显示面板以及显示装置的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及显示面板以及显示装置。


背景技术：

2.全面屏概念经过2018年的爆发式增长，已占据一半以上智能手机市场。其中，机发光二极管(organiclight-emitting diode，oled)全面屏渗透率高达约80％。然而，现有的oled全面屏概念产品中，由于受到封装技术的限制，窄边框技术陷入瓶颈。因此，亟需提供一种能够进一步缩窄边框的oled 显示产品。


技术实现要素：

3.本技术提供一种能够进一步缩窄边框的显示面板以及显示装置。
4.本技术提供一种显示面板，所述显示面板具有发光区和位于所述发光区至少一侧的周边区，所述显示面板包括：
5.基板，包括第一柔性衬底；
6.无机绝缘层，设置于所述基板的一侧；
7.驱动电路层，设置于所述无机绝缘层远离所述基板的一侧；
8.发光层，设置于所述驱动电路层远离所述无机绝缘层的一侧，所述发光层包括公共层；以及
9.封装层，设置于所述发光层远离所述驱动电路层的一侧，所述封装层包括至少一无机层；
10.其中，所述周边区中开设有凹槽，所述凹槽贯穿所述无机绝缘层与所述第一柔性衬底，所述凹槽的侧壁上形成有第一底切结构，所述公共层包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述发光区和所述周边区，所述第二部分至少部分位于所述凹槽中，且所述第一部分与所述第二部分被所述第一底切结构断开连接，所述至少一无机层覆盖所述第一部分远离所述发光区的端部，且所述至少一无机层远离所述发光区的端部不超过所述公共层远离所述发光区的端部。
11.可选的，在一些实施方式中，所述显示面板中还开设有开口，所述开口暴露出所述基板，所述开口暴露出的所述基板弯折至所述显示面板背面形成弯折部，所述凹槽与所述开口连通，所述凹槽形成于所述开口靠近所述发光区的侧壁上。
12.可选的，在一些实施方式中，所述基板还包括：
13.第二柔性衬底，设置于所述第一柔性衬底远离所述驱动电路层一侧；和
14.阻隔层和换线层，同层设置于所述第一柔性衬底与所述第二柔性衬底之间，所述换线层对应于所述开口设置；
15.所述驱动电路层包括第一信号线和第一扇出线，所述第一信号线位于所述发光区，所述第一扇出线位于所述显示面板的背面，所述第一信号线和所述第一扇出线分别与所述换线层经由过孔连接。
16.可选的，在一些实施方式中，所述驱动电路层还包括第二信号线和第二扇出线，所述第二信号线与所述第一信号线不同层设置，所述第二信号线位于所述发光区，所述第二扇出线位于所述显示面板的背面，所述换线层位于所述第二信号线与所述第二扇出线之间，所述第二信号线和所述第二扇出线分别与所述换线层经由过孔连接。
17.可选的，在一些实施方式中，所述第一信号线与所述第一扇出线同层设置，所述第二信号线与所述第二扇出线同层设置，所述换线层包括第一换线和第二换线，所述第一换线与所述第二换线绝缘间隔设置，所述第一信号线经由所述第一换线与所述第一扇出线连接，所述第二信号线经由所述第二换线与所述第二扇出线连接。
18.可选的，在一些实施方式中，所述驱动电路层包括栅极和源极，所述栅极与所述源极不同层设置，所述第一信号线与所述栅极同层设置，所述第二信号线与所述源极同层设置。
19.可选的，在一些实施方式中，所述弯折部的所述第一柔性衬底远离所述换线层的表面为气体介质层或真空层。
20.可选的，在一些实施方式中，所述公共层包括电子注入层、电子传输层以及电极层的至少一个。
21.可选的，在一些实施方式中，所述周边区围绕所述发光区设置，所述第一底切结构围绕所述发光区形成一闭环，所述第一底切结构位于所述凹槽靠近所述发光区的侧壁上。
22.可选的，在一些实施方式中，所述凹槽的侧壁上还形成有第二底切结构，所述第二底切结构位于所述凹槽远离所述发光区的侧壁上，所述公共层还包括第三部分，所述第三部分位于所述第二部分远离所述第一部分的一侧，所述第二部分与所述第三部分被所述第二底切结构断开连接。
