用于套刻误差量测的采样优化方法、装置、电子设备和存储介质与流程

本发明涉及半导体，尤其涉及一种用于套刻误差量测的采样优化方法、装置、电子设备和存储介质。

背景技术：

1、芯片是信息技术的基石，随着电子信息产业发展，人们对于芯片的需求越来越大。随着集成电路产业的不断发展，现阶段先进光刻工艺已实现了3nm的量产，同时对于套刻误差的控制精度要求也逐步提高。套刻误差是指光刻过程中当前层与前层之间的偏移量，一般要求控制在关键线宽的1/3以内。套刻标识的设计、量检测方法、套刻误差补偿方式等均会对套刻误差的控制产生影响，且随着对套刻要求的不断提高，晶圆厂从使用线性补偿模型逐步过渡到高阶模型，以提升对套刻误差的补偿能力，但是高阶模型需要更多的量测数据进行建模，其势必影响到晶圆厂的产能，另外，晶圆套刻误差量测时不同的采样方案也会对结果产生一定的影响，为了在有限的量测数量的情况下获得更好的套刻误差表征能力，对于采样方案的选择显得尤为重要。

2、目前的采样方案主要是：通过晶圆厂工艺人员随机选取曝光场的方法确定量测位置和数量。这种采样方案无法保证采样数量和位置是最佳的。

技术实现思路

1、本发明提供了一种用于套刻误差量测的采样优化方法、装置、电子设备和存储介质。

2、根据本发明的另一方面，提供了一种用于套刻误差量测的采样优化方法，包括：

3、针对晶圆上的曝光场，获取通过密集采样方式确定的各曝光场的套刻误差量测数据；

4、利用所述套刻误差量测数据确定预设的套刻误差补偿模型的参考修正量；

5、循环执行如下步骤，直到所述晶圆中被剔除的曝光场的数量等于预设数量值：根据所述晶圆中当前剩余的曝光场，确定候选曝光场剔除方案，其中，每个候选曝光场剔除方案中包括待剔除的候选曝光场；针对每个候选曝光场剔除方案，利用所述晶圆中除候选曝光场外的其他曝光场的套刻误差量测数据，确定所述套刻误差补偿模型的候选修正量；根据每个候选曝光场剔除方案各自对应的候选修正量，结合所述参考修正量，从候选曝光场剔除方案中选出最佳曝光场剔除方案；将所述最佳曝光场剔除方案所包括的目标曝光场从所述晶圆中剔除，并返回执行根据所述晶圆中当前剩余的曝光场，确定候选曝光场剔除方案的操作；

6、根据所述晶圆中剩余的曝光场，确定量测套刻误差时的最佳曝光场采样方案。

7、根据本发明的另一方面，提供了一种用于套刻误差量测的采样优化装置，包括：

8、数据获取模块，用于针对晶圆上的曝光场，获取通过密集采样方式确定的各曝光场的套刻误差量测数据；

9、参考修正模块，用于利用所述套刻误差量测数据确定预设的套刻误差补偿模型的参考修正量；

10、循环处理模块，用于循环执行如下步骤，直到所述晶圆中被剔除的曝光场的数量等于预设数量值：根据所述晶圆中当前剩余的曝光场，确定候选曝光场剔除方案，其中，每个候选曝光场剔除方案中包括待剔除的候选曝光场；针对每个候选曝光场剔除方案，利用所述晶圆中除候选曝光场外的其他曝光场的套刻误差量测数据，确定所述套刻误差补偿模型的候选修正量；根据每个候选曝光场剔除方案各自对应的候选修正量，结合所述参考修正量，从候选曝光场剔除方案中选出最佳曝光场剔除方案；将所述最佳曝光场剔除方案所包括的目标曝光场从所述晶圆中剔除，并返回执行根据所述晶圆中当前剩余的曝光场，确定候选曝光场剔除方案的操作；

11、采样方案确定模块，用于根据所述晶圆中剩余的曝光场，确定量测套刻误差时的最佳曝光场采样方案。

12、根据本发明的另一方面，提供了一种电子设备，所述电子设备包括：

13、至少一个处理器；以及

14、与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，

15、所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的计算机程序，所述计算机程序被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行本发明实施例所述的用于套刻误差量测的采样优化方法。

16、根据本发明的另一方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使处理器执行时实现本发明实施例所述的用于套刻误差量测的采样优化方法。

17、本发明实施例的技术方案，基于已有的套刻误差量测数据，确定最贴合其工艺特征的采样方案，相比于通过人工随机采样的方式，可以保证确定的采样位置和数量准确性，进而提升套刻误差的控制能力。

18、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。

技术特征：

1.一种用于套刻误差量测的采样优化方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述套刻误差量测数据包括曝光场内的坐标位置、曝光场间的坐标位置和相应位置上套刻标识所表征的套刻误差的测量值数据；

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述晶圆中当前剩余的曝光场，确定候选曝光场剔除方案，包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述晶圆中曝光场分布特征包括如下：

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括：

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据每个候选曝光场剔除方案各自对应的候选修正量，结合所述参考修正量，从候选曝光场剔除方案中选出最佳曝光场剔除方案，包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，根据每个候选曝光场剔除方案各自对应的候选修正量，结合所述参考修正量，确定每个候选曝光场剔除方案的评价参数，包括：

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

9.一种用于套刻误差量测的采样优化装置，其特征在于，包括：

10.一种电子设备，其特征在于，包括：

11.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使处理器执行时实现权利要求1-8中任一项所述的方法。

技术总结本发明公开一种用于套刻误差量测的采样优化方法、装置、电子设备和存储介质。方法包括：获取晶圆上各曝光场的套刻误差量测数据；利用套刻误差量测数据确定套刻误差补偿模型的参考修正量；根据晶圆中当前剩余的曝光场，确定候选曝光场剔除方案；利用晶圆中除候选曝光场外的其他曝光场的套刻误差量测数据，确定套刻误差补偿模型的候选修正量；根据每个候选曝光场剔除方案各自对应的候选修正量，结合参考修正量，从候选曝光场剔除方案中选出最佳曝光场剔除方案；将最佳曝光场剔除方案所包括的目标曝光场从晶圆中剔除，返回执行确定候选曝光场剔除方案的操作；根据晶圆中剩余的曝光场，确定最佳曝光场采样方案。本发明可保证采样位置和数量准确性。技术研发人员：仝怡,韦亚一,张利斌受保护的技术使用者：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院技术研发日：技术公布日：2024/6/13