量测方法和系统和光刻系统与流程

本发明涉及一种例如能够用于通过光刻技术制造器件的方法和设备，并且涉及使用光刻技术制造器件的方法。更具体地，本发明涉及诸如位置传感器的量测传感器。

背景技术：

1、光刻设备是将期望的图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(ic)。在这种情况下，替代地被称为掩模或掩模版的图案形成装置可以用于产生待形成于ic的单层上的电路图案。该图案可以转移到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的一部分、一个管芯或若干管芯)上。通常经由成像到设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而进行图案的转移。一般而言，单一衬底将包括连续图案化的相邻目标部分的网络。这些目标部分通常被称为“场”。

2、在复杂器件的制造中，典型地执行许多光刻图案形成步骤，由此在衬底上的连续层中形成功能性特征。因此，光刻设备的性能的关键方面是能够相对于置于先前层中(通过相同设备或不同光刻设备)的特征恰当且准确地放置所施加的图案。出于此目的，衬底具备一组或更多组对准标记。每个标记均是稍后可以使用位置传感器(通常是光学位置传感器)测量其位置的结构。光刻设备包括一个或更多个对准传感器，可以通过该一个或更多个对准传感器准确地测量衬底上的标记的位置。已知不同类型的标记及不同类型的对准传感器来自不同制造商及同一制造商的不同产品。

3、在其他应用中，量测传感器用于测量衬底上的经曝光结构(在抗蚀剂中和/或在蚀刻之后)。快速且非侵入的形式的专用检查工具是散射仪，其中，将辐射束引导到衬底的表面上的目标上，并且测量散射或反射束的性质。已知的散射仪的示例包括us2006033921a1和us2010201963a1中描述的类型的角分辨散射仪。除了通过重新构造进行特征形状的测量以外，也可以使用此类设备来测量基于衍射的重叠，如已公开的专利申请案us2006066855a1中描述的。使用衍射阶的暗场成像进行的基于衍射的重叠量测使得能够对较小目标进行重叠测量。可以在国际专利申请案wo 2009/078708和wo 2009/106279中找到暗场成像量测的示例，所述申请案的文件以全文引用的方式并入本文中。已经在已公开的专利申请案us20110027704a、us20110043791a、us2011102753a1、us20120044470a、us20120123581a、us20130258310a、us20130271740a和wo2013178422a1中描述了该技术的进一步发展。这些目标可能小于照射光点并且可能被晶片上的产品结构包围。可以使用复合光栅目标在一个图像中测量多个光栅。所有这些申请案的内容也以引用的方式并入本文中。

4、在一些量测应用中(诸如在一些散射仪或对准传感器中)，经常需要能够测量越来越小的目标。然而，对这些小目标的测量经受有限尺寸效应，从而产生测量误差。

5、需要改善对这些小目标的测量。

技术实现思路

1、在第一方面中，本发明提供一种用于测量感兴趣的参数的方法，所述方法包括：获得与在制造阶段期间对生产衬底上的目标进行的测量有关的测量获取数据；获得校准校正数据库和/或已在所述校准校正数据库上训练的经训练模型，所述校准校正数据库和/或所述经训练模型能够操作以校正所述测量获取数据中的效应；使用来自所述校准校正数据库的第一校正数据和/或使用所述经训练模型校正所述测量获取数据中的效应，以便获得针对至少所述效应被校正的经校正测量数据和/或经校正感兴趣的参数；以及利用所述经校正测量数据和/或经校正感兴趣的参数更新所述校准校正数据和/或所述经训练模型。

2、还披露了一种计算机程序、处理器件量测设备以及一种光刻设备，所述光刻设备包括能够操作以执行如第一方面所述的方法的量测装置。

3、将根据以下所描述的示例的考虑因素来理解本发明的以上及其他方面。

技术特征：

1.一种用于测量感兴趣的参数的方法，包括：

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述测量获取数据中的所述效应至少包括有限尺寸效应。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述测量获取数据中的所述效应至少包括与用于获取所述测量获取数据的传感器光学器件有关的传感器效应。

4.如任一前述权利要求所述的方法，其中，针对所测量的每个目标或满足至少一个准则的每个目标执行所述更新步骤。

5.如任一前述权利要求所述的方法，其中，所述更新步骤作为内联更新而被执行，使得经更新的校准校正数据库和/或经更新的经训练模型用于每个后续测量获取。

6.如任一前述权利要求所述的方法，其中，所述校准校正数据库包括针对相对于用于测量所述目标的传感器光学器件的不同目标位置的不同校正数据。

7.如任一前述权利要求所述的方法，包括构建一个或更多个子集校准校正数据库，所述一个或更多个子集校准校正数据库中的每一个包括所述校准校正数据库的一个或更多个适当子集。

8.如任一前述权利要求所述的方法，其中，所述校正步骤包括：

9.如权利要求1至7中任一项所述的方法，包括：将所述经训练模型应用于所述测量获取数据以直接确定所述感兴趣的参数。

10.如任一前述权利要求所述的方法，其中，所述感兴趣的参数是对准位置。

11.如权利要求1至10中任一项所述的方法，其中，所述感兴趣的参数是重叠或焦距。

12.一种计算机程序，包括程序指令，所述程序指令能够操作以当在合适设备上运行时执行如任一前述权利要求所述的方法。

13.一种非暂时性计算机程序载体，包括如权利要求12所述的计算机程序。

14.一种处理布置，包括：

15.一种量测装置，包括如权利要求14所述的处理布置。

16.一种光刻设备，包括如权利要求15所述的量测装置。

17.一种光刻设备，包括：

18.如权利要求17所述的光刻设备，所述光刻设备能够操作以使用所述对准位置的值来控制以下各项中的一项或两项：

技术总结披露了一种用于从目标测量感兴趣的参数的方法及相关联的设备。所述方法包括：获得与在制造阶段期间对生产衬底上的目标进行的测量有关的测量获取数据；获得校准校正数据库和/或已在所述校准校正数据库上训练的经训练模型，所述校准校正数据库和/或所述经训练模型能够操作以校正所述测量获取数据中的效应；使用来自所述校准校正数据库的第一校正数据和/或使用所述经训练模型校正所述测量获取数据中的效应，以便获得针对至少所述效应被校正的经校正测量数据和/或经校正感兴趣的参数；以及利用所述经校正测量数据和/或经校正感兴趣的参数更新所述校准校正数据和/或所述经训练模型。技术研发人员：S·R·胡伊斯曼,塞巴斯蒂安努斯·阿德里安努斯·古德恩,H·J·W·贝尔特,F·阿尔佩吉安尼,I·D·塞缇佳,H·P·M·派勒曼斯受保护的技术使用者：ASML荷兰有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/12