基板处理设备及基板处理方法与流程

技术特征：
1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：腔室；基板支撑单元，在所述基板支撑单元处，一个或多个基板被安装在所述腔室的工艺空间中，所述基板支撑单元被可旋转地安装；第一气体注入单元，用于将源气体和第一吹扫气体注入到所述工艺空间的第一区域，所述第一吹扫气体用于吹扫所述源气体；源气体供应源，用于将所述源气体供应到所述第一气体注入单元；第一吹扫气体供应源，用于将所述第一吹扫气体供应到所述第一气体注入单元；第二气体注入单元，用于将反应气体和第二吹扫气体注入到所述工艺空间的与所述第一区域在空间上分开的第二区域，所述反应气体用于与所述源气体反应，所述第二吹扫气体用于吹扫所述反应气体；反应气体供应源，用于将所述反应气体供应到所述第二气体注入单元；以及第二吹扫气体供应源，用于将所述第二吹扫气体供应到所述第二气体注入单元的。2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一气体注入单元包括：多个源气体注入孔，用于注入所述源气体；以及多个第一吹扫气体注入孔，用于注入所述第一吹扫气体。3.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二气体注入单元包括：多个反应气体注入孔，用于注入所述反应气体；以及多个第二吹扫气体注入孔，用于注入所述第二吹扫气体。4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述第二气体注入单元将所述反应气体和所述第二吹扫气体中的一种或多种作为等离子体注入。5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述第二气体注入单元包括第二电极单元，用于将所述反应气体或所述第二吹扫气体转化为等离子体。6.根据权利要求2所述的装置，其中，所述第一气体注入单元将所述第一吹扫气体作为等离子体注入。7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述第一气体注入单元包括第一电极单元，用于将所述第一吹扫气体转化为等离子体。8.根据权利要求2所述的装置，其中所述第二气体注入单元包括用于注入所述反应气体的多个反应气体注入孔和用于注入所述第二吹扫气体的多个第二吹扫气体注入孔，所述第二气体注入单元依次注入所述源气体、所述第一吹扫气体、所述反应气体和所述第二吹扫气体，所述第二气体注入单元将所述第一吹扫气体作为等离子体注入，以及所述第二气体注入单元将所述反应气体和所述第二吹扫气体中的一种或多种作为等离子体注入。9.根据权利要求3所述的装置，其中，所述第二气体注入单元还包括处理气体供应源，所述处理气体供应源连接到所述反应气体注入孔和所述第二吹扫气体注入孔之一。10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述第二气体注入单元注入所述第二吹扫气体，然后将处理气体作为等离子体注入。
11.根据权利要求2所述的装置，其中所述第二气体注入单元包括用于注入所述反应气体的多个反应气体注入孔、用于注入所述第二吹扫气体的多个第二吹扫气体注入孔、以及连接到所述反应气体注入孔和所述第二吹扫气体注入孔之一的处理气体供应源，所述第二气体注入单元依次注入所述源气体、所述第一吹扫气体、所述反应气体、所述第二吹扫气体和所述处理气体，所述第二气体注入单元将所述处理气体作为等离子体注入，以及所述第二气体注入单元将所述反应气体和所述第二吹扫气体中的一种或多种作为等离子体注入。12.根据权利要求5或7所述的装置，其中所述第一电极单元和所述第二电极单元中的每一个配置有第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极之间具有电位差，以及通过将所述第一吹扫气体、所述反应气体和所述第二吹扫气体中的一种注入到所述第一电极和所述第二电极之间的区域，来产生等离子体。13.根据权利要求3所述的装置，还包括：第三气体注入单元，用于将第三吹扫气体注入到所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域；以及第三吹扫气体供应源，用于将所述第三吹扫气体注入到所述第三气体注入单元中。14.根据权利要求13所述的装置，其中，所述第三吹扫气体被在等离子体状态下注入。15.根据权利要求14的装置，其中，第三吹扫气体单元包括第三电极单元，用于将所述第三吹扫气体转化为等离子体。16.根据权利要求15所述的装置，其中所述第三电极单元配置有第一电极和第二电极，在所述第一电极和所述第二电极之间具有电位差，以及通过将所述第三吹扫气体注入到所述第一电极和所述第二电极之间的区域，来产生等离子体。17.根据权利要求4、6、8、10、11或14所述的装置，其中，所述第一吹扫气体、所述反应气体和所述第二吹扫气体中的一种被连接到远程等离子体产生装置。18.一种用于处理基板的方法，所述方法包括：将第一基板和第二基板中的每一个安装在设置在腔室中的基板支撑单元上的步骤，使得所述第一基板被设置在所述腔室的工艺空间的第一区域中，所述第二基板被设置所述工艺空间的与所述第一区域在空间上分开的第二区域中；源吸附步骤，将源气体注入到所述第一区域中的第一基板上，以将第一源气体吸附到所述第一基板上；第一旋转步骤，旋转所述基板支撑单元，使得其上吸附有所述第一源气体的所述第一基板被设置在所述第二区域中；薄膜形成步骤，将反应气体注入到所述第二区域中的所述第一基板上，以通过所述反应气体与吸附在所述第一基板上的所述第一源气体之间的反应来形成薄膜；以及第二旋转步骤，旋转所述基板支撑单元，使得其上形成有所述薄膜的所述第一基板被
