SCM-53分子筛及其制备方法和应用与流程

本发明涉及分子筛领域，具体涉及一种scm-53分子筛及其制备方法和应用。

背景技术：

1、沸石分子筛是一类具有由初级结构单元to4([sio4]、[alo4]或[po4]等)四面体通过共享顶点形成的三维四链接骨架结构的无机晶体微孔材料。to4四面体通过氧桥连接成多样的次级结构，次级结构按照不同的链接方式形成链状结构和结构构筑单元，最后构筑成不同的沸石分子筛拓扑结构。

2、沸石分子筛材料的特定结构具有特定的粉末x-射线衍射(xrd)谱图。粉末xrd谱图中峰的位置、相对强度和宽度与物质的化学组成、晶粒大小和形状有关。具有相同拓扑结构的不同沸石分子筛的晶胞参数可能会有差异，粉末xrd图可能会略有不同。

3、同时，具有相同拓扑结构的沸石分子筛，一般具有相同的粉末xrd谱图特征，但因化学组成的不同，可归属和命名为不同的沸石分子筛材料。典型的例子如，具有相同mfi拓扑结构的沸石分子筛材料zsm-5和ts-1，两种材料具有相同的粉末xrd谱学特性，但骨架结构化学组成不同，它们是两种不同的沸石分子筛材料。zsm-5沸石分子筛材料的骨架结构组成元素为si、al、o，主要应用于酸催化领域，而ts-1沸石分子筛材料的骨架结构组成元素为si、ti、o，主要应用于催化氧化过程。

4、沸石分子筛具有良好的水热稳定性、可调的孔道直径和孔道形状、以及可变的孔道化学组成，这些特性使得沸石分子筛材料在吸附、分离、催化、微电子、和医疗诊断等领域有着广泛的应用。因此，合成具有特殊骨架结构的分子筛一直是分子筛领域最重要的研究方向之一。

技术实现思路

1、本发明提供了一种全新的硅铝酸盐分子筛scm-53，其是一种无锗的、高硅的分子筛材料，具有非常重要的应用价值。

2、在第一方面，本发明提供scm-53分子筛的x-射线衍射谱图包括2θ为4.363°±0.30°，8.940°±0.30°，12.08°±0.30°以及26.09°±0.30°的衍射峰中的一个或多个。

3、在一些实施方式中，scm-53分子筛的x-射线衍射谱图包括2θ为4.363°±0.03°、4.363°±0.05°、4.363°±0.07°、4.363°±0.1°、4.363°±0.13°、4.363°±0.15°、4.363°±0.17°、4.363°±0.2°、4.363°±0.23°、4.363°±0.25°或4.363°±0.27°的衍射峰。

4、在一些实施方式中，scm-53分子筛的x-射线衍射谱图包括2θ为8.940°±0.03°、8.940°±0.05°、8.940°±0.07°、8.940°±0.1°、8.940°±0.13°、8.940°±0.15°、8.940°±0.17°、8.940°±0.2°、8.940°±0.23°、8.940°±0.25°或8.940°±0.27°的衍射峰。

5、在一些实施方式中，scm-53分子筛的x-射线衍射谱图包括2θ为12.08°±0.03°、12.08°±0.05°、12.08°±0.07°、12.08°±0.1°、12.08°±0.13°、12.08°±0.15°、12.08°±0.17°、12.08°±0.2°、12.08°±0.23°、12.08°±0.25°或12.08°±0.27°的衍射峰。

6、在一些实施方式中，scm-53分子筛的x-射线衍射谱图包括2θ为26.09°±0.03°、26.09°±0.05°、26.09°±0.07°、26.09°±0.1°、26.09°±0.13°、26.09°±0.15°、26.09°±0.17°、26.09°±0.2°、26.09°±0.23°、26.09°±0.25°或26.09°±0.27°的衍射峰。

7、在一些实施方式中，4.363°±0.30°和/或26.09°±0.30°处的衍射峰强度大于8.940°±0.30°和/或12.08°±0.30°处的衍射峰强度。

