中，所述无损检测系统还包括：初始信号提取装置和稳定信号提取装置，所述初始信号提取装置分别与反射光接收器、透射光接收器和测量装置通信连接，所述稳定信号提取装置分别与所述反射光接收器、所述透射光接收器和测量装置通信连接，其中，所述初始信号提取装置用于获取并放大微波从照射到所述待检测样品上表面至由所述待检测样品下表面透射出去时所述光接收装置接收的信号，稳定信号提取装置用于获取并放大微波从所述待检测样品下表面透射出去后所述光接收装置接收的信号。
16.可选地，在上述射频损耗的无损检测系统中，所述初始信号提取装置检测的时间精度为飞秒，所述稳定信号提取装置检测的时间精度为毫秒。
17.可选地，在上述射频损耗的无损检测系统中，所述微波发射器的发射口设置于所述待检测样品表面的正上方，以使所述微波发射器所射出的微波垂直照射至所述待检测样品表面，所述探测波发射器的发射口设置于所述待检测样品表面的斜上方，以使所述探测波发射器所发射的探测波倾斜照射至所述待检测样品表面。
18.可选地，在上述射频损耗的无损检测系统中，所述探测波照射至所述待检测样品上所形成的探测波光斑的面积大于或等于所述微波照射至所述待检测样品上所形成的微波光斑的面积。
19.可选地，在上述射频损耗的无损检测系统中，所述微波的频率范围为1.5-10ghz。
20.可选地，在上述射频损耗的无损检测系统中，所述待检测样品为单层结构薄膜或多层结构薄膜，所述单层结构薄膜或多层结构薄膜用于制备滤波器或谐振器。
21.第二方面，本技术实施例公开了一种射频损耗的无损检测方法，利用上述任一所述的射频损耗的无损检测系统，所述方法包括：
22.控制探测波发射器所射出的探测波依次射入探测波调制器和探测波聚焦器，并照射至待检测样品；
23.控制微波发射器所射出的微波依次射入微波调制器和微波聚焦器，并照射至待检测样品，以使在所述待检测样品上形成微波光斑，其中，所述探测波光斑和所述微波光斑存在重合区域；
24.利用光接收装置接收所述探测波照射至所述待检测样品上所射出的光信号，并将所述光信号转换为电学信号；
25.控制测量装置根据所述电学信号对所述待检测样品进行检测。
26.与现有技术相比，本技术的有益效果为：
27.本技术提供了一种射频损耗的无损检测系统及方法，通过微波发射装置和探测波发射装置分别向样品台上的待检测样品发射微波和探测波。微波发射器所射出的微波依次
经过微波调制器和微波聚焦器照射至待检测样品，经过微波的照射，待检测样品表面产生热变形，对压电薄膜材料来说，采用微波照射压电薄膜材料能够模拟压电薄膜材料加工成器件时在二次谐波、三次谐波或更高次谐波的状态下产生的吸收损耗。探测波发射器所射出的探测波依次经过探测波调制器和探测波聚焦器照射至待检测样品。因待检测样品产生的热变形，使探测波在待检测样品上的传播方向发生改变，利用光接收装置接收探测波照射至待检测样品上所射出的光信号，并将光信号转换为电学信号。最后利用测量装置对电学信号进行分析以对待检测样品进行检测。本技术中的检测方式具有非接触和无损的特点，避免了对压电薄膜材料进行加工成器件后再进行射频损耗检测的传统破坏性检验，降低了时间和经济成本，提高了研发生产效率。
28.应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本技术。
附图说明
29.为了更清楚地说明本技术的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
30.图1为本发明实施例提供的一种射频损耗的无损检测系统的基本结构示意图；
31.图2为本发明实施例提供的一种待检测样品的基本结构示意图；
32.图3为本发明实施例提供的一种射频损耗的无损检测方法的流程示意图；
33.附图标记说明：1、微波发射装置；11、微波发射器；12、微波调制器；13、微波聚焦器；2、探测波发射装置；21、探测波发射器；22、探测波调制器；23、探测波聚焦器；3、测量装置；4、样品台；5、待检测样品；51、第一表面；52、第二表面；53、第三表面；54、第四表面；6、反射光接收装置；61、反射光聚焦器；62、反射光滤波器；63、反射光接收器；7、透射光接收装置；71、透射光聚焦器；72、透射光滤波器；73、透射光接收器；8、初始信号提取装置；9、稳定信号提取装置。