23.可选的，在一些实施方式中，所述显示面板还包括介电层，所述介电层设置于所述无机绝缘层与所述发光层之间，所述凹槽还贯穿所述介电层，所述至少一无机层覆盖所述凹槽，并与所述凹槽的侧壁的所述无机绝缘层和所述介电层直接接触，形成封闭的无机封装结构。
24.本技术还提供一种显示装置，其包括显示面板和与所述显示面板连接的驱动组件，所述显示面板为如上所述的显示面板。
25.在现有的显示面板和显示装置中，由于发光层中的公共层容易受到水氧入侵而发生失效。为了保护公共层，封装层中的无机层需要覆盖公共层远离覆盖发光区的端部，从而导致封装层的封装宽度较大。在本技术的显示面板和显示装置中，通过第一底切结构将公共层断开，水氧在公共层的第一部分与第二部分之间的传播路径被切断，能够起到水氧阻隔作用，并防止裂纹扩散。而封装层中的无机层只需要覆盖位于发光区的第一部分的端部即可，可以不用覆盖公共层远离发光区的端部。通过使无机层远离发光区的端部不超过公共层远离发光区的端部，相较于现有技术中，无机层需要覆盖公共层远离发光区端部的情况，封装层的封装宽度显著减小，从而达到窄边框的效果。
附图说明
26.图1为本技术的显示装置的平面示意图。
27.图2为图1的显示装置在展开情况下的结构示意图。
28.图3为图1的显示装置的一种结构的剖视图。
29.图4为图2的显示装置沿b-b线的一种结构的部分剖视图。
30.图5为图1的显示面板的第一信号线、第二信号线、第一扇出线、以及第二扇出线的俯视示意图。
31.图6为图1的显示装置的另一种结构的剖视图。
具体实施方式
32.下面将结合本技术实施方式中的附图，对本技术中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式仅仅是本技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本技术中的实施方式，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本技术保护的范围。
33.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接，也可以包括第一和第二特征不是直接连接而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个特征。
34.本公开的各种实施例的方面和特征可以部分地或全部地彼此组合。每个实施例可以彼此独立地实现，或者可以部分地或全部地彼此相关联，并且一起实现。
35.本技术提供一种显示面板和包括显示面板的显示装置。显示面板具有发光区和位于发光区至少一侧的周边区。显示面板包括基板、无机绝缘层、驱动电路层、发光层以及封装层。基板包括第一柔性衬底。无机绝缘层设置于基板的一侧。驱动电路层设置于无机绝缘层远离基板的一侧。发光层设置于驱动电路层远离无机绝缘层的一侧，发光层包括公共层。封装层设置于发光层远离驱动电路层的一侧，封装层包括至少一无机层。其中，周边区中开设有凹槽，凹槽贯穿无机绝缘层与第一柔性衬底，凹槽的侧壁上形成有第一底切结构，公共层包括第一部分和第二部分，第一部分位于发光区，第二部分至少部分位于凹槽中，且第一部分与第二部分被第一底切结构断开连接。至少一无机层覆盖第一部分远离发光区的端部，且至少一无机层远离发光区的端部不超过公共层远离发光区的端部。
36.在现有的显示面板和显示装置中，由于发光层中的公共层容易受到水氧入侵而发生失效。为了保护公共层，封装层中的无机层需要覆盖公共层远离覆盖发光区的端部，从而导致封装层的封装宽度较大。在本技术的显示面板和显示装置中，通过第一底切结构将公共层断开，水氧在公共层的第一部分与第二部分之间的传播路径被切断，能够起到水氧阻隔作用，并防止裂纹扩散。而封装层中的无机层只需要覆盖位于发光区的第一部分的端部即可，可以不用覆盖公共层远离发光区的端部。通过使无机层远离发光区的端部不超过公共层远离发光区的端部，相较于现有技术中，无机层需要覆盖公共层远离发光区端部的情况，封装层的封装宽度显著减小，从而达到窄边框的效果。
