一种改善单晶工序中坩埚鼓包的方法与流程

本发明涉及单晶硅生产，特别是涉及一种改善单晶工序中坩埚鼓包的方法。

背景技术：

1、单晶硅生产工序中，坩埚随着运行时间的增加，鼓包的概率会持续上升。鼓包后的坩埚无法继续拉制单晶，导致坩埚使用寿命短，利用率低，进而增加了单晶硅的生产成本。

技术实现思路

1、本发明所要解决的技术问题是，克服现有技术的缺点，提供一种改善单晶工序中坩埚鼓包的方法。

2、为了解决以上技术问题，本发明的技术方案如下：

3、一种改善单晶工序中坩埚鼓包的方法，包括：

4、向坩埚中添加硅料；

5、对单晶炉进行抽真空处理；

6、将单晶炉控制在无压状态，并持续时间t，使坩埚中的气体逸散至单晶炉内。

7、作为本发明所述改善单晶工序中坩埚鼓包的方法的一种优选方案，其中：所述向坩埚中添加硅料包括：

8、控制硅料的体积等于坩埚的容积。

9、作为本发明所述改善单晶工序中坩埚鼓包的方法的一种优选方案，其中：所述对单晶炉进行抽真空处理包括：

10、通过干式真空泵对单晶炉进行抽真空处理。

11、作为本发明所述改善单晶工序中坩埚鼓包的方法的一种优选方案，其中：所述通过干式真空泵对单晶炉进行抽真空处理包括：

12、将干式真空泵的开度设定为最大值。

13、作为本发明所述改善单晶工序中坩埚鼓包的方法的一种优选方案，其中：所述时间t为10min。

14、本发明的有益效果是：

15、（1）本发明通过对单晶炉进行抽真空，使坩埚中的气泡与单晶炉内进行压力差，坩埚中的气体会逸散到压力更低的单晶炉内，从而达到坩埚内气泡中的气体被抽出的效果，有效改善了坩埚鼓包的情况，大大延长了坩埚的使用寿命，从而降低了单晶硅的生产成本。

16、（2）通过将干式真空泵的开度设定为最大值，可保证单晶炉内的压力在最短的时间内无限接近0torr，从而使坩埚中的气体尽快逸散到压力更低的单晶炉内。

技术特征：

1.一种改善单晶工序中坩埚鼓包的方法，其特征在于：包括：

2.根据权利要求1所述的改善单晶工序中坩埚鼓包的方法，其特征在于：所述向坩埚中添加硅料包括：

3.根据权利要求1所述的改善单晶工序中坩埚鼓包的方法，其特征在于：所述对单晶炉进行抽真空处理包括：

4.根据权利要求3所述的改善单晶工序中坩埚鼓包的方法，其特征在于：所述通过干式真空泵对单晶炉进行抽真空处理包括：

5.根据权利要求1所述的改善单晶工序中坩埚鼓包的方法，其特征在于：所述时间t为10min。

技术总结本发明公开了一种改善单晶工序中坩埚鼓包的方法，涉及单晶硅生产技术领域，包括：向坩埚中添加硅料；对单晶炉进行抽真空处理；将单晶炉控制在无压状态，并持续时间T，使坩埚中的气体逸散至单晶炉内。本发明通过对单晶炉进行抽真空，使坩埚中的气泡与单晶炉内进行压力差，坩埚中的气体会逸散到压力更低的单晶炉内，从而达到坩埚内气泡中的气体被抽出的效果，有效改善了坩埚鼓包的情况，大大延长了坩埚的使用寿命，从而降低了单晶硅的生产成本。技术研发人员：王晨,唐兴华,王艺澄,王军磊受保护的技术使用者：包头美科硅能源有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/13