具体实施方式
34.为了使本技术领域的人员更好地理解本技术中的技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本技术保护的范围。
35.目前，在进行射频损耗的性能测试时，通常需要将压电薄膜材料进行切割，将其加工成器件，然后进行相应的检测。该检测方式属于破坏性检验，被检验样品完全丧失了原有的使用价值，使得研究和生产的经济成本增加。并且，将压电薄膜加工成器件使得检测周期较长，增加了时间成本，严重影响研究和生产进度。基于上述问题，本技术一些实施例中提供了一种射频损耗的无损检测系统。
36.为便于理解，以下首先对本技术所涉及到的原理进行说明。
37.本技术利用微波照射到待检测样品表面，微波具有很好的穿透性，当微波透入介
质时，由于微波能与介质发生一定的相互作用，以微波频率2450mhz为例，使介质的分子每秒产生24亿五千万次的振动，介质的分子间互相产生摩擦，引起的介质温度的升高，使介质材料内部、外部几乎同时加热升温，形成体热源状态，进而使待检测样品表面产生热变形。通过探测波照射到待检测样品产生热变形的表面，因待检测样品表面产生的热变形，使探测波的反射波或透射波传播方向发生改变。通过待检测样品上表面上方的被反射出的探测波，获得待测样品表面的吸收信息，通过待检测样品下表面的透射的探测波，获得待测样品内部的吸收信息。待检测样品表面或内部的吸收越大，被检测到的热吸收信号越大，吸收值与待检测样品的射频损耗成正比关系，吸收值越大，待检测样品的射频损耗越大。
38.下面结合附图说明一下本技术中的射频损耗的无损检测系统。
39.参见图1，为本发明实施例提供的一种射频损耗的无损检测系统的基本结构示意图。结合图1所示，本技术中的无损检测系统包括：微波发射装置1、探测波发射装置2、光接收装置、测量装置3以及样品台4。其中，样品台4上放置有待检测样品5，所述待检测样品5可以为用于制备滤波器或谐振器的材料。微波发射装置1用于发射微波，并将微波作用于所述待检测样品5上，以使待检测样品5产生热变形。探测波发射装置2用于发射探测波，同样将探测波作用于所述待检测样品5上。因待检测样品5产生的热变形，使探测波在待检测样品5上的传播方向发生改变，利用光接收装置接收探测波照射至待检测样品上所射出的光信号，并将光信号转换为电学信号。测量装置可接收电学信号，并对电学信号进行分析已完成对待检测样品进行检测。
40.在一些实施例中，所述微波发射装置1包括依次设置的微波发射器11、微波调制器12以及微波聚焦器13，所述微波发射器11所射出的微波经过所述微波调制器12和微波聚焦器13照射至所述样品台4上的待检测样品5，以使在所述待检测样品5上形成微波光斑。其中，微波发射器11用于发射可模拟待检测样品5在二次谐波、三次谐波或更高次谐波作用下的微波，使待检测样品5产生热形变。微波调制器12用于调制微波功率或频率，使得照射于待检测样品5上的微波在频率范围为1.5-10ghz中。微波聚焦器13用于将微波聚焦在待检测样品5上，用以加热待检测样品5，使其形成周期性起伏的热包。
41.在一些实施例中，所述探测波发射装置2包括依次设置的探测波发射器21、探测波调制器22以及探测波聚焦器23，所述探测波发射器21所射出的探测波经过所述探测波调制器22和所述探测波聚焦器23照射至所述待检测样品5。其中，探测波发射器21用于提供探测波，在所述待检测样品5上形成探测波光斑，这里，探测波可以为激光，例如，可以为532nm、633nm、1550nm、3.8μm、1064nm、1319nm等。探测波调制器22用于调制探测波的强度或频率。探测波聚焦器23用于将探测光聚焦到待检测样品5上，使待检测样品5上探测波光斑与微波光斑存在重合区域。
42.在一些实施例中，探测波照射至所述待检测样品5上所形成的探测波光斑的面积大于或等于所述微波照射至所述待检测样品5上所形成的微波光斑的面积。
43.在一些实施例中，微波发射器11的发射口设置于待检测样品5表面的正上方，以使微波发射器11所射出的微波可以采用垂直的方式照射至待检测样品5表面，探测波发射器21的发射口设置于待检测样品5表面的斜上方，以使探测波发射器21所发射的探测波可以采用倾斜的方式照射至待检测样品5表面。