37.以下，结合具体实施方式对本技术的显示面板和显示装置进行详细说明。
38.请参考图1和图2，显示装置1包括显示面板100和与显示面板100连接的驱动组件200。显示面板100用于显示图像，驱动组件200用于驱动显示面板100进行显示。
39.显示面板100包括发光区100a和位于发光区100a至少一侧的周边区100b。如图1所示，显示面板100可以为矩形，周边区100b可以位于发光区100a的上侧、下侧、左侧以及右侧的至少一侧。即，周边区100b可以包括上边框区 101b、下边框区102b、左边框区103b以及右边框区104b中的至少一个。可选的，在本实施方式中，周边区100b围绕发光区100a设置一圈。进一步，显示面板100还包括弯折区100c和扇出区100d。弯折区100c还可以被称为垫弯区(pad bending)。弯折区100c位于周边区100b中的下边框区102b远离发光区100a的一侧。扇出区100d位于弯折区100c远离下边框区102b的一侧。并且，发光区100a、周边区100b、弯折区100c以及扇出区100d依次相连。
40.驱动组件200连接于显示面板100的扇出区100d远离发光区100a的一侧。驱动组件200可以包括覆晶薄膜(chip on film，cof)和/或柔性电路板(flexibleprinted circuit，fpc)。
41.请参考图3和图4，为了方便说明，图4中省略了发光层40以及封装层 50。显示面板100包括基板10、无机绝缘层20、驱动电路层30、发光层40 以及封装层50。无机绝缘层20设置于基板10的一侧。驱动电路层30设置于无机绝缘层20远离基板10的一侧。发光层40设置于驱动电路层30远离无机绝缘层20的一侧。封装层50设置于发光层40远离驱动电路层30的一侧。
42.基板10位于发光区100a、周边区100b、弯折区100c以及扇出区100d。基板10包括第一柔性衬底11、第二柔性衬底12以及设置于第一柔性衬底11 与第二柔性衬底12之间的阻隔层13和换线层14。阻隔层13与换线层14同层设置。阻隔层13至少位于发光区100a。换线层14至少位于周边区100b和弯折区100c。可选的，换线层14也可以位于发光区100a和扇出区100d。可选的，阻隔层13与换线层14可以直接连接。具体地，可以通过蚀刻掉位于第一柔性衬底11上的部分阻隔层13，再在蚀刻去除了阻隔层13的位置形成换线层14。
43.第一柔性衬底11和第二柔性衬底12的材料分别独立地选自聚酰亚胺(pi)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚芳酯(par)、聚碳酸酯(pc)、聚醚酰亚胺(pei)和聚醚砜(pes)中的一种。阻隔层13的材料可以选自氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sion)等无机材料及其叠层，以防止水汽从第二柔性衬底12扩散至驱动电路层30。换线层14可以为cu(铜)、mo(钼)、al(铝)、银(ag)等单层金属走线，或者它们的叠层金属走线。为了便于弯折，换线层14的材料为具有一定弯折性能的材料。可选的，换线层14为基板10的中性层。具体可通过控制两层柔性衬底的厚度精确调整换线层14为基板10的中性层。所谓中性层是指基板10的膜层结构中受到应力最小的层。
44.显示面板100中开设有一开口101。开口101位于周边区100b和弯折区 100c。开口101依次贯穿驱动电路层30和无机绝缘层20，暴露出基板10。开口101暴露出的基板10弯折至显示面板100背面形成弯折部1001。换线层14 对应于开口101设置。具体地，开口101的侧壁101w在换线层14所在平面上的正投影与换线层14重叠。但，在显示面板100的长度方向上，换线层14 的长度远远超过开口101的长度。所谓“基板10弯折至显示面板100背面形成弯折部1001”，是指第一柔性衬底11、第二柔性衬底12以及换线层14弯折至显示面板100的背面形成弯折部1001。弯折部1001的第一柔性衬底11 远离换线层14的表面为气体介质层
