一种陶瓷表面镀纳米金的制备方法与流程
- 国知局
- 2024-06-20 12:43:08
本发明属于制陶,具体涉及一种陶瓷表面镀纳米金的制备方法。
背景技术:
1、高档的陶瓷制品,大多采用贵金属装饰,目前在陶瓷表面进行金的装饰工艺主要有电镀工艺,鎏金工艺,金水工艺,烫金工艺,金膏工艺等,但目前这些工艺的方法都有些缺点,比如电镀工艺制备的金层结合力差,鎏金工艺制备的金层存在重金属污染,金水工艺制备的金层存在金属有机物黑点等。此外,目前的工艺方法无法制备高纯度的金层和纳米金。随着科技的发展和人们生活水平的提高,人们的健康意识不断增强,对于陶瓷表面镀金层的要求也不断提高,同时对于陶瓷的功能性也要求越来越高。贵金属纳米材料具有广谱抗菌性,且具有一定降毒作用,可以有效吸附氰化物。因此开发一款可抗菌降毒的纳米金陶瓷制备工艺方法至关重要。
2、发明人发现,现有的陶瓷表面进行金的装饰工艺方法,有重金属污染,成本高,效果差,无法在陶瓷表面制备高纯度的金层和纳米金。
3、公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解,而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种陶瓷表面镀纳米金的制备方法。
2、为实现上述目的,本发明提供了如下技术方案:
3、一种陶瓷表面镀纳米金的制备方法,包括以下步骤:
4、s1.在已烧成的陶瓷表面涂覆金水后退火制备过渡层;
5、s2.在已形成过渡层的陶瓷表面通过真空蒸镀制备纳米金;
6、s3.对已形成纳米金的陶瓷进行真空退火,提高镀金层结合力,制得成品。
7、作为优选,步骤s1中,退火温度为500-900℃,退火时间为40-100min。
8、作为优选,步骤s2中,采用金属金为靶材,室温下将电子束蒸发镀膜机腔室抽真空至2×10-4pa-2×10-5pa,样品台旋转速率1-20r/min,金属金的沉积速率0.1-10a/s,在陶瓷普通镀金层的表面沉积厚度为50-3000nm的纳米金。
9、作为优选,步骤s3中,退火温度为250-400℃,退火时间为0.5-3h。
10、作为优选,所述陶瓷表面蒸镀纳米金可以降低溶液中氰化物的浓度。
11、本发明还提供了一种可降毒的纳米金陶瓷,由所述陶瓷表面镀纳米金的制备方法制备得到。
12、与现有技术相比,本发明具有如下有益效果:
13、(1)本发明陶瓷表面镀纳米金的制备方法,通过巧妙利用金水技术制备过渡层,结合真空蒸镀技术,在陶瓷表面可形成高纯度纳米金。
14、(2)本发明陶瓷表面镀纳米金,没有重金属污染,无金属有机物黑点瑕疵,光泽度更好,品质更高。
15、(3)本发明制备的纳米金陶瓷可以降低溶液中氰化物的浓度,具有具有抗菌降毒效果,适用于高端日用陶瓷领域。
技术特征:1.一种陶瓷表面镀纳米金的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的陶瓷表面镀纳米金的制备方法,其特征在于,步骤s1中,退火温度为500-900℃,退火时间为40-100min。
3.根据权利要求1所述的陶瓷表面镀纳米金的制备方法,其特征在于,步骤s2中,采用金属金为靶材,室温下将电子束蒸发镀膜机腔室抽真空至2×10-4pa-2×10-5pa,样品台旋转速率1-20r/min,金属金的沉积速率0.1-10a/s,在陶瓷普通镀金层的表面沉积厚度为50-3000nm的纳米金。
4.根据权利要求1所述的陶瓷表面镀纳米金的制备方法,其特征在于,步骤s3中,退火温度为250-400℃,退火时间为0.5-3h。
5.根据权利要求1所述的陶瓷表面镀纳米金的制备方法,其特征在于,所述陶瓷表面蒸镀纳米金可以降低溶液中氰化物的浓度。
6.一种可降毒的纳米金陶瓷,其特征在于,由权利于要求1-5任一项所述陶瓷表面镀纳米金的制备方法制备得到。
技术总结本发明属于制陶技术领域,具体涉及一种陶瓷表面镀纳米金的制备方法。一种陶瓷表面镀纳米金的制备方法,包括以下步骤:S1.在已烧成的陶瓷表面涂覆金水后退火制备过渡层;S2.在已形成过渡层的陶瓷表面通过真空蒸镀制备纳米金;S3.对已形成纳米金的陶瓷进行真空退火,提高镀金层结合力,制得成品。本发明陶瓷表面镀纳米金的制备方法,通过巧妙利用金水技术制备过渡层,结合真空蒸镀技术,在陶瓷表面可形成高纯度纳米金。其次,本发明陶瓷表面镀纳米金,没有重金属污染,无金属有机物黑点瑕疵,光泽度更好,品质更高。另外,本发明制备的纳米金陶瓷可以降低溶液中氰化物的浓度,具有具有抗菌降毒效果,适用于高端日用陶瓷领域。技术研发人员:李世林,凌云汉,陈诚,林鹰,麦胜勇受保护的技术使用者:广西三环高科拉曼芯片技术有限公司技术研发日:技术公布日:2024/5/27本文地址:https://www.jishuxx.com/zhuanli/20240619/6566.html
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