8、在一些实施方式中，4.363°±0.30°处的衍射峰强度大于26.09°±0.30°处的衍射峰强度。

9、在一些实施方式中，4.363°±0.30°处的衍射峰强度小于26.09°±0.30°处的衍射峰强度。

10、在一些实施方式中，scm-53分子筛的x-射线衍射谱图中，2θ为4.363°±0.30°的衍射峰为最强峰。

11、在一些实施方式中，scm-53分子筛的x-射线衍射谱图中，2θ为26.09°±0.30°的衍射峰为最强峰。

12、在一些实施方式中，所述scm-53分子筛的x-射线衍射谱图还包括2θ为14.48°±0.30°，18.42°±0.50°和23.05°±0.30°的衍射峰中的一个或多个。

13、在一些实施方式中，所述scm-53分子筛的x-射线衍射谱图还包括2θ为14.48°±0.03°、14.48°±0.05°、14.48°±0.07°、14.48°±0.1°、14.48°±0.13°、14.48°±0.15°、14.48°±0.17°、14.48°±0.2°、14.48°±0.23°、14.48°±0.25°或14.48°±0.27°的衍射峰。

14、在一些实施方式中，所述scm-53分子筛的x-射线衍射谱图还包括2θ为18.42°±0.03°、18.42°±0.05°、18.42°±0.07°、18.42°±0.1°、18.42°±0.13°、18.42°±0.15°、18.42°±0.17°、18.42°±0.2°、18.42°±0.23°、18.42°±0.25°、18.42°±0.27°、18.42°±0.3°、18.42°±0.33°、18.42°±0.35°、18.42°±0.37°、18.42°±0.4°、18.42°±0.43°、18.42°±0.45°或18.42°±0.47°的衍射峰。

15、在一些实施方式中，所述scm-53分子筛的x-射线衍射谱图还包括2θ为23.05°±0.03°、23.05°±0.05°、23.05°±0.07°、23.05°±0.1°、23.05°±0.13°、23.05°±0.15°、23.05°±0.17°、23.05°±0.2°、23.05°±0.23°、23.05°±0.25°或23.05°±0.27°的衍射峰。

16、在一些实施方式中，所述scm-53分子筛的x-射线衍射谱图包括表a所示的衍射峰：

17、表a

18、 2θ <![cdata[相对强度(i/i₀×100)]]> 4.363°±0.30° s-vs 8.940°±0.30° m-s 12.08°±0.30° m-s 26.09°±0.30° vs

19、。

20、在一些实施方式中，所述scm-53分子筛的x-射线衍射谱图包括表a-1所示的衍射峰：

21、表a-1

22、 2θ <![cdata[相对强度(i/i₀×100)]]> 4.363°±0.30° vs 8.940°±0.30° m-s 12.08°±0.30° m-s 26.09°±0.30° s-vs

23、。

24、在一些实施方式中，所述scm-53分子筛的x-射线衍射谱图包括表a-2所示的衍射峰：

25、表a-2

26、 2θ <![cdata[相对强度(i/i₀×100)]]> 4.363°±0.30° 95-100 8.940°±0.30° 35-55 12.08°±0.30° 35-50 26.09°±0.30° 90-100

27、。

28、在一些实施方式中，所述scm-53分子筛的x-射线衍射谱图包括表b所示的衍射峰：

29、表b

30、 2θ <![cdata[相对强度(i/i₀×100)]]> 4.363°±0.30° s-vs 8.940°±0.30° m-s 12.08°±0.30° m-s 14.48°±0.30° m-s 18.42°±0.50° w-m 23.05°±0.30° w-m 26.09°±0.30° vs

31、。

32、在一些实施方式中，所述scm-53分子筛的x-射线衍射谱图包括表b-1所示的衍射峰：

33、表b-1

34、 2θ <![cdata[相对强度(i/i₀×100)]]> 4.363°±0.30° vs 8.940°±0.30° m-s 12.08°±0.30° m-s 14.48°±0.30° m-s 18.42°±0.50° w-m 23.05°±0.30° w-m 26.09°±0.30° s-vs

35、。

36、在一些实施方式中，所述scm-53分子筛的x-射线衍射谱图包括表b-2所示的衍射峰：

37、表b-2

38、 2θ <![cdata[相对强度(i/i₀×100)]]> 4.363°±0.30° 95-100 8.940°±0.30° 35-55 12.08°±0.30° 35-50 14.48°±0.30° 30-45 18.42°±0.50° 20-35 23.05°±0.30° 20-35 26.09°±0.30° 90-100