设置在所述第一区域中，其中，通过多次重复所述源吸附步骤、所述第一旋转步骤、所述薄膜形成步骤和所述第二旋转步骤来形成具有预定厚度的薄膜。19.根据权利要求18所述的方法，包括源吹扫步骤，在所述源吸附步骤之后将第一吹扫气体注入到所述第一基板上，其中，所述第一吹扫气体用于吹扫所述源气体。20.根据权利要求18所述的方法，包括反应气体吹扫步骤，在所述薄膜形成步骤之后将第二吹扫气体注入到所述第一基板上，其中，所述第二吹扫气体用于吹扫所述反应气体。21.根据权利要求20所述的方法，其中，将所述反应气体和所述第二吹扫气体中的一种或多种作为等离子体产生并注入。22.根据权利要求19所述的方法，其中，将所述第一吹扫气体作为等离子体产生并注入。23.根据权利要求19所述的方法，包括反应气体吹扫步骤，在所述薄膜形成步骤之后将第二吹扫气体注入到所述第一基板上，其中所述第二吹扫气体用于吹扫所述反应气体，其中所述第一吹扫气体作为等离子体产生并注入，并且所述反应气体和所述第二吹扫气体中的一种或多种作为等离子体产生并注入。24.根据权利要求20所述的方法，包括处理气体注入步骤，在所述反应气体吹扫步骤之后注入用于对薄膜执行处理的处理气体。25.根据权利要求24所述的方法，其中，所述处理气体作为等离子体产生并注入。26.根据权利要求19所述的方法，包括：反应气体吹扫步骤，在所述薄膜形成步骤后将第二吹扫气体注入到第一基板上，所述第二吹扫气体用于吹扫反应气体；以及处理气体注入步骤，在所述反应气体吹扫步骤之后注入用于对薄膜执行处理的处理气体，其中所述处理气体作为等离子体产生并注入，以及所述第一吹扫气体、所述反应气体和所述第二吹扫气体中的一种或多种作为等离子体产生并注入。27.根据权利要求26所述的方法，包括提供：设置在所述第一区域中的第一电极单元；以及设置在所述第二区域中的第二电极单元，其中所述第一电极单元和所述第二电极单元中的每一个配置有第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极之间具有电位差，以及通过将第一吹扫气体、反应气体、第二吹扫气体和处理气体中的一种注入到所述第一电极和所述第二电极之间的区域，来产生等离子体。28.根据权利要求18至26中的一项所述的方法，其中，
在所述第一旋转步骤或所述第二旋转步骤中，注入第三吹扫气体，以划分所述第一区域和所述第二区域。29.根据权利要求18至26中的一项所述的方法，其中，在所述第一旋转步骤或所述第二旋转步骤中，注入第三吹扫气体，用于额外吹扫吸附在所述第一基板上的第一源气体或额外吹扫形成在所述第一基板上的反应气体。30.根据权利要求28所述的方法，其中，所述第三吹扫气体作为等离子体产生并注入。31.根据权利要求27之一所述的方法，其中，在第一旋转步骤或第二旋转步骤中，注入第三吹扫气体，以划分所述第一区域和所述第二区域。32.根据权利要求31所述的方法，其中，所述第三吹扫气体作为等离子体产生并注入。33.根据权利要求18所述的方法，其中，在所述源吸附步骤中将反应气体注入到所述第二区域中的第二基板上；以及在所述薄膜形成步骤中将源气体注入到所述第一区域中的第二基板上，其中，将所述源气体注入到所述第一区域中的所述第一基板上和将所述反应气体注入到所述第二区域中的所述第二基板上是同时执行的。34.根据权利要求18所述的方法，其中，在所述源吸附步骤中将反应气体注入到所述第二区域中的第二基板上，在所述薄膜形成步骤中将源气体注入到所述第一区域中的第二基板上，其中，将所述反应气体注入到所述第二区域中的所述第一基板上和将所述源气体注入到所述第一区域中的所述第二基板上是同时执行的。

技术总结
本发明涉及基板处理设备及基板处理方法。基板处理设备包括：腔室；基板支撑部被可旋转地安装在腔室内的工艺空间中，以允许至少一个基板位于其上；第一气体喷射单元，用于向工艺空间的第一区域喷射源气体和用于吹扫源气体的第一吹扫气体；源气体供应源，用于将源气体供应到第一气体喷射单元；第一吹扫气体供应源，用于将第一吹扫气体供应到第一气体喷射单元；第二气体喷射单元，与第一区域在空间上分离，且被配置成向工艺空间的第二区域喷射与源气体反应的反应气体和用于吹扫反应气体的第二吹扫气体；反应气体供应源，用于将反应气体供应到第二气体喷射单元；和第二吹扫气体供应源，用于将第二吹扫气体供应到第二气体喷射单元。元。元。


技术研发人员：柳寅瑞 黃喆周
受保护的技术使用者：周星工程股份有限公司
技术研发日：2021.01.29
技术公布日：2022/9/6