一种降低晶圆研磨正面损伤的制具的制作方法

本技术涉及晶圆加工，尤其涉及一种降低晶圆研磨正面损伤的制具。

背景技术：

1、晶圆主要用于制作各种半导体器件以及芯片，晶圆通常拥有较为丝滑的抛光表面，而由于芯片以及半导体器件本身的精度要求，这就意味着在晶圆的加工过程需要保证其表面的平坦化，例如在做光刻时，晶圆的表面要求就需要极为平坦，同时在晶圆各个加工工艺后，也需要对晶圆进行打磨后才能明确晶圆的具体缺陷，其中用于对晶圆进行打磨的技术成为cmp化学机械研磨技术。

2、但是在现有技术中，在针对cmp化学机械研磨，需要采用抛光液配合抛光机来进行研磨，其中抛光液和抛光垫是最关键的两个部分，其中抛光液包含液态刻蚀溶液、分散剂、ph调节剂，例如中国专利公开了一种降低晶圆研磨正面损伤的制具，cn208173556u，包括制具体，所述制具体上设置有填充粘接剂放置晶圆用的第一凹槽，所述制具体第一凹槽槽底设置有容纳晶圆有效区域用的第二凹槽。本实用新型在制具体上设置有第一凹槽并在第一凹槽内设置第二凹槽，利用晶圆加工工程中的晶圆外缘无效区域设计与其适配的制具体，采用粘结剂粘接并保护晶圆正面，完成晶圆减薄抛光工艺。

3、虽然上述方案具有如上的优势，但是上述方案的劣势在于：针对cmp化学机械研磨，抛光液对晶圆表面颗粒进行软化，而其中的抛光垫是由多孔结构的高分子材料做成，这些大小不同的孔可以在研磨过程对抛光液进行吸收容纳，但是在长期使用后，抛光垫不仅会对自身进行抛光还会导致研磨残余物在孔隙中堆积，降低研磨效果，对晶圆表面造成划伤，因此亟须一种降低晶圆研磨正面损伤的制具来解决此类问题。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的在长期使用后，抛光垫不仅会对自身进行抛光还会导致研磨残余物在孔隙中堆积，降低研磨效果，对晶圆表面造成划伤的问题。

2、为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：一种降低晶圆研磨正面损伤的制具，包括：研磨台、支脚、伸缩杆和第一电机，所述研磨台外表面的顶部设置有抛光垫，多个所述伸缩杆外表面的顶部均活动连接有夹排，多个所述支脚外表面的顶部均固定安装有滑槽，多个所述滑槽外表面的顶部均滑动嵌设有滑排，多个所述滑排外表面的顶部均固定安装有电动吸嘴，多个所述第一电机的输出轴均固定连接有电动吸头，所述电动吸头与夹排活动连接，所述研磨台外表面的顶部固定安装有多个伸缩柱，多个所述伸缩柱外表面的顶部均固定安装有吸盘。