39、。

40、在一些实施方式中，所述scm-53分子筛的x-射线衍射谱图包括表c所示的衍射峰：

41、表c

42、

43、其中，b：随2θ变化。

44、在一些实施方式中，所述scm-53分子筛的x-射线衍射谱图包括表c-1所示的衍射峰：

45、表c-1

46、

47、其中，b：随2θ变化。

48、在一些实施方式中，所述scm-53分子筛的x-射线衍射谱图包括表c-2所示的衍射峰：

49、表c-2

50、

51、其中，b：随2θ变化。

52、在一些实施方式中，所述scm-53分子筛的x-射线衍射谱图包括表d所示的衍射峰：

53、表d

54、

55、其中，b：随2θ变化。

56、在一些实施方式中，所述scm-53分子筛的x-射线衍射谱图包括表d-1所示的衍射峰：

57、表d-1

58、

59、其中，b：随2θ变化。

60、在一些实施方式中，所述scm-53分子筛的x-射线衍射谱图包括表d-2所示的衍射峰：

61、表d-2

62、

63、其中，b：随2θ变化。

64、在一些实施方式中，所述scm-53分子筛的骨架拓扑包含[42·54·104]、[52·6·102]、[4·54·65·74]、[6·72]的自然拼接结构。

65、在一些实施方式中，所述scm-53分子筛的骨架拓扑最小重复单元由1个[42·54·104]、2个[52·6·102]、2个[4·54·65·74]和4个[6·72]自然拼接结构组成。

66、在一些实施方式中，所述scm-53分子筛包括10×10元环孔道结构。

67、在一些实施方式中，所述scm-53分子筛中存在4元环、5元环、6元环、7元环和10元环中的一个或多个。

68、在一些实施方式中，所述scm-53分子筛属于单斜晶系。

69、在一些实施方式中，所述scm-53分子筛的晶胞参数包括优选更优选

70、在一些实施方式中，所述scm-53分子筛的晶胞参数包括优选更优选

71、在一些实施方式中，所述scm-53分子筛的晶胞参数包括优选更优选

72、在一些实施方式中，所述scm-53分子筛的晶胞参数包括α＝90°，γ＝90°。

73、在一些实施方式中，所述scm-53分子筛的晶胞参数为β＝100°-125°，优选β＝105°-115°。

74、在一些实施方式中，所述scm-53分子筛包括硅、铝和氧。

75、在一些实施方式中，所述scm-53分子筛中，二氧化硅与三氧化二铝的摩尔比(即硅铝比)为10-400，例如为15、20、25、30、35、40、45、50、55、60、65、70、75、80、85、90、95、100、105、110、115、120、125、130、135、140、145、150、155、160、165、170、175、180、185、190、195、200、205、210、215、220、225、230、235、240、245、250、255、260、265、270、275、280、285、290、300、310、320、330、340、350、360、370、380、390或它们之间的任意值。在一些实施方式中，二氧化硅与三氧化二铝的摩尔比为15-350。

76、在一些实施方式中，所述scm-53分子筛具有如下摩尔比的化学组成msio2·al2o3，其中10≤m≤400，例如为15、20、25、30、35、40、45、50、55、60、65、70、75、80、85、90、95、100、105、110、115、120、125、130、135、140、145、150、155、160、165、170、175、180、185、190、195、200、205、210、215、220、225、230、235、240、245、250、255、260、265、270、275、280、285、290、300、310、320、330、340、350、360、370、380、390或它们之间的任意值。

77、在一些实施方式中，15≤m≤350。在一些实施方式中，20≤m≤300。

78、在一些实施方式中，所述scm-53分子筛的晶体具有纳米片状形貌。在一些实施方式中，所述晶体的平均厚度小于或等于19nm。

79、在一些实施方式中，所述晶体的平均厚度为3nm-18nm，例如为4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm、11nm、12nm、13nm、14nm、15nm、16nm、17nm或它们之间的任意值。在一些实施方式中，所述晶体的平均厚度为5nm-16nm。

80、在一些实施方式中，所述scm-53分子筛中，厚度小于或等于16nm的晶体占总晶体数量的至少70％，例如至少75％，至少77％、至少80％、至少82％、至少84％、至少86％、至少90％、至少93％或至少95％。

