一种掩膜版、阵列基板的制备方法、显示装置与流程

本申请实施例涉及显示，具体而言，涉及一种掩膜版、阵列基板的制备方法、显示装置。

背景技术：

1、有源驱动电压低，寿命长，适于用于大尺寸和高清晰显示面板。目前常规曝光工艺只能应用于中小尺寸产品的制备，传统tft-lcd曝光工艺，只能做出面板尺寸小于掩膜板的产品，当显示面板的尺寸大于掩膜板时，往往需要通过拼接曝光工艺形成显示面板中的图案化结构。

2、然而，目前在对lcd产品使用拼接曝光工艺时，通常是掩膜机按照同一个掩膜版对基板的多个不同的拼接区域进行一次曝光，导致基板上处于拼接区域的光刻胶薄膜在进行曝光时存在多次曝光的过程，这使得拼接区域在曝光后，其剩余光刻胶的厚度相较于只进行一次曝光的正常区域会偏薄，从而导致拼接区域刻蚀后，对沟道材料造成损伤，进而导致薄膜晶体管开关失效，造成产品出现坏点的不良现象。因此，如何消除因拼接曝光工艺造成的坏点不良现象，成为本领域当前亟待解决的问题。

技术实现思路

1、本申请实施例在于提供一种掩膜版、阵列基板的制备方法、显示装置，旨在解决如何因拼接曝光工艺造成的坏点不良现象的问题。

2、本申请实施例第一方面提供一种掩膜版，包括第一曝光区，以及环绕所述第一曝光区外围的第二曝光区和第三曝光区，所述第二曝光区位于所述第一曝光区与所述第三曝光区之间；

3、所述第一曝光区包括多个第一掩膜图案，所述第二曝光区包括多个第二掩膜图案，不同第一掩膜图案的尺寸大致相同，不同第二掩膜图案的尺寸大致相同，所述第一掩膜图案和所述第二掩膜图案的尺寸不同。

4、在一种可选的实施方式中，所述第三曝光区与所述第二曝光区均为环绕所述第一曝光区的闭合环形区域，且所述第三曝光区的环宽大于所述第二曝光区的环宽。

5、在一种可选的实施方式中，所述掩膜版包括透光区，所述透光区内至少两个位置的透光率不同。

6、在一种可选的实施方式中，所述第一掩膜图案和所述第二掩膜图案均用于形成薄膜晶体管的沟道，所述第一掩膜图案中与沟道宽度对应的尺寸大于所述第二掩膜图案中与沟道宽度对应的尺寸。

7、在一种可选的实施方式中，所述第一掩膜图案和所述第二掩膜图案均用于形成薄膜晶体管的源极和漏极，所述第一掩膜图案中的源极尺寸小于所述第二掩膜图案中的源极尺寸，所述第一掩膜图案中的漏极尺寸小于所述第二掩膜图案中的漏极尺寸。

8、在一种可选的实施方式中，所述第一掩膜图案和所述第二掩膜图案均用于形成栅线和数据线，所述第一掩膜图案中与栅线宽度对应的尺寸小于所述第二掩膜图案中与栅线宽度对应的尺寸，所述第一掩膜图案中与数据线宽度对应的尺寸小于所述第二掩膜图案中与数据线宽度对应的尺寸。

9、本申请实施例第二方面提供一种阵列基板的制备方法，所述制备方法包括：

10、提供衬底；

11、基于第一方面中任意一项所述的掩膜版，对所述衬底进行曝光，得到所述阵列基板，所述阵列基板包括显示区，所述显示区包括阵列排布的多个第一子显示区，以及设置在相邻两个第一子显示区之间的第二子显示区；其中，所述第一子显示区为基于所述掩膜版的第一曝光区进行曝光得到，所述第二子显示区为基于所述掩膜版的第二曝光区进行曝光得到。

12、在一种可选的实施方式中，所述对所述衬底进行曝光，得到所述阵列基板，包括：

13、在所述衬底的一侧依次形成有源层和源漏极层，并在所述源漏极层背离所述衬底的一侧涂覆光刻胶；

14、按照所述多个第一子显示区的位置，基于所述掩膜版对所述光刻胶进行多次曝光处理，形成所述第一子显示区内的第一光刻图案以及所述第二子显示区内的第二光刻图案，其中，所述第一光刻图案中沟道处的光刻胶厚度与所述第二光刻图案中沟道处的光刻胶厚度相同；

15、基于所述第一光刻图案和所述第二光刻图案，对所述源漏极层进行刻蚀处理，形成薄膜晶体管。

16、在一种可选的实施方式中，所述按照所述多个第一子显示区的位置，基于所述掩膜版对所述光刻胶进行多次曝光处理，形成所述第一子显示区内的第一光刻图案以及所述第二子显示区内的第二光刻图案，包括：