110。换句话说，开口101中没有填充柔性有机材料，而是被气体填充，所述气体可以是空气，也可以是惰性气体，例如氮气等。在其他实施方式中，弯折部1001的第一柔性衬底11远离换线层 14的表面也可以为真空层，即不填充气体，而是被抽真空。
45.周边区100b中开设有凹槽11a，凹槽11a贯穿无机绝缘层20与第一柔性衬底11，凹槽11a的侧壁101w上形成有第一底切结构ud1。第一底切结构 ud1通过蚀刻形成，由于蚀刻过程中蚀刻液或者蚀刻气体对第一柔性衬底11 的蚀刻速度大于对无机绝缘层20的蚀刻速度，在蚀刻完成后蚀刻除去的无机绝缘层20的量比蚀刻除去的第一柔性衬底11的量少，从而在无机绝缘层20 与第一柔性衬底11之间形成第一底切结构ud1。
46.在本实施方式中，周边区100b围绕发光区100a设置，第一底切结构ud1 围绕发光区100a形成一闭环。第一底切结构ud1位于凹槽11a靠近发光区100a 的侧壁101w上。进一步，在下边框102b区，即连接有弯折区100c和扇出区 100d的边框区中，凹槽11a与开口101连通。并且，凹槽11a形成于开口101 靠近发光区100a的侧壁101w上。而在其他位置，例如上边框101b、左边框103b和右边框104b，没有设置用于弯折的开口101，直接开设凹槽11a。
47.无机绝缘层20至少位于发光区100a、周边区100b以及扇出区100d。弯折区100c中的无机绝缘层20被除去，以便弯折。无机绝缘层20设置于基板 10与驱动电路层30之间，用于阻挡水氧从基板10进入驱动电路层30，和/ 或增强基板10与驱动电路层30之间的结合力。无机绝缘层20包括氮化硅、氧化硅以及a-si中的至少一层。可选的，在本实施方式中，无机绝缘层20包括阻挡层21(又称3l层)和缓冲层22。阻挡层21位于缓冲层22靠近基板 10的一侧。缓冲层22包括氮化硅、氧化硅或者氮化硅和氧化硅的叠层。阻挡层21包括氮化硅、氧化硅以及a-si的叠层。可选的，在本技术其他实施方式中，无机绝缘层20可以仅包括缓冲层22和阻挡层21中的一个。可选的，在一些实施方式中，无机绝缘层20还可以是驱动电路层30形成过程中，形成在周边区100b的介电层，例如，栅极绝缘层、层间绝缘层等。
48.驱动电路层30位于发光区100a和扇出区100d。位于发光区100a中的驱动电路层30中包括2t1c、3t1c、5t1c或者7t1c等oled显示用的驱动电路。
49.可选的，显示面板还包括位于周边区100b的介电层31。介电层31是驱动电路层30形成过程中，由于蒸镀等工艺形成在周边区100b的绝缘材料层。介电层31包括栅极绝缘层gi、层间绝缘层il等无机介电层。介电层31的材料包括氧化硅、氮化硅及其叠层。由于介电层31位于周边区100b，且覆盖在周边区100b的无机绝缘层20与第一柔性衬底11上，因此，凹槽11a贯穿无机绝缘层20与第一柔性衬底11之前，先贯穿介电层31。
50.驱动电路层30包括第一信号线32和第一扇出线33，第一信号线32位于发光区100a，第一扇出线33位于扇出区100d且位于显示面板100的背面。换线层14位于第一信号线32与第一扇出线33之间，第一信号线32和第一扇出线33分别与换线层14经由过孔va连接。第一信号线32与换线层14靠近发光区100a的一端连接，第一扇出线33层与换线层14远离发光区100a的一端连接。
51.驱动电路层30还包括第二信号线34和第二扇出线35，第二信号线34与第一信号线32不同层设置，第二信号线34位于发光区100a，第二扇出线35 位于扇出区100d且位于显示面板100的背面。换线层14位于第二信号线34 与第二扇出线35之间，第二信号线34和第二扇出线35分别与换线层14经由过孔va连接。第二信号线34与换线层14靠近发光区100a的一端连接，第二扇出线35层与换线层14远离发光区100a的一端连接。第一信号线32和第二信
