EBAPS管壳填铟前的清洁方法与流程

本技术涉及ebaps器件生产，特别是一种ebaps管壳填铟前的清洁方法。

背景技术：

1、ebaps即电子轰击有源像素mmos芯片4’，是一种微光真空器件和半导体器件相结合的新型微光夜视成像器件。参见图1，它是用mmos芯片4’取代像增强器中的微通道板和荧光屏，再将阴极环2’和陶瓷基座1’通过钎焊形成ebaps管壳，mmos芯片4’焊接在该管壳内，阴极环2’顶面上设置一圈环形凹槽，在凹槽内填满铟锡合金3’，并加热融化铟锡合金3’(简称填铟化铟)，光电阴极制作完成后，在铟锡合金3’熔融状态下(约120～130℃)，将光电阴极组件传递至ebaps管壳上通过铟锡合金3’与管壳气密封接为一体。阴极窗口5’罩设于mmos芯片4’上，与mmos芯片4’上相距一定距离。阴极窗口5’封装于铟锡合金3’上。

2、现有工艺中，在ebaps管壳阴极环2’和陶瓷基座1’封接完成后，需对管壳的焊盘、管壳插针进行镀镍和镀金处理，管壳镀金后，阴极环2’所有外露表面需同时镀上一层均匀厚度的金膜层。现有的清洁工艺为：用10％浓度中性洗涤剂pgx-01(与纯水混合液)浸泡16小时并超声清洗10分钟，然后用50～87.5％的盐酸(和去离子水混合液)擦拭填铟槽，并用无水乙醇超声清洗10分钟，最后在80℃烘箱中烘干。由于金在铟锡合金3’表面的浸润性较好，铟锡合金3’更易在化铟时向此类管壳的内外侧流淌，导致铟槽内的铟减少，同时流淌到铟槽内外的铟使管壳内外尺寸改变，导致后道工序清洗架不能正常使用，严重影响化铟质量，难以彻底清理干净，直接进行后续操作，容易导致ebaps管壳化铟后管壳的废品率增高。

3、为了避免化铟时，铟锡合金3’往填铟槽内外侧流淌，另一种现有处理方法为在ebaps管壳电镀前，用g-3可剥性保护胶涂覆阴极环2’外露表面，确保其不镀上镀层材料，待管壳整体电镀完成后，再将阴极环2’上的保护胶去除，相应的清洁工艺为：先将管壳在甲苯中浸泡2小时，再用10％浓度中性洗涤剂pgx-01(与纯水混合液)浸泡16小时，并超声清洗10分钟，然后用50～87.5％的盐酸(和去离子水混合液)擦拭填铟槽并用无水乙醇超声清洗10分钟，最后在80℃烘箱中烘干。

4、经过上述两种不同的清洗方案清洗的管壳，均存在在填铟化铟过程中，由于对阴极环清洗不彻底，残留的保护胶和其他污渍导致阴极环和铟锡合金3’的浸润性不好，进而导致化铟后出现铟锡合金3’不连续，流淌不均匀，空洞大等问题，严重影响化铟效果。

5、公开于背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域普通技术人员所公知的现有技术。

技术实现思路

1、本技术针对上述技术问题提供了一种ebaps管壳填铟前的清洁方法，该方法处理后管壳化铟的合格率可以由之前的52％提高到93％以上，能大幅度提高填铟化铟的良品率。

2、本技术提供了一种ebaps管壳填铟前的清洁方法，包括以下步骤：

3、步骤s1：将填铟操作前的待清洗ebaps管壳依序通过第一清洗液、第二清洗液、第三清洗液、第四清洗液、第五清洗液、第六清洗液处理后，烘干；

4、第一清洗液由：a溶剂和去离子水按照体积比为80～100:20～0组成，其中a溶剂为二甲苯、三氯甲烷、丁酮中的至少一种；

5、第二清洗液为氢氧化钠、rbs洗涤剂和去离子水按照体积比为2～5:8～5:90～140混合得到，所得混合溶液中氢氧化钠的体积浓度为1.33％～5％，rbs质量浓度为3.33～8％；

6、第三清洗液为rbs洗涤剂和去离子水按照体积比为0.5～4：99.5～96比例配置得到，所得混合溶液中rbs体积浓度为0.5％～4％；

7、第四清洗液为盐酸和去离子水按照体积比为50～87.5:50～12.5比例配置，所得混合溶液中盐酸体积浓度为50％～87.5％；

8、第五清洗液为盐酸、硝酸和去离子水按照体积比为25～30:15～10：60～90比例配置得到，所得混合溶液中盐酸体积浓度为19.2～33.3％，所得混合溶液中硝酸体积浓度为7.7～16.7％；