81、在一些实施方式中，所述scm-53分子筛的比表面积为100m2/g-500m2/g，例如为150m2/g、200m2/g、210m2/g、220m2/g、230m2/g、240m2/g、250m2/g、260m2/g、270m2/g、280m2/g、290m2/g、300m2/g、310m2/g、320m2/g、330m2/g、340m2/g、350m2/g、360m2/g、370m2/g、380m2/g、390m2/g、400m2/g、430m2/g、450m2/g、470m2/g或它们之间的任意值。在一些实施方式中，所述scm-53分子筛的比表面积为200m2/g-400m2/g。

82、在一些实施方式中，所述scm-53分子筛的孔容为0.015cm3/g-1.0cm3/g，例如为0.07cm3/g、0.1cm3/g、0.13cm3/g、0.15cm3/g、0.17cm3/g、0.2cm3/g、0.23cm3/g、0.25cm3/g、0.27cm3/g、0.3cm3/g、0.33cm3/g、0.35cm3/g、0.37cm3/g、0.4cm3/g、0.43cm3/g、0.45cm3/g、0.47cm3/g、0.5cm3/g、0.55cm3/g、0.6cm3/g、0.65cm3/g、0.7cm3/g、0.75cm3/g、0.8cm3/g、0.85cm3/g、0.9cm3/g、0.95cm3/g或它们之间的任意值。在一些实施方式中，所述scm-53分子筛的孔容为0.05cm3/g-0.75cm3/g。

83、在一些实施方式中，所述scm-53分子筛还包括非硅和非铝的元素，优选地所述非硅和非铝的元素选自钠、钾、锗、钛、硼、锆、锡和铁中的一种或多种。

84、在一些实施方式中，所述scm-53分子筛还包括钠、钾、锗、钛、硼、锆、锡和铁中的一种或多种元素。

85、第二方面，本发明提供一种scm-53分子筛的制备方法，其包括以下步骤：

86、s1：对含有硅源、铝源、有机结构导向剂和溶剂的混合物进行晶化处理，得到晶化产物；

87、s2：在酸性条件下，将晶化产物与硅烷化试剂混合后进行水热处理，得到水热处理产物；

88、s3：对所述水热处理产物进行干燥、焙烧；

89、优选地，所述有机结构导向剂包括式i所示的化合物，

90、

91、式i中，r1和r2相同或不同，各自独立地选自c1-8烷基，x-选自oh-、卤素阴离子、硝酸根或一价有机酸根；r3、r4、r5和r6相同或不同，各自独立地选自氢、卤素、c1-4烷基。

92、在一些实施方式中，式i中，r1和r2相同或不同，各自独立地选自c1-4烷基，例如甲基、乙基或丙基。

93、在一些实施方式中，x-选自oh-、溴离子、氯离子、碘离子、硝酸根或乙酸根。

94、在一些实施方式中，r3、r4、r5和r6相同或不同，各自独立地选自氢、氟、氯、溴、甲基、乙基或丙基。

95、在一些实施方式中，r3、r4、r5和r6中至少有一个为氢。在一些实施方式中，r3、r4、r5和r6中至少有两个为氢。在一些实施方式中，r3、r4、r5和r6均为氢。

96、在一些实施方式中，所述有机结构导向剂选自2,2-二甲基-1,3-二氢异吲哚氢氧化铵、2,2-二甲基-1,3-二氢异吲哚溴化铵和2,2-二甲基-1,3-二氢异吲哚氯化铵中的一种或多种。

97、在一些实施方式中，所述硅源以sio2计、铝源以al2o3计，所述硅源与所述铝源的摩尔比为1:(0.0025-0.1)，例如为1:0.003、1:0.004、1:0.005、1:0.006、1:0.007、1:0.008、1:0.009、1:0.0095、1:0.01、1:0.013、1:0.015、1:0.017、1:0.02、1:0.023、1:0.025、1:0.027、1:0.03、1:0.033、1:0.035、1:0.037、1:0.04、1:0.043、1:0.045、1:0.047、1:0.05、1:0.053、1:0.055、1:0.057、1:0.06、1:0.063、1:0.065、1:0.067、1:0.07、1:0.073、1:0.075、1:0.077、1:0.08、1:0.083、1:0.085、1:0.047、1:0.09、1:0.093、1:0.095、1:0.097或它们之间的任意值。