号线34可以为栅极线、数据线、vdd信号线或者vss信号线等。
52.可选的，第一信号线32与第一扇出线33同层设置，第二信号线34与第二扇出线35同层设置。请参考图5，在俯视的时候，换线层14包括第一换线 141和第二换线142。第一换线141与第二换线142绝缘间隔设置。第一信号线32与第二信号线34绝缘间隔设置，第一信号线32经由第一换线141与第一扇出线33连接，第二信号线34经由第二换线142与第二扇出线35连接。
53.驱动电路层30包括栅极ge、源极se、漏极de以及半导体层cl，栅极 ge与源极se、漏极de不同层设置。本实施方式中，驱动电路层30中的薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。半导体层cl设置于基板10上。栅极ge设置于半导体层cl远离基板10的一侧。源极se和漏极de设置于栅极ge远离基板10的一侧。第一信号线32位于第二信号线34靠近基板10的一侧。可选的，第一信号线32与栅极ge同层，第二信号线34与源极se和漏极de同层。可以理解，在本技术其他实施方式中，第一信号线32和第二信号线34 也可以与驱动电路层30中的其他金属膜层同层设置，例如遮光层等。在本技术其他实施方式中，第二扇出线35也可以与第一扇出线33同层设置，即，第一信号线32和第二信号线34经过换线层之后换到同一层上。
54.发光层40包括第一电极层41、像素定义层42、发光材料层43以及公共层44。驱动电路层30与发光层40之间还设置有平坦层60，以平坦驱动电路层30上方形成的地形，有助于形成发光层40。第一电极层41设置在平坦层 60上，并经由开设于平坦层60中的连接孔与驱动电路层30连接。可选的，第一电极层41可以为阳极。像素定义层42覆盖于平坦层60上，像素定义层 42中还开设有多个用于暴露第一电极层41的像素定义开口421。发光材料层 43设置于像素定义开口421中。发光材料层43可以包括有机发光层、空穴注入层和空穴传输层等空穴功能层。发光材料层43可以利用喷墨打印方式形成。公共层44是指在发光层40的制造过程中利用共通掩膜(common mask)以蒸镀方式形成的膜层。公共层44具体可以包括电子注入层、电子传输层以及第二电极层中的至少一个，但不限于此。其中，第二电极层为阴极。可以理解，在本技术其他实施方式中，oled器件为倒置型器件，第一电极层也可以为阴极，第二电极层也可以为阳极。
55.封装层50位于发光区100a和周边区100b。封装层50覆盖发光层40，用于保护发光层40，避免水氧入侵导致发光层40失效。可选地，封装层50可采用薄膜封装(thin film encapsulation，tfe)结构。封装层50包括至少一无机层和至少一有机层。无机层和有机层交替层叠设置。在本实施方式中，封装层50包括第一无机层51、有机封装层52及第二无机层53依次层叠形成封装层50。另外，显示面板100还包括挡墙dam，挡墙dam设置于驱动电路层30上，位于发光层40与第一底切ud1之间。或者说，挡墙dam位于周边区100b，用于阻挡封装层50中的有机封装层52。
56.在本技术中，公共层44包括第一部分441和第二部分442，第一部分441 位于发光区100a和周边区100b。第二部分442至少部分位于凹槽11a中，且第一部分441与第二部分442被第一底切结构ud1断开连接。可选的，第二部分442覆盖凹槽11a的底壁并延伸至凹槽11a外。至少一无机层，即，第一无机层51和第二无机层53覆盖第一部分441远离发光区100a的端部，且至少一无机层远离发光区100a的端部不超过公共层44远离发光区100a的端部。具体地，至少一无机层远离发光区100a的端部与公共层44远离发光区100a 的端部齐平，或者，位于公共层44远离发光区100a的端部(即，第二部分 442的端部)靠近发光区100a的一
