包含钙钛矿的辐射检测器的制作方法

背景技术

0、背景技术：

1、辐射检测器是测量辐射特性的装置。该特性的示例可以包括辐射的强度、相位和偏振的空间分布。由辐射检测器测量的辐射可以是已经透过物体的辐射。辐射检测器测量的辐射可以是电磁辐射，例如红外光、可见光、紫外光、x射线或γ射线。辐射可以是其他类型的，例如α射线和β射线。成像系统可以包括一个或多个图像传感器，每个图像传感器可以具有一个或多个辐射检测器。

技术实现思路

0、技术实现要素：

1、本文公开了一种方法，所述方法包括将基板放置在生长培养基中，从而在所述基板上形成钙钛矿层。所述钙钛矿层被配置为响应于入射到所述钙钛矿层上的辐射粒子而产生信号，并且所述基板被配置为处理和分析由所述钙钛矿层产生的信号。

2、在一方面，所述生长培养基处于液相。

3、在一方面，所述生长培养基处于气相。

4、在一方面，当执行所述将所述基板放置在所述生长培养基中时，所述基板的输入/输出区不暴露于所述生长培养基。

5、在一方面，所述钙钛矿层包括m个传感元件，m为正整数；所述m个传感元件中的每个传感元件被配置为响应于所述每个传感元件接收入射辐射而在所述每个传感元件中产生电信号；所述基板包括电子器件层，所述电子器件层被配置为处理和分析在所述每个传感元件中产生的所述电信号。

6、在一方面，一个或多个电极处于所述基板的表面上，并且，所述钙钛矿层形成在所述基板的所述表面上。

7、在一方面，所述一个或多个电极电连接到所述钙钛矿层。

8、在一方面，由所述每个传感元件接收的所述入射辐射包括一个或多个x射线光子。

9、在一方面，由所述每个传感元件产生的所述电信号包括电子空穴对。

10、在一方面，所述方法还包括在所述钙钛矿层上形成公共电极。所述公共电极电连接到所有的所述m个传感元件。

11、在一方面，所述钙钛矿层设置在所述公共电极和所述电子器件层之间。

12、在一方面，所述电子器件层包括n个专用集成电路(asic)，n是正整数。

13、在一方面，所述方法还包括，在执行所述将所述基板放置在所述生长培养基中之前，将中介层接合到所述基板的所述电子器件层。执行所述将所述基板放置在所述生长培养基中，使得所述中介层设置在所述钙钛矿层和所述电子器件层之间。

14、在一方面，所述钙钛矿层被配置为响应于所述钙钛矿层接收入射辐射而产生可见光；所述基板包括p个光电二极管，p为正整数；所述p个光电二极管中的每个光电二极管被配置为响应于所述每个光电二极管接收由所述钙钛矿层产生的可见光的光子而产生电信号；并且所述基板还包括电子器件层，所述电子器件层被配置为处理和分析由所述每个光电二极管产生的所述电信号。

15、在一方面，由所述钙钛矿层接收的所述入射辐射包括一个或多个x射线光子。

16、在一方面，所述电子器件层包括q个专用集成电路(asic)，q是正整数。

17、在一方面，所述p个光电二极管在所述钙钛矿层和所述电子器件层之间。

18、本文公开了一种方法，所述方法包括将中介层放置在生长培养基中，从而在所述中介层上形成钙钛矿层；然后将所述中介层接合到电子器件层，使得所述中介层设置在所述钙钛矿层和所述电子器件层之间。所述钙钛矿层包括r个传感元件，r为正整数。所述r个传感元件中的每个传感元件被配置为响应于所述每个传感元件接收入射辐射而在所述每个传感元件中产生电信号。所述电子器件层被配置为处理和分析在所述每个传感元件中生成的所述电信号。

19、在一方面，一个或多个电极处于所述中介层的表面上，并且所述钙钛矿层形成在所述中介层的所述表面上。

20、在一方面，所述一个或多个电极电连接到所述钙钛矿层。

21、在一方面，由所述每个传感元件接收的所述入射辐射包括一个或多个x射线光子。

22、在一方面，所述电子器件层包括s个专用集成电路(asic)，s是正整数。

23、在一方面，所述生长培养基处于液相。

24、在一方面，所述生长培养基处于气相。

技术特征：

1.一种方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述生长培养基处于液相。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述生长培养基处于气相。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，当执行所述将所述基板放置在所述生长培养基中时，所述基板的输入/输出区不暴露于所述生长培养基。

5.根据权利要求1所述的方法，

6.根据权利要求1所述的方法，

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述一个或多个电极电连接到所述钙钛矿层。

8.根据权利要求5所述的方法，其中，由所述每个传感元件接收的所述入射辐射包括一个或多个x射线光子。

9.根据权利要求5所述的方法，其中，由所述每个传感元件产生的所述电信号包括电子空穴对。

10.根据权利要求5所述的方法，还包括在所述钙钛矿层上形成公共电极，其中，所述公共电极电连接到所有的所述m个传感元件。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述钙钛矿层设置在所述公共电极和所述电子器件层之间。

12.根据权利要求5所述的方法，其中，所述电子器件层包括n个专用集成电路，n是正整数。

13.根据权利要求5所述的方法，还包括，在执行所述将所述基板放置在所述生长培养基中之前，将中介层接合到所述基板的所述电子器件层，

14.根据权利要求1所述的方法，

15.根据权利要求14所述的方法，其中，由所述钙钛矿层接收的所述入射辐射包括一个或多个x射线光子。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述电子器件层包括q个专用集成电路，q是正整数。

17.根据权利要求14所述的方法，其中，所述p个光电二极管在所述钙钛矿层和所述电子器件层之间。

18.一种方法，包括：

19.根据权利要求18所述的方法，

20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述一个或多个电极电连接到所述钙钛矿层。

21.根据权利要求18所述的方法，其中，由所述每个传感元件接收的所述入射辐射包括一个或多个x射线光子。

22.根据权利要求18所述的方法，其中，所述电子器件层包括s个专用集成电路，s是正整数。

23.根据权利要求18所述的方法，其中，所述生长培养基处于液相。

24.根据权利要求18所述的方法，其中，所述生长培养基处于气相。

技术总结本文公开了一种方法，所述方法包括将基板放置在生长培养基中，从而在所述基板上形成钙钛矿层。所述钙钛矿层被配置为响应于入射到所述钙钛矿层上的辐射粒子而产生信号，并且所述基板被配置为处理和分析由所述钙钛矿层产生的信号。技术研发人员：曹培炎,刘雨润受保护的技术使用者：深圳帧观德芯科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/11