44.在一些实施例中，探测波发射器21所发射的探测波作用于待检测样品5产生热形
变的区域，并在待检测样品5表面进行反射或透射，产生反射光和透射光。通过反射光能够获得待检测样品5表面的吸收信息，进而用于检测待检测样品5表面吸收缺陷的情况。通过透射光能够获得待检测样品5内部的吸收信息，进而用于检测待检测样品5体内吸收缺陷的情况。需要说明的是，检测待检测样品5表面吸收缺陷时，选用的探测波只需能够在待检测样品5表面产生反射即可；检测待检测样品5内部吸收缺陷时，选用的探测波需能够穿透待检测样品5，从待检测样品5的上表面入射进样品内部并从待检测样品5的下表面透射出去。
45.在一些实施例中，当仅需要接收并检测反射光时，即仅检测待检验样品5表面吸收缺陷时，光接收装置包括反射光接收装置6。
46.在一些实施例中，当仅当仅需要接收并检测透射光时，即仅检测待检验样品5内部吸收缺陷时，光接收装置包括透射光接收装置7。
47.在一些实施例中，当为了分别接收并检测反射光和透射光，即同时检测待检验样品5的表面和内部吸收缺陷时，光接收装置包括反射光接收装置6和透射光接收装置7。
48.在一些实施例中，反射光接收装置6包括反射光聚焦器61、反射光滤波器62以及反射光接收器63。所述探测波照射至所述待检测样品5表面上所反射出的反射光信号依次进入所述反射光聚焦器61、所述反射光滤波器62以及所述反射光接收器63。其中，所述反射光聚焦器61用于对反射光进行聚焦，在反射光较弱时，可以通过反射光聚焦器61显著地提高其信号强度，并于提高探测的灵敏度。由于接收的反射光在待检测样品5表面会产生散射，这一部分能量如果也进入到反射光接收器63中，会影响最终测量结果的准确性，因此，可通过反射光滤波器62滤除反射光中的散射部分，以提高最终测量结果的准确性。所述反射光接收器63用于接收待检测样品5热变形区域反射光的强度变化，并转换成测量装置3可识别的电学信号。
49.在一些实施例中，透射光接收装置7包括透射光聚焦器71、透射光滤波器72以及透射光接收器73。所述探测波照射至所述待检测样品5内部所透射出的透射光信号依次进入所述透射光聚焦器71、所述透射光滤波器72以及所述透射光接收器73。其中，所述透射光聚焦器71用于对透射光进行聚焦，以提高透射光强度，提高探测的灵敏度。由于接收的透射光在待检测样品5表面会产生散射，这一部分能量如果也进入到透射光接收器73中，会影响最终测量结果的准确性，因此，可通过透射光滤波器72滤除透射光中的散射部分，以提高最终测量结果的准确性。所述透射光接收器73用于接收待检测样品5下表面透射光的强度变化，并转换成测量装置3可识别的电学信号。
50.在一些实施例中，待检测样品5为可以用于制备滤波器或谐振器的材料。本技术对待检测样品5的结构不进行限定可以为单层结构薄膜，也可以为多层结构薄膜。单层结构薄膜可以为铌酸锂(ln)、钽酸锂(lt)、氧化锌(zno)、氮化铝、石英、锗、陶瓷、四硼酸锂、磷酸钛氧钾、硅、磷酸钛氧铷或砷化镓等。多层结构薄膜可以为两层、三层、四层，根据产品设计决定，例如可以为ln/sio2/si、ln/sio2/p-si/si、ln/si、sio2/si、sio2/p-si/si、ln/sio2/sic、ln/石英等。
51.以依次层叠的压电薄膜层/隔离层/衬底三层结构薄膜为例，所述压电薄膜层的材质可以为铌酸锂、钽酸锂、氧化锌、氮化铝、石英、锗、陶瓷、四硼酸锂、磷酸钛氧钾、磷酸钛氧铷或砷化镓等，所述隔离层的材质可以为二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等，所述衬底的材质可以为铌酸锂、钽酸锂、硅、石英、碳化硅或锗等。
52.滤波器或谐振器的制备利用的是单层结构薄膜或多层结构薄膜中具有压电性能的材料，本技术的射频损耗的无损检测系统和方法除可用于模拟检测上述描述的单层结构薄膜或多层结构薄膜的在二次谐波、三次谐波或更高次谐波的状态下产生的吸收损耗外，还可以用于模拟检测上述多层结构薄膜在制备过程中的中间结构(例如)在二次谐波、三次谐波或更高次谐波的状态下产生的吸收损耗。例如，多层结构薄膜为依次层叠的ln/sio2/si，其准备过程中的中间结构硅衬底或层叠的sio2/si也可以作为待检验样品进行检测。