9、第六清洗液为盐酸、过氧化氢和去离子水按照体积比为6～10:24～20：60～90比例配置得到，所得混合溶液中盐酸体积浓度为5％～11.1％，所得混合溶液中过氧化氢体积浓度为16.7％～26.7％。

10、优选地，待清洗ebaps管壳安装于清洗架上在各清洗液之间转运；清洗架包括：卡框、支撑板、提手；卡框内设置通槽；卡框相对内侧壁上开设卡槽；待清洗ebaps管壳两侧卡接于卡槽内；ebaps管壳的底板支撑设置于支撑板上；支撑板两端分别与卡框底面两端相连接；提手一端与支撑板中部相连接，另一端垂直伸出卡框设置。

11、优选地，将待清洗ebaps管壳浸泡于第一清洗液中6～8h进行处理；浸泡时，第一清洗液的液面高于ebaps管壳顶面至少15mm。

12、优选地，采用第二清洗液处理时，将经过第一清洗液处理的ebaps管壳浸入第二清洗液后进行超声波处理10～30分钟；超声处理时，第二清洗液的液面高于ebaps管壳顶面至少15mm。

13、优选地，采用第三清洗液处理时，包括以下步骤：

14、1)用流动的纯水冲洗经过第二清洗液处理的ebaps管壳10～60分钟后，将该ebaps管壳浸入去离子水中进行超声波处理10～30分钟，超声处理时，去离子水的液面高于ebaps管壳顶面至少15mm；。

15、2)将经过步骤1)处理的ebaps管壳浸入第三清洗液中浸泡12～15小时，浸泡时，第三清洗液的液面高于ebaps管壳顶面至少15mm，浸泡后再进行超声波处理10～30分钟。

16、优选地，采用第四清洗液处理时，将第三清液处理后的ebaps管壳浸入温度在55℃～70℃之间的第四清洗液中1～5分钟后，采用流动的纯水冲洗5～10分钟；

17、浸泡时，第四清洗液的液面高于ebaps管壳顶面至少80mm，并在第四清洗液中缓慢上、下移动ebaps管壳2～3次。

18、优选地，采用第五清洗液处理时，将第四清液处理后的ebaps管壳，浸入第五清洗液中15～50秒后，采用流动的纯水冲洗5～10分钟；

19、浸泡时，第五清洗液的液面高于ebaps管壳顶面至少40mm，并在第五清洗液中缓慢上、下移动ebaps管壳1～2次。

20、优选地，采用第六清洗液处理时，将第五清液处理后的ebaps管壳，，浸入第六清洗液中10～25秒后，采用流动的纯水冲洗10～30分钟；

21、浸泡时，第六清洗液的液面高于ebaps管壳顶面至少20mm，并在第五清洗液中缓慢上、下移动ebaps管壳1～2次。

22、优选地，还包括：在烘干前采用分析纯乙醇浸泡ebaps管壳并超声处理20～30分钟；乙醇液面高于ebaps管壳顶面至少15mm；

23、优选地，烘干条件为：在50～100℃的烘箱中烘烤30分钟。

24、优选地，ebaps管壳为ebaps管壳、微光像增强器用金属件或微光像增强器用管壳体。

25、优选地，还包括：步骤s2：放大检查所得ebaps管壳的阴极环表面是否满足表面色泽均匀，整体纹理一致，无残留污物的要求，如果满足要求则完成清洗，否则，返回至第五清洗液、第六清洗液直至满足要求。

26、本技术能产生的有益效果包括：

27、1)本技术所提供的ebaps管壳填铟前的清洁方法，该方法可从根本上克服管壳清洗后化铟效果不好的问题，满足ebaps制管工艺的要求。该方法可有效避免ebaps管壳填铟化铟后出现气孔、空洞及不连续现象表面，有利于提高后续处理或所得器件的合格率。

28、2)本技术所提供的ebaps管壳填铟前的清洁方法，通过实际应用证明该方法能够较好的完成ebaps管壳化铟前的清洁，目测看，清洗前管壳阴极环发暗，清洗后，管壳阴极环带有明显的金属光泽，发亮，说明表面污物已得到完全清理，处理后管壳化铟的合格率可以由之前的52％提高到93％以上，能大幅度提高填铟化铟的良品率。