3、作为一种优选的实施方式，所述吸盘与抛光垫活动连接，多个所述夹排相对的一侧均固定安装有固定排，多个所述夹排的内部均滑动嵌设有多个卡条。

4、采用上述进一步方案的技术效果是：其中的第一电机通过外部固定座均固定在伸缩杆的上端，用于连接电动吸头，便于对电动吸头进行转动调节。

5、作为一种优选的实施方式，多个所述卡条靠近固定排的一侧均固定安装有伸缩条，所述伸缩条固定安装在夹排外表面的一侧。

6、采用上述进一步方案的技术效果是：伸缩条可带动底部的卡条和移动排朝向固定排的方向移动，继而通过多个垫片将抛光垫夹住。

7、作为一种优选的实施方式，多个所述卡条外表面的一侧均固定连接有移动排，多个所述移动排和固定排外表面的一侧均固定安装有垫片。

8、采用上述进一步方案的技术效果是：垫片的设置避免在加持时对抛光垫表面孔洞高分子结构造成损伤。

9、作为一种优选的实施方式，多个所述滑槽外表面的一侧均固定安装有第二电机，多个所述第二电机的输出轴均固定连接有丝杆。

10、采用上述进一步方案的技术效果是：第二电机为丝杆的转动提供动力源，保证滑排移动的稳定性。

11、作为一种优选的实施方式，所述丝杆转动嵌设在滑槽的内部，所述丝杆螺纹嵌设在滑排的内部。

12、采用上述进一步方案的技术效果是：螺纹配合的丝杆和滑排，可在丝杆的转动下带动卡在滑槽上的滑排往复滑动，实现对于抛光垫托起后的移动。

13、与现有技术相比，本实用新型的优点和积极效果在于，

14、1.本实用新型，通过研磨台、支脚、滑槽、滑排、抛光垫、夹排的配合，可将双面设置的抛光垫进行翻转后，由另一面作为抛光接触面使用，同时双面设置的抛光垫即使单面磨损出现了超过小孔内吸收的沉淀物大小的消耗磨损，依然可以翻转后继续使用，且小孔内的沉淀物会在重力作用下下坠不会对上面产生影响，极大程度降低了生产成本，通过设置抛光垫地单面使用时长进行及时翻面，有效避免对晶圆的磨损，解决了在抛光垫长期使用后，抛光垫不仅会对自身进行抛光还会导致研磨残余物在孔隙中堆积，降低研磨效果，对晶圆表面造成划伤的问题。

15、2.本实用新型，通过滑槽、滑排、伸缩杆、夹排的配合，在对抛光垫进行翻转在移动到研磨台上继续进行研磨的同时，也可用作上料使用，区别在于，在第一电机的高度加设抛光垫的备料仓，在夹排移动到此处时仅进行夹持，而后下移输送抛光垫即可，可实现对于抛光垫的翻转可上料，结构简单合理。

技术特征：

1.一种降低晶圆研磨正面损伤的制具，包括：研磨台(1)、支脚(2)、伸缩杆(5)和第一电机(6)，其特征在于：所述研磨台(1)外表面的顶部设置有抛光垫(7)，多个所述伸缩杆(5)外表面的顶部均活动连接有夹排(8)，多个所述支脚(2)外表面的顶部均固定安装有滑槽(3)，多个所述滑槽(3)外表面的顶部均滑动嵌设有滑排(4)，多个所述滑排(4)外表面的顶部均固定安装有电动吸嘴(401)，多个所述第一电机(6)的输出轴均固定连接有电动吸头(601)，所述电动吸头(601)与夹排(8)活动连接，所述研磨台(1)外表面的顶部固定安装有多个伸缩柱(101)，多个所述伸缩柱(101)外表面的顶部均固定安装有吸盘(102)。

2.根据权利要求1所述的一种降低晶圆研磨正面损伤的制具，其特征在于：所述吸盘(102)与抛光垫(7)活动连接，多个所述夹排(8)相对的一侧均固定安装有固定排(801)，多个所述夹排(8)的内部均滑动嵌设有多个卡条(803)。

3.根据权利要求2所述的一种降低晶圆研磨正面损伤的制具，其特征在于：多个所述卡条(803)靠近固定排(801)的一侧均固定安装有伸缩条(804)，所述伸缩条(804)固定安装在夹排(8)外表面的一侧。

4.根据权利要求3所述的一种降低晶圆研磨正面损伤的制具，其特征在于：多个所述卡条(803)外表面的一侧均固定连接有移动排(802)，多个所述移动排(802)和固定排(801)外表面的一侧均固定安装有垫片(805)。

5.根据权利要求4所述的一种降低晶圆研磨正面损伤的制具，其特征在于：多个所述滑槽(3)外表面的一侧均固定安装有第二电机(301)，多个所述第二电机(301)的输出轴均固定连接有丝杆(302)。

6.根据权利要求5所述的一种降低晶圆研磨正面损伤的制具，其特征在于：所述丝杆(302)转动嵌设在滑槽(3)的内部，所述丝杆(302)螺纹嵌设在滑排(4)的内部。

技术总结本技术提供一种降低晶圆研磨正面损伤的制具，涉及晶圆加工技术领域，包括：研磨台、支脚、伸缩杆和第一电机，所述研磨台外表面的顶部设置有抛光垫，多个所述伸缩杆外表面的顶部均活动连接有夹排，多个所述支脚外表面的顶部均固定安装有滑槽。本技术，通过研磨台、支脚、滑槽、滑排、抛光垫、夹排的配合，可将双面设置的抛光垫进行翻转后，由另一面作为抛光接触面使用，同时双面设置的抛光垫即使单面磨损出现了超过小孔内吸收的沉淀物大小的消耗磨损，依然可以翻转后继续使用，且小孔内的沉淀物会在重力作用下下坠不会对上面产生影响，极大程度降低了生产成本，通过设置抛光垫地单面使用时长进行及时翻面，有效避免对晶圆的磨损。技术研发人员：刘磊,侯显能受保护的技术使用者：无锡矽晶半导体科技有限公司技术研发日：20231017技术公布日：2024/6/13