17、按照目标第一子显示区的位置，基于所述掩膜版对所述光刻胶进行一次曝光处理，形成位于目标第二子显示区的第二初始光刻图案以及位于所述目标第一子显示区的第一光刻图案，其中，所述第二初始光刻图案中沟道处的光刻胶厚度大于所述第一光刻图案中沟道处的光刻胶厚度，所述目标第一子显示区为任意一个第一子显示区，所述目标第二子显示区为与目标第一子显示区相邻的第二子显示区；

18、按照剩余第一子显示区的位置，基于所述掩膜版对所述光刻胶进行多次曝光处理，形成所述第一光刻图案以及所述第二光刻图案，所述剩余第一子显示区为除所述目标第一子显示区以外的其他第一子显示区。

19、本申请实施例第三方面提供一种显示装置，所述显示装置包括：

20、相对设置的阵列基板以及盖板，所述阵列基板为基于第二方面中任意一项所述的阵列基板的制备方法制备得到的。

21、液晶层，所述液晶层位于所述阵列基板与所述盖板之间。

22、有益效果：

23、本申请提供一种掩膜版、阵列基板的制备方法、显示装置，所述掩膜版包括第一曝光区，以及环绕所述第一曝光区外围的第二曝光区和第三曝光区，所述第二曝光区位于所述第一曝光区与所述第三曝光区之间；所述第一曝光区包括多个第一掩膜图案，所述第二曝光区包括多个第二掩膜图案，不同第一掩膜图案的尺寸大致相同，不同第二掩膜图案的尺寸大致相同，所述第一掩膜图案和所述第二掩膜图案的尺寸不同。

24、本申请通过在制备阵列基板的掩膜版上设置第二曝光区，且第二曝光区内第二掩膜图案的尺寸与第一曝光区内第一掩膜图案的尺寸不同，从而使在进行拼接曝光工艺过程中，基于掩膜版的第一曝光区中的第一掩膜图案和第二曝光区中的第二掩膜图案进行曝光时，形成厚度不同的光刻胶，从而有效降低曝光处理完成后的光刻胶厚度差异，消除坏点不良现象。

技术特征：

1.一种掩膜版，其特征在于，包括第一曝光区，以及环绕所述第一曝光区外围的第二曝光区和第三曝光区，所述第二曝光区位于所述第一曝光区与所述第三曝光区之间；

2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第三曝光区与所述第二曝光区均为环绕所述第一曝光区的闭合环形区域，且所述第三曝光区的环宽大于所述第二曝光区的环宽。

3.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版包括透光区，所述透光区内至少两个位置的透光率不同。

4.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一掩膜图案和所述第二掩膜图案均用于形成薄膜晶体管的沟道，所述第一掩膜图案中与沟道宽度对应的尺寸大于所述第二掩膜图案中与沟道宽度对应的尺寸。

5.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一掩膜图案和所述第二掩膜图案均用于形成薄膜晶体管的源极和漏极，所述第一掩膜图案中的源极尺寸小于所述第二掩膜图案中的源极尺寸，所述第一掩膜图案中的漏极尺寸小于所述第二掩膜图案中的漏极尺寸。

6.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一掩膜图案和所述第二掩膜图案均用于形成栅线和数据线，所述第一掩膜图案中与栅线宽度对应的尺寸小于所述第二掩膜图案中与栅线宽度对应的尺寸，所述第一掩膜图案中与数据线宽度对应的尺寸小于所述第二掩膜图案中与数据线宽度对应的尺寸。

7.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述对所述衬底进行曝光，得到所述阵列基板，包括：

9.根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述按照所述多个第一子显示区的位置，基于所述掩膜版对所述光刻胶进行多次曝光处理，形成所述第一子显示区内的第一光刻图案以及所述第二子显示区内的第二光刻图案，包括：

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：

技术总结本申请提供一种掩膜版、阵列基板的制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，所述掩膜版包括第一曝光区，以及环绕所述第一曝光区外围的第二曝光区和第三曝光区，所述第二曝光区位于所述第一曝光区与所述第三曝光区之间；所述第一曝光区包括多个第一掩膜图案，所述第二曝光区包括多个第二掩膜图案，不同第一掩膜图案的尺寸大致相同，不同第二掩膜图案的尺寸大致相同，所述第一掩膜图案和所述第二掩膜图案的尺寸不同。技术研发人员：江阔,葛杨,张鹏曲,李嘉鹏,夏永红,刘琨,田露受保护的技术使用者：北京京东方光电科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/5