53.下面结合几个具体示例对上述射频损耗的无损检测系统进行介绍。
54.示例1：进行待检测样品5表面吸收检测。
55.待检测样品5选取结构为次层叠的铌酸锂/二氧化硅/硅(ln/sio2/si)，各层厚度依次为400nm、2μm、0.5mm。微波发射器11发射微波，微波调制器12将微波的频率调整为2ghz，在经由微波聚焦器13聚焦后垂直射入待检测样品5的铌酸锂薄膜层表面形成微波光斑，铌酸锂表面因微波照射产生热形变形成凸起。探测波发射器21发射激光，探测波调制器22将激光的波长调整为633nm，在经由探测波聚焦器23聚焦后倾斜射入待检测样品5的照射到铌酸锂薄膜层表面形成探测波光斑。铌酸锂薄膜层表面上的微波光斑与探测波光斑重合，探测波在铌酸锂薄膜层上表面的反射光入射到反射光接收装置6中，经过信号转换及放大处理获得铌酸锂薄膜层上表面的吸收信号。最后由测量装置3接收并分析吸收信号。
56.示例2：进行待检测样品5内部吸收检测。
57.待检测样品5选取结构为单层钽酸锂，厚度为0.425mm。微波发射器11发射微波，微波调制器12将微波的频率调整为3ghz，在经由微波聚焦器13聚焦后垂直射入钽酸锂的表面形成微波光斑，铌酸锂表面因微波照射产生热形变形成凸起。探测波发射器21发射激光，探测波调制器22将激光的波长调整为633nm，在经由探测波聚焦器23聚焦后倾斜射入钽酸锂表面形成探测波光斑，钽酸锂表面上的微波光斑与探测波光斑重合，探测波在钽酸锂下表面的透射光入射到透射光接收装置7中，经过信号转换及放大处理获得钽酸锂内部的吸收信号。最后由测量装置3接收并分析吸收信号。
58.示例3：进行待检测样品5内部吸收检测。
59.待检测样品5选取结构为次层叠的铌酸锂/二氧化硅/硅(ln/sio2/si)，各层厚度以此为400nm、2μm、0.5mm。微波发射器11发射微波，微波调制器12将微波的频率调整为2ghz，在经由微波聚焦器13聚焦后垂直射入铌酸锂薄膜层表面形成微波光斑，铌酸锂表面因微波照射产生热形变形成凸起。探测波发射器21发射激光，探测波调制器22将激光的波长调整为1550nm，这里，因为待检测样品5中的衬底为单晶硅，633nm的激光无法透射到硅层中并穿透出去，因此选用可穿透到硅中的1550nm的激光。在经由探测波聚焦器23聚焦后倾斜射入铌酸锂薄膜层表面形成探测波光斑，铌酸锂薄膜层表面上的微波光斑与探测波光斑重合。探测波在铌酸锂薄膜层上表面的反射光入射到反射光接收装置6中，经过信号转换及放大处理获得铌酸锂薄膜层上表面的吸收信号。探测波在钽酸锂下表面的透射光入射到透射光接收装置7中，经过信号转换及放大处理获得钽酸锂内部的吸收信号。最后由测量装置3接收并分析吸收信号。
60.在一些实施例中，无损检测系统还包括：初始信号提取装置8和稳定信号提取装置9，所述初始信号提取装置8分别与所述反射光接收器63、所述透射光接收器73和测量装置3通信连接，所述稳定信号提取装置9分别与所述反射光接收器63、所述透射光接收器73和测
量装置3通信连接，其中，所述初始信号提取装置8用于获取并放大微波从照射到所述待检测样品5上表面至由所述待检测样品5下表面透射出去时所述光接收装置接收的信号，稳定信号提取装置9用于获取并放大微波从所述待检测样品5下表面透射出去后所述光接收装置接收的信号。
61.图2为本发明实施例提供的一种待检测样品的基本结构示意图。如图2所示，以待检测样品5为依次层叠的铌酸锂层/二氧化硅层/硅衬底(ln/sio2/si)为例，待检测样品5具有第一表面51、第二表面52、第三表面53和第四表面54。首先，调整所述微波发射器11的发射口以及所述探测波发射器21的发射口，以使探测波光斑和微波光斑在待检测样品5表面重合。然后，控制探测波发射器21所射出的探测波依次射入探测波调制器22和探测波聚焦器23，并照射至待检测样品5的ln表面上，即第一表面51上。最后，控制微波发射器11所射出的微波依次射入微波调制器12和微波聚焦器13，并照射到待检测样品5的第一表面51上。最后，微波依次从待检测样品5的第一表面51进入并到达第二表面52、从第二表面52进入并到达第三表面53、从第三表面53进入并到达第四表面54后穿透出去。