98、在一些实施方式中，所述硅源与所述铝源的摩尔比为1:(0.0025-0.08)。在一些实施方式中，所述硅源与所述铝源的摩尔比为1:(0.005-0.05)。

99、在一些实施方式中，所述硅源以sio2计，所述硅源与所述有机结构导向剂的摩尔比为1:(0.10-0.50)，例如为1:0.13、1:0.15、1:0.17、1:0.20、1:0.23、1:0.25、1:0.27、1:0.30、1:0.33、1:0.35、1:0.37、1:0.40、1:0.43、1:0.45、1:0.47或它们之间的任意值。

100、在一些实施方式中，所述硅源与所述有机结构导向剂的摩尔比为1:(0.20-0.50)。在一些实施方式中，所述硅源与所述有机结构导向剂的摩尔比为1:(0.30-0.50)。

101、在一些实施方式中，所述硅源以sio2计，所述硅源与所述溶剂的摩尔比为1:(8-100)，例如为1:10、1:15、1:20、1:25、1:30、1:35、1:40、1:45、1:50、1:55、1:60、1:65、1:70、1:75、1:80、1:85、1:90、1:95或它们之间的任意值。

102、在一些实施方式中，所述硅源与所述溶剂的摩尔比为1:(15-100)。在一些实施方式中，所述硅源与所述溶剂的摩尔比为1:(15-50)。

103、在一些实施方式中，所述酸性条件由酸溶液提供。在一些实施方式中，所述酸溶液的浓度为0.5mol/l-6mol/l，例如为1mol/l、1.5mol/l、2mol/l、2.5mol/l、3mol/l、3.5mol/l、4mol/l、4.5mol/l、5mol/l、5.5mol/l或它们之间的任意值。在一些实施方式中，所述酸溶液的浓度为1mol/l-5mol/l。在一些实施方式中，所述酸溶液的浓度为1.5mol/l-4.5mol/l。

104、在一些实施方式中，所述酸溶液与所述晶化产物的液固比为(10-100)ml:1g，例如为20ml:1g、30ml:1g、40ml:1g、50ml:1g、60ml:1g、70ml:1g、80ml:1g或90ml:1g。在一些实施方式中，所述酸溶液与所述晶化产物的液固比为(20-80)ml:1g。在一些实施方式中，所述酸溶液与所述晶化产物的液固比为(40-60)ml:1g。

105、在一些实施方式中，所述硅烷化试剂与所述晶化产物的质量比为(0.1-4):1，例如0.2:1、0.3:1、0.4:1、0.5:1、0.6:1、0.7:1、0.8:1、0.9:1、1.0:1、1.1:1、1.2:1、1.3:1、1.4:1、1.5:1、1.6:1、1.7:1、1.8:1、1.9:1、2.0:1、2.3:1、2.5:1、2.7:1、3.0:1、3.3:1、3.5:1或3.7:1。在一些实施方式中，所述硅烷化试剂与所述晶化产物的质量比为(0.2-2):1。

106、在一些实施方式中，所述酸溶液选自盐酸水溶液、醋酸水溶液、硝酸水溶液、盐酸乙醇溶液、醋酸乙醇溶液或硝酸乙醇溶液。

107、在一些实施方式中，所述硅烷化试剂包括式ii所示的化合物

108、

109、式ii中，r7、r8、r9和r10相同或不同，各自独立地选自氢、卤素、c1-6烷基、c1-6烷氧基。

110、在一些实施方式中，r7、r8、r9和r10相同或不同，各自独立地选自氢、氟、氯、溴、甲基、乙基、丙基、甲氧基、乙氧基、丙氧基。

111、在一些实施方式中，所述硅烷化试剂选自单甲基氯硅烷、二甲基氯硅烷、单甲基甲氧基硅烷、二甲基甲氧基硅烷、单甲基乙氧基硅烷和二甲基乙氧基硅烷中的一种或多种。

112、本发明中，硅烷化试剂用于在酸性条件下对分子筛前驱体的孔壁进行定向结构修饰。

113、在一些实施方式中，所述硅源选自硅溶胶、硅胶、正硅酸乙酯和硅酸中的一种或多种。

114、在一些实施方式中，所述铝源选自氢氧化铝、异丙醇铝、硝酸铝和氧化铝中的一种或多种。

115、在一些实施方式中，所述溶剂选自水。

116、在一些实施方式中，所述混合物中不含碱金属或碱土金属。

117、根据本发明的一个实施方式，在所述分子筛的合成方法中，从更有利于获得本发明的scm-53分子筛的角度出发，所述混合物不包含碱源。作为所述碱源，比如可以举出除硅源、铝源和有机结构导向剂以外的碱性物质，具体比如可以举出本领域为使体系为碱性的目的而常规使用的任何碱源，更具体比如可以举出以碱金属或碱土金属为阳离子的无机碱，特别是氢氧化钠和氢氧化钾等。在此，所谓“不包含碱源”，指的是不向所述混合物中故意或主动引入碱源。