侧。换句话说，至少一无机层远离发光区 100a不覆盖公共层44远离发光区100a的端部。进一步，至少一无机层覆盖并填充凹槽11a，并与凹槽11a的侧壁101w的无机绝缘层20和介电层31直接接触。
57.在一些实施方式中，通过第一底切结构ud1将公共层44断开，水氧在公共层44的第一部分441与第二部分442之间的传播路径被切断，能够起到水氧阻隔作用，并防止裂纹扩散。而封装层50中的无机层只需要覆盖位于发光区100a的第一部分441的端部即可，可以不用覆盖公共层44远离发光区100a 的端部。通过使无机层远离发光区100a的端部不超过公共层44远离发光区 100a的端部，相较于现有技术中，无机层需要覆盖公共层44远离发光区100a 端部的情况，封装层50的封装宽度显著减小，从而达到窄边框的效果。
58.在一些实施方式中，当在第一柔性衬底11上形成底切结构时，如果第一柔性衬底11上方设置有信号线，则会影响底切结构的形成。通过将弯折区100c 的信号线通过换线至两层柔性衬底之间，使第一柔性衬底11上方无信号线，便于在第一柔性衬底11上形成底切结构，顺利集成窄边框封装技术。
59.在一些实施方式中，第一底切结构ud1围绕发光区形成完整的闭环，能够进一步增强封装效果。
60.在一些实施方式中，开口101中没有填充柔性有机材料，而是被气体填充或者是真空层。相较于现有技术中，在弯折区100c的开口101中填充柔性有机材料的结构，能够预防放气(outgasing)。所谓“放气”是由有机材料特性导致，即在后续的高温制程中，有机层会有气体析出，破坏上层结构。
61.在一些实施方式中，由于在弯折区100c需要形成弯折用的开口101，在开口101的基础上进一步形成凹槽11a，能够利用已有的开口101来形成第一底切结构ud1，节省刻蚀步骤，简化工艺。通过使凹槽11a形成于开口101 靠近发光区100a的侧壁101w上，在弯折部1001靠近发光区100a的侧壁101w 上形成底切结构，能够达到缩窄边框的效果。
62.请参考图6，在另一种结构的显示面板100中，开口101内的无机绝缘层 20没有全部被蚀刻，开口101内靠近发光区100a的一部分无机绝缘层20被保留下来。同时，在这部分无机绝缘层20中形成凹槽11a。除了第一底切结构ud1之外，在凹槽11a的侧壁101w上还形成有第二底切结构ud2，第二底切结构ud2位于凹槽11a远离发光区100a的侧壁101w上。公共层44还包括第三部分443，第三部分443位于第二部分442远离第一部分441的一侧，第二部分442与第三部分443被第二底切结构ud2断开连接。公共层44的第三部分443位于无机绝缘层20和介电层31上。至少一无机层，即，第一无机层51和第二无机层53覆盖第一部分441远离发光区100a的端部，且至少一无机层远离发光区100a的端部不超过第三部分443远离发光区100a的端部。至少一无机层远离发光区100a的端部可以如图所示与第三部分443远离发光区100a的端部齐平，也可以位于第三部分443远离发光区100a的端部靠近发光区100a的一侧，或者仅覆盖到第一部分441端部，仅覆盖到第二部分442 端部或者覆盖到第二部分442的一部分。可选的，至少一无机层覆盖凹槽11a，并与凹槽11a的远离发光区100a和靠近发光区100a的侧壁101w中的无机绝缘层20和介电层31同时直接接触，形成封闭的无机封装结构，将第二部分 442封闭起来。
63.在本实施方式中，通过第一底切结构ud1和第二底切结构ud2将公共层 44断开为三个部分，封装防裂纹效果更优。
64.可以理解，在本技术的其他实施方式中，也可以仅设置第二底切结构ud2，同样能够获得窄边框的效果。
65.以上对本技术实施方式提供了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施方式的说明只是用于帮助理解本技术。同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。