62.其中，微波从待检测样品5第一表面51到达第四表面54时，所引起的探测波的反射和透射光的变化的信号为初始信号，该部分信号通过初始信号提取装置8获取。具体地，微波从待检测样品5的第一表面51进入并到达第二表面52时，初始信号提取装置8获取的探测波的反射光或透射光为铌酸锂层在微波作用下引起的表面变化导致的探测波反射或透射信号的变化，因此获得的是铌酸锂层引起的表面或内部吸收损耗信息q1。微波从待检测样品5的第一表面51进入到并到达第三表面53时，初始信号提取装置获取的探测波的反射光或透射光为铌酸锂层和二氧化硅层在微波作用下引起的表面变化导致的探测波反射或投射信号的变化，因此获得的是铌酸锂层和二氧化硅层共同作用引起的表面或内部的吸收损耗信息q2。这里，通过计算q2和q1的差值，即可获得二氧化硅层引起的表面或内部的吸收损耗信息q3。依次类推，能够获取到硅衬底引起的表面或内部的吸收损耗信息q4。
63.另外，微波从待检测样品5第四表面54穿透出去时，所引起的探测波的反射和透射光的变化的信号为稳定信号，该部分信号通过稳定信号提取装置9获取。
64.在一些实施例中，所述初始信号提取装置8要求检测的时间精度较为精确，其检测的时间精度可以为飞秒。所述稳定信号提取装置9要求检测的时间精度可低于所述初始信号提取装置8要求检测的时间精度，其检测的时间精度可以为毫秒。
65.为了进一步说明射频损耗的无损检测过程，本技术实施例还提供了一种射频损耗的无损检测方法，参见图3，为本发明实施例提供的一种射频损耗的无损检测方法的流程示意图。
66.结合图3，该方法包括以下步骤：
67.s110：控制探测波发射器所射出的探测波依次射入探测波调制器和探测波聚焦器，并照射至待检测样品，以使在所述待检测样品上形成探测波光斑控制微波发射器所射出的微波依次射入微波调制器和微波聚焦器，并照射至待检测样品，以使在所述待检测样品上形成微波光斑。
68.s120：控制微波发射器所射出的微波依次射入微波调制器和微波聚焦器，并照射至待检测样品，以使在所述待检测样品上形成微波光斑，其中，所述探测波光斑和所述微波光斑存在重合区域。
69.s130：利用光接收装置接收所述探测波照射至所述待检测样品上所射出的光信号，并将所述光信号转换为电学信号。
70.s140：控制测量装置根据所述电学信号对所述待检测样品进行检测。
71.本技术中的射频损耗的无损检测方式，通过采用微波照射待检测样品5表面的方式模拟待检测样品5加工成器件时在二次谐波、三次谐波或更高次谐波的状态下产生的吸收损耗。对待检测样品的表面吸收或体内吸收缺陷分布进行精确、快速、实时地检测，对待检测样品制备工艺及产品性能的提升具有非常重要的意义。本技术中的无损检测方式具有非接触和无损的特点，避免了对无损检测方式进行加工成器件后再进行射频损耗检测的传统破坏性方式，降低了时间和经济成本，提高了研发生产效率。
72.由于以上实施方式均是在其他方式之上引用结合进行说明，不同实施例之间均具有相同的部分，本说明书中各个实施例之间相同、相似的部分互相参见即可。在此不再详细阐述。
73.需要说明的是，在本说明书中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的电路结构、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种电路结构、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，有语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的电路结构、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
74.本领域技术人员在考虑说明书及实践这里发明的公开后，将容易想到本技术的其他实施方案。本技术旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本技术的一般性原理并包括本技术未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本技术的真正范围和精神由权利要求的内容指出。
75.以上所述的本技术实施方式并不构成对本技术保护范围的限定。