一种X射线光刻机制造及应用方法与流程

背景技术：

1、现芯片制造领域中，光刻机比较先进的有，深紫duv光刻机只能做到25纳米和极紫光刻机能够做到10纳米以下芯片。也有利用x射线做光刻机，但技术不完善效率低至今没有大的突破。最先进的euv光刻机虽先进，但制造技术含量高和极其复杂价格昂贵。

技术实现思路

1、本发明是利用x射线光波短、功率可调用于光刻晶元制做10纳米至皮米级芯片，将掩膜板图案印在晶元上得到高制程集成电路芯片。其特点采用x光光波不可见光波极短的x射线为光源。采用非接触式小孔成像和昆虫复眼成像方法制取低线宽高制程芯片，曝光一次便获得整张晶元所有芯片一致图案，省去了复杂精密的透镜组、激光器光打锡滴制取极紫光、光反射镜系统及抽真空等。采用小孔成像得到实像的方法，将掩膜版图像印在晶原上制得高精度低线宽芯片。克服了透镜组产生偏差。可使掩膜版图案缩小几十倍至几百倍。

2、本发明特点；采用光刻胶或卤化银代替光刻胶。当x光照在涂有感光材料卤化银晶元曝光后，卤化银离子便沉积于晶元二氧化硅绝缘层上，形成导电纳米线，被掩膜版遮光没曝光部分经显影液、停显、定影和纯净水将所有药剂洗掉。将露出部分用干蚀刻或湿刻蚀二氧化硅和硅晶元，刻蚀完成后进行离子注入等其它工序。沉积于二氧化硅绝缘层表面银粒子起到阻挡下面绝缘层被刻蚀，起到光刻胶效果。再涂卤化银再曝光得到字线和位线，连接好字线和位线后便制得10纳米到皮米级芯片。

技术特征：

1.一种非接触x射线投影光刻机制作及应用方法，本机由铅基座(1)，光机机架座(2)，铅外壳(3)调位手柄(4)，调位支架(5)螺母(6)，细丝螺杆(7)晶元座(8)，铅板隔层(9)，多孔板(10)，降温通进风道(11)，支架杆(12)，掩膜板卡槽(13)，光孔铅外罩(14)，x光光管(15)，光球管(16)，降温出风道(17)，等部件所组成的光刻机，其特点用x射线为光源，利用x射线光波短，功率可调，光真线传播，小孔成像，调整整掩膜板与多孔板距离可以得到任何大小实像图案，用铅板和钨合金扳及高密度阻x射线材料板，用粒子束等方法切割图案，并在透x射线板上以粘贴方法制做掩膜板，用阻x射线的铅板或钨合金板上根据晶元制作芯片多少开小孔，使其一次曝光可获整张晶元全部芯片图案，并在多孔板背面贴吸光黑膜以防光亮的晶元产生反射光影响芯片图案，并利用下进风、上出风方法给光刻机内降温，排出光球管及部件吸收x的线产生的热，防止掩膜板，多孔板因吸收射线而产生变形使芯片良率下降，用感光材料卤化银替代光刻胶，经曝光、定影清洗去掉没曝光的卤化银后，用沉积在芯片上的银粒子阻挡覆盖下方二氧化硅介质层和硅基层被刻蚀，并利用沉积银粒子作字线和位线等导线，也可用光刻胶制作。

2.铅板、钨合金扳和高密度材料制做掩膜方法。

3.用阻x射线材料制做多孔扳及小孔成像做芯片图案方法。

4.光刻机制造方法。

技术总结一种利用X射线光波短、功率可调用于光刻晶元，将掩膜板图案复制在晶元上制取高制程芯片的一种装置，其特点采用小孔成像得实像的方法，将透镜组改为多孔成像方法，曝光一次即得整张芯片图案用卤化银和光刻胶均可完成高端芯片制取的装置。技术研发人员：柳保来受保护的技术使用者：柳保来技术研发日：技术公布日：2024/6/2