118、在一些实施方式中，所述混合物的晶化处理过程为转动的动态晶化。在一些实施方式中，转动速度为10rpm-60rpm，例如为20rpm、30rpm或40rpm。

119、在一些实施方式中，所述混合物的晶化处理过程为搅拌的动态晶化。在一些实施方式中，搅拌速度为30rpm-400rpm，例如为50rpm、100rpm、150rpm、200rpm、250rpm、300rpm或350rpm。

120、在一些实施方式中，所述混合物的晶化条件为130℃-180℃例如135℃、140℃、145℃、150℃、155℃、160℃、165℃、170℃或175℃下晶化1-12天，例如2天、3天、4天、5天、6天、7天、8天、9天、10天或11天。在一些实施方式中，所述混合物的晶化条件为135℃-175℃下晶化2-11天。在一些实施方式中，所述混合物的晶化条件为140℃-170℃下晶化3-10天。

121、在一些实施方式中，所述水热处理的温度为80℃-190℃，例如为90℃、100℃、110℃、120℃、130℃、140℃、150℃、160℃、170℃或180℃。

122、在一些实施方式中，所述水热处理的时间为5h-48h，例如为8h、10h、12h、15h、20h、24h、28h、30h、32h、36h、40h、44h或46h。

123、在一些实施方式中，所述焙烧的温度为400℃-800℃，例如为450℃、500℃、550℃、600℃、650℃、700℃或750℃。在一些实施方式中，所述焙烧的温度为500℃-700℃。

124、在一些实施方式中，所述焙烧的时间为2h-10h，例如3h、4h、5h、6h、7h、8h或9h。在一些实施方式中，所述焙烧的时间为3h-9h。

125、在一些实施方式中，所述焙烧在含氧气的气氛下进行。

126、在一些实施方式中，所述水热处理产物的焙烧条件为在400℃-800℃含氧气的气氛下焙烧2～10小时，优选为500℃-700℃含氧气的气氛下焙烧3～9小时。

127、根据本发明，前述获得的各种scm-53分子筛可以以任何的物理形式应用，比如粉末状、颗粒状或者模制品状(比如条状、三叶草状等)。可以按照本领域常规已知的任何方式获得这些物理形式，并没有特别的限定。

128、第三方面，本发明提供了一种分子筛组合物，其包含第一方面所述的scm-53分子筛或第二方面所述的制备方法制备的scm-53分子筛，以及可选的粘结剂。

129、根据本发明，所述scm-53分子筛可以与其他材料复合使用，由此获得scm-53分子筛组合物。作为这些其他材料，比如可以举出活性材料和非活性材料。作为所述活性材料，比如可以举出合成沸石、天然沸石或者其他类型的分子筛等，作为所述非活性材料(一般称为粘结剂)，比如可以举出粘土、白土、硅胶和氧化铝等。这些其他材料可以单独使用一种，或者以任意的比例组合使用多种。作为所述其他材料的用量，可以直接参照本领域的常规用量，并没有特别的限制。

130、第四方面，本发明提供了第一方面所述的scm-53分子筛或第二方面所述的制备方法制备的scm-53分子筛或第三方面所述分子筛组合物在吸附分离、离子交换或有机物化合物催化转化中的应用。

131、在一些实施方式中，所述scm-53分子筛或分子筛组合物用来在气相或液相中从多种组分的混合物中分离出至少一种组分。据此，所述至少一种组分可以部分或基本全部从各种组分的混合物中分离出来，具体方式比如是让所述混合物与所述scm-53分子筛或所述分子筛组合物相接触，有选择的吸附这一组分。

132、本发明所涉及的scm-53分子筛具有新的骨架结构和/或化学组成，具有非常重要的应用价值。