一种丝网印刷定位校准片的制作方法

本技术涉及太阳能电池制造领域，具体涉及一种丝网印刷定位校准片。

背景技术：

1、每次丝网印刷机换网版断电重启后需要用4片硅片做offset定位，将定位完成后的硅片进行拍照，并将照片传送给电脑，电脑进行计算，得知硅片是否可以印刷以及硅片在玻璃台面上的偏移数据。通过印刷网版图形后，相机截图抓取硅片印刷的定位点等信息，之后电脑软件计算生产时硅片位置，并比对截图信息来确定批量生产时印刷图形的位置和偏移量，从而保证每片硅片印刷图形的一致性，但是用来做定位的试印刷硅片因为首次印刷是随机印刷，图形偏移量较大并且硅片上的印刷涂层无法擦除而成为失效片，如图1所示，车间内多台印刷机在断电重启后后都需要做offset定位，日积月累造成的不良片数量惊人。

2、因此需要一种能够代替硅片做丝网印刷后offset定位工作，且能够重复使用的定位核准片。

技术实现思路

1、为解决上述技术问题，本实用新型提供一种丝网印刷定位校准片，目的是用一种丝网印刷定位校准片替代硅片，在丝网印刷后offset定位工作，避免硅片的浪费。

2、为了实现上述目的，本实用新型的技术方案是：

3、一种丝网印刷定位校准片，包括具有弱反光效果的定位校准片本体，所述定位校准片本体包括芯层和表面层，所述芯层的尺寸与待印硅片尺寸一致，芯层外有表面光滑、抗油脂脏污性强的表面层。

4、本实用新型公开的一种丝网印刷定位校准片主要用于减少折射的闪光反射，使拍照更加清晰，且表面抗油脂脏污性强，能够将印刷后的油墨擦除。

5、进一步地，所述芯层或表面层的颜色为深色。

6、深色系的颜色能够吸收光，使反射效果减弱。

7、进一步地，所述芯层为黑色的相纸，表面层为表面光滑的透明塑料膜，所述表面层与芯层相粘接。

8、黑色的相纸用于吸收拍照闪光，减弱光的反射，使拍照更加清晰，而透明塑料膜能够使定位校准片本体表面光滑，抗油脂脏污性强，能够将印刷后的油墨擦除，从而能够重复使用。

9、进一步地，所述芯层为钢制成的板体，所述表面层为钢质板体运用发黑工艺制成的层状的致密氧化膜结构。

10、钢铁发黑处理后生成的氧化膜是致密光滑的黑灰色薄膜，不仅减弱拍照反射问题，还可以解决擦拭油墨和重复使用的问题，另外因为钢铁熔点高于烧结炉温度，不会因为被携带进入烧结炉而对其它硅片产生不利后果。

11、进一步地，所述定位校准片本体是边长为166mm±0.1mm～210mm±0.1mm，厚度为0.18mm±0.05mm的正方形板材。

12、具体地，所述定位校准片本体的规格是边长为166mm×166mm×0.18mm、

13、182mm×182mm×0.18mm或210mm×210mm×0.18mm。

14、通过上述技术方案，本实用新型的有益效果为：

15、本实用新型公开的一种丝网印刷定位校准片，表面光滑、抗油脂脏污性强，成本低，印刷后的定位校准片本体能够代替硅片，进行丝网印刷定位核准，并且可以在擦除浆料后重复使用，避免硅片的浪费。

16、本实用新型公开的一种丝网印刷定位校准片，反光能力弱，降低了可见光的反射率，使相机拍照后成像清晰，满足相机软件的计算与处理需要。

17、本实用新型公开的一种丝网印刷定位校准片，以钢为芯层，以发黑工艺制成的层状氧化膜作为表面层，不需要担心定位核准片本体进入烧结炉引发的安全问题和对其它硅片产生的不利影响，更适用于生产中应用。

技术特征：

1.一种丝网印刷定位校准片，其特征在于，包括具有弱反光效果的定位校准片本体(1)，所述定位校准片本体(1)包括芯层(2)和表面层(3)，所述芯层(2)的尺寸与待印硅片尺寸一致，芯层(2)外有表面光滑、抗油脂脏污性强的表面层(3)。

2.根据权利要求1所述的一种丝网印刷定位校准片，其特征在于，所述芯层(2)或表面层(3)的颜色为深色。

3.根据权利要求2所述的一种丝网印刷定位校准片，其特征在于，当所述芯层(2)为深色时，所述芯层(2)为黑色的相纸，表面层(3)为表面光滑的透明塑料膜，所述表面层(3)与芯层(2)相粘接。

4.根据权利要求2所述的一种丝网印刷定位校准片，其特征在于，当所述表面层(3)为深色时，所述芯层(2)为钢制成的板体，所述表面层(3)为钢质板体表面运用发黑工艺制成的层状的致密氧化膜结构。

5.根据权利要求1所述的一种丝网印刷定位校准片，其特征在于，所述定位校准片本体(1)是边长为166mm±0.1mm～210mm±0.1mm，厚度为0.18mm±0.05mm的正方形板材。

技术总结本技术涉及一种丝网印刷定位校准片，包括具有弱反光效果的定位校准片本体，所述定位校准片本体包括芯层和表面层，所述芯层的尺寸与待印硅片尺寸一致，芯层外有表面光滑、抗油脂脏污性强的表面层。本新型能够替代硅片，在丝网印刷后OFFSET定位工作，避免硅片的浪费，且颜色为深色、反光弱、印刷后易擦除，适于相机拍照对比。技术研发人员：李二赟,彭平,高志强,李旭杰,赵斌,张保,蔡宁乐受保护的技术使用者：平煤隆基新能源科技有限公司技术研发日：20230821技术公布日：2024/5/27