一种蚀刻组合物及其用途的制作方法

本发明涉及化学蚀刻领域，尤其涉及一种蚀刻组合物及其用途。

背景技术：

1、随着ic芯片的特征尺寸不断缩小，且集成规模迅速扩大，摩尔定律也在逐渐逼近极限。近年来，euv光刻机的量产使得7nm工艺逐渐成熟，随之而来的问题是，以铜作为导线材料开始暴露导电速率不足等缺点，让制程工艺技术在10nm、7nm节点上遇到瓶颈。因此，7nm以上的工艺部分层采用co取代cu已成为趋势，摩尔定律的生命也因此而得以延续。因此，亟需一种能够用于清洗钴工艺的蚀刻组合物，

技术实现思路

1、为了提供一种能够用于7nm以上的钴层工艺的清洗，对等离子体灰化后的聚合物残留、金属氧化物、氟化物有着较好的清洗能力的蚀刻组合物，本发明提供一种蚀刻组合物，包括羟基胺，表面活性剂，金属腐蚀抑制剂，胺类ph调节剂，有机酸和水。

2、优选的，所述羟基胺的含量为0.5％～10％。

3、优选的，所述表面活性剂的含量为0.001％～10％。

4、优选的，所述表面活性剂选自乙二醇单丁基醚、乙二醇缩水甘油醚、聚(乙二醇-丙二醇)单丁基醚、二乙二醇二甲醚、丙二醇苯醚、丙二醇甲醚、十二胺聚氧乙烯醚、聚乙二醇、聚乙二醇-丙二醇共聚物、乙烯吡咯烷酮-醋酸乙烯酯共聚物、正己醇、1,2-戊二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、苯甲醇、二氧六环、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、superwet-320、superwet-340、superwet-360、surfynol420、surfynol440、椰油脂肪酸二乙醇酰胺、十二烷基三甲基氯化铵、肉豆蔻基三甲基氯化铵、苯扎氯铵、十六烷基三甲基溴化铵、四庚基溴化铵中的一种或多种。

5、优选的，所述金属腐蚀抑制剂的含量为0.1％～5％。

6、优选的，所述金属腐蚀抑制剂选自吡唑、1-甲基吡唑、3,5-二甲基吡唑、吡嗪、苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑、1h-苯并三唑甲醇、1,2,4-三氮唑-3-羧酸甲酯、5-苄基-1h-四氮唑、1-苯基-5-巯基四氮唑、5-苄硫基-1h-四唑、5-甲基四氮唑、2-巯基噻二唑、甲巯咪唑、巯基咪唑、3-巯基-4-甲基-4h-1,2,4-三唑中的一种或多种

7、优选的，所述胺类ph调节剂的含量为0.05％～3％。

8、优选的，所述胺类ph调节剂选自二甘醇胺、乙醇胺、乙二胺、二乙醇胺、二乙三胺、三乙四胺、羟乙基乙二胺、n-甲基乙醇胺、正丙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、1,8-二氮杂双环[5.4.0]十一碳-7-烯中的一种或多种。

9、优选的，所述有机酸的含量为0.05％～5％。

10、优选的，所述有机酸为α位上有n原子或o原子的羧酸。

11、优选的，所述有机酸为选自乙醇酸、乳酸、扁桃酸、苹果酸、柠檬酸、酒石酸、葡萄糖酸、羟基丙二酸、吡啶-2-甲酸、2,3-吡啶二甲酸、2,6-吡啶二甲酸、1h-1,2,4-三氮唑-3-羧酸、吡唑-3-羧酸、甘氨酸、丙氨酸、缬氨酸、亮氨酸、异亮氨酸、甲硫氨酸、脯氨酸、色氨酸、丝氨酸、酪氨酸、半胱氨酸、苯丙氨酸、天门冬酰胺、谷氨酰胺、苏氨酸、天冬氨酸、谷氨酸、赖氨酸、精氨酸、组氨酸和吡咯赖氨酸中的一种或多种。

12、本发明的另一方面，提供一种将以上任一所述的蚀刻组合物用于清洗7nm以上的钴层工艺的用途。

13、本发明中的蚀刻组合物可用于7nm以上的钴层工艺的清洗，对等离子体灰化后的聚合物残留、金属氧化物、氟化物有着较好的清洗能力，同时对tin和low-k材料具有很好的相容性，工艺操作窗口大，应用前景好。

技术特征：

1.一种蚀刻组合物，其特征在于，包括羟基胺，表面活性剂，金属腐蚀抑制剂，胺类ph调节剂，有机酸和水。

2.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，

3.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，

4.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，

5.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，

6.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，

7.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，

8.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，

9.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，

10.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，

11.如权利要求10所述的蚀刻组合物，其特征在于，

12.一种将权利要求1-11中任一所述的蚀刻组合物用于清洗7nm以上的钴层工艺的用途。

技术总结本发明提供了一种蚀刻组合物及其用途。所述蚀刻组合物包括羟基胺，表面活性剂，金属腐蚀抑制剂，胺类pH调节剂，有机酸和水。本发明中的蚀刻组合物可用于7nm以上的钴层工艺的清洗，对等离子体灰化后的聚合物残留、金属氧化物、氟化物有着较好的清洗能力，同时对TiN和Low‑K材料具有很好的相容性，工艺操作窗口大。技术研发人员：程章,刘兵,彭洪修,吴兵受保护的技术使用者：宁波安集微电子科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/18