一种多孔陶瓷雾化片的制备方法与流程

本申请涉及雾化片制备，更具体地，涉及一种多孔陶瓷雾化片的制备方法。

背景技术：

1、超声雾化是一种将液体工质通过超声波振动转化为微小液滴的过程。然而，传统的超声雾化方法往往面临着液滴粒径分布宽、能量转化效率低等问题。多孔陶瓷雾化片具有高比表面积、规则的孔道结构以及良好的热稳定性等特点，已被广泛应用于气体分离、催化反应、微电子等领域。

2、多孔陶瓷雾化片通常通过磁控溅射法与溶胶-凝胶法，现有制备方法生产的多孔陶瓷雾化片其表面孔径的尺寸分布较广，表面形貌差且不可控的问题。

技术实现思路

1、本申请实施例所要解决的技术问题是现有制备方法生产的多孔陶瓷雾化片其表面孔径的尺寸分布较广，表面形貌差且不可控的问题。

2、为了解决上述技术问题，本申请实施例提供一种多孔陶瓷雾化片的制备方法，采用了如下所述的技术方案：

3、一种多孔陶瓷雾化片的制备方法，包括以下步骤：

4、提供基板；

5、在所述基板上沉积有机金属纳米薄层；

6、对所述基板进行煅烧处理，使所述有机金属纳米薄层转化为多孔金属氧化物薄层，得到多孔陶瓷雾化片。

7、进一步的，所述在所述基板上沉积有机金属纳米薄层的步骤之前，还包括以下步骤：

8、采用清洗溶液对所述基板进行清洗。

9、进一步的，所述清洗溶液选自去离子水或有机溶剂中的至少一种；其中，所述有机溶剂选自乙醇、异丙醇、氯仿或丙酮中的至少一种；和/或

10、所述基板的材料选自氧化锆、氧化铝、氧化锌或碳化硅中的其中一种。

11、进一步的，所述在所述基板上沉积有机金属纳米薄层的步骤，具体包括以下步骤：

12、将所述基板置于分子层沉积设备的反应腔中；

13、依次向所述分子层沉积设备的反应腔中通入金属前驱体与有机物前驱体，在所述基板上形成有机金属纳米薄层。

14、进一步的，重复所述依次向所述分子层沉积设备中通入金属前驱体与有机物前驱体的步骤至少两次，在所述基板上形成至少两层所述有机金属纳米薄层。

15、进一步的，所述分子层沉积设备的反应腔的温度为100℃～300℃；和/或

16、所述金属前驱体的通入流量为20sccm～200sccm；和/或

17、所述有机物前驱体的通入流量为20sccm～200sccm。

18、进一步的，所述有机金属纳米薄层的厚度为0.06nm～0.12nm。

19、进一步的，所述金属前驱体的选自铝前驱体、钛前驱体、锆前驱体与锌前驱体中的至少一种，其中，所述铝前驱体选自三甲基铝；所述钛前驱体选自卤化钛；所述锆前驱体选自硝酸锆、醋酸锆、卤化锆与二乙基锆中的至少一种；所述锌前驱体选自硝酸锌、醋酸锌、卤化锌与二乙基锌中的至少一种；和/或

20、所述有机物前驱体选自二元醇或多元醇，其中，所述二元醇选自乙二醇、丙二醇与丁二醇中的至少一种；所述多元醇为丙三醇、三羟甲基乙烷、季戊四醇、木糖醇与山梨醇中的至少一种；和/或

21、所述有机金属纳米薄层的材料选自有机铝、有机钛、有机锆与有机锌中的至少一种。

22、进一步的，所述煅烧处理的温度为200℃～500℃；和/或

23、所述煅烧处理在真空、空气、氧气或惰性气氛下进行。

24、进一步的，所述多孔金属氧化物薄层的孔径12μm～14μm。

25、与现有技术相比，本申请实施例主要有以下有益效果：

26、本申请提供的多孔陶瓷雾化片的制备方法采用了沉积的方式在基板上制备有机金属纳米薄层，使沉积物质能够以单分子膜的形式逐层沉积在基板表面，使得多孔陶瓷雾化片的厚度可控；在完成沉积后，通过煅烧处理，使有机金属纳米薄层去除有机成分，转化成多孔金属氧化物薄层，改变多孔陶瓷雾化片的表面性质，从而提高雾化的效率和均匀性，大幅延长了多孔陶瓷雾化片的使用寿命；本申请通过沉积与煅烧的配合，使得多孔陶瓷雾化片的形貌尺寸精密可控且性能可调。

技术特征：

1.一种多孔陶瓷雾化片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的多孔陶瓷雾化片的制备方法，其特征在于，所述在所述基板上沉积有机金属纳米薄层的步骤之前，还包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的多孔陶瓷雾化片的制备方法，其特征在于，所述清洗溶液选自去离子水或有机溶剂中的至少一种；其中，所述有机溶剂选自乙醇、异丙醇、氯仿或丙酮中的至少一种；和/或

4.根据权利要求1所述的多孔陶瓷雾化片的制备方法，其特征在于，所述在所述基板上沉积有机金属纳米薄层的步骤，具体包括以下步骤：

5.根据权利要求4所述的多孔陶瓷雾化片的制备方法，其特征在于，重复所述依次向所述分子层沉积设备中通入金属前驱体与有机物前驱体的步骤至少两次，在所述基板上形成至少两层所述有机金属纳米薄层。

6.根据权利要求4所述的多孔陶瓷雾化片的制备方法，其特征在于，所述分子层沉积设备的反应腔的温度为100℃～300℃；和/或

7.根据权利要求4或5所述的多孔陶瓷雾化片的制备方法，其特征在于，所述有机金属纳米薄层的厚度为0.06nm～0.12nm。

8.根据权利要求4～6任一项所述的多孔陶瓷雾化片的制备方法，其特征在于，所述金属前驱体的选自铝前驱体、钛前驱体、锆前驱体与锌前驱体中的至少一种，其中，所述铝前驱体选自三甲基铝；所述钛前驱体选自卤化钛；所述锆前驱体选自硝酸锆、醋酸锆、卤化锆与二乙基锆中的至少一种；所述锌前驱体选自硝酸锌、醋酸锌、卤化锌与二乙基锌中的至少一种；和/或

9.根据权利要求1所述的多孔陶瓷雾化片的制备方法，其特征在于，所述煅烧处理的温度为200℃～500℃；和/或

10.根据权利要求1所述的多孔陶瓷雾化片的制备方法，其特征在于，所述多孔金属氧化物薄层的孔径12μm～14μm。

技术总结本申请属于雾化片制备技术领域，涉及一种多孔陶瓷雾化片的制备方法，包括以下步骤：提供基板；在基板上沉积有机金属纳米薄层；对基板进行煅烧处理，使有机金属纳米薄层转化为多孔金属氧化物薄层，得到多孔陶瓷雾化片。本申请提供的技术方案能够改善多孔陶瓷雾化片的形貌。技术研发人员：陈何,张倩,赵波洋,赵贯云受保护的技术使用者：东莞市吉纯生物技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/19