量子点、制备量子点的方法及包括量子点的电子设备与流程

本公开的实施方式涉及量子点、制备量子点的方法以及包括量子点的电子设备。

背景技术：

1、量子点是半导体材料的纳米晶体，并且表现出量子限制效应。当通过接收来自激发源的光而到达能量激发态时，量子点自身根据相应的能带隙发射能量。在这点上，即使在相同材料的情况下，波长也根据粒子尺寸而变化，并且因此，通过调节量子点的尺寸，可以获得具有合适的或期望的波长范围的光，并且可以获得优异的颜色纯度和高发光效率。因此，量子点适用于各种合适的装置或设备。

技术实现思路

1、根据一个或更多个实施方式，提供了具有优异的化学稳定性和光致发光特性的量子点以及制备该量子点的方法。

2、实施方式的其它方面将部分地在以下描述中阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可以通过实践本公开的所呈现的实施方式来获知。

3、根据一个或更多个实施方式，量子点包括：

4、核，包括铜(cu)、iii族元素、vi族元素和镓(ga)；

5、第一壳，覆盖核；以及

6、第二壳，覆盖第一壳，

7、其中，第一壳包括iii-vi族化合物。

8、根据一个或更多个实施方式，提供了一种制备量子点的方法。

9、根据一个或更多个实施方式，电子设备包括量子点。

技术特征：

1.一种量子点，包括：

2.根据权利要求1所述的量子点，其中，基于100重量份的所述iii族元素，包括在所述核中的ga的量在20重量份至60重量份的范围内。

3.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述核包括cu、in、ga和s。

4.根据权利要求3所述的量子点，其中，基于100重量份的所述核，所述核包括在5重量份至20重量份的范围内的量的cu、在10重量份至30重量份的范围内的量的in、在10重量份至60重量份的范围内的量的ga以及在30重量份至60重量份的范围内的量的s。

5.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述第一壳包括gas、ga2s3、gase、ga2se3、gate、ins、inse、in2s3、in2se3、inte或其任何组合。

6.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述第二壳包括ii-vi族化合物、iii-vi族化合物或其任何组合。

7.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述第二壳包括znse、zns、znte、zno、znmg、znmgse、znmgs、znmgal、gase、gate、mgs、mgse或其任何组合。

8.根据权利要求1所述的量子点，还包括在所述第一壳和所述第二壳之间的中间壳，

9.根据权利要求1所述的量子点，其中，包括在所述第一壳和所述第二壳中的所述元素的浓度根据距所述核的距离而形成浓度梯度。

10.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述第一壳的厚度在0.5nm至3nm的范围内。

11.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述第二壳的厚度在0.5nm至4nm的范围内。

12.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述量子点发射具有在500nm至550nm的范围内的最大发射波长的绿光。

13.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述量子点的光致发光光谱的半峰全宽为70nm或更小。

14.一种制备量子点的方法，所述方法包括：

15.根据权利要求14所述的方法，其中，在制备所述核时，使用用于形成所述核的组合物来形成所述核，用于形成所述核的所述组合物包括cu前体、包含iii族元素的前体、包含vi族元素的前体和ga前体。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，在制备所述核时，使用于形成所述核的所述组合物在210℃至340℃的范围内的温度下经受阳离子交换反应。

17.根据权利要求14所述的方法，其中，在制备所述第二壳时，使用用于形成所述第二壳的组合物来形成所述第二壳，用于形成所述第二壳的所述组合物包括包含ii族元素的前体、包含iii族元素的前体和包含vi族元素的前体中的至少两种。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，

19.根据权利要求14所述的方法，还包括用有机配体和/或金属卤化物处理所述第二壳的表面。

20.一种包括根据权利要求1所述的量子点的电子设备。

技术总结提供了一种量子点、制备量子点的方法以及包括量子点的电子设备，量子点包括：核，包括铜(Cu)、III族元素、VI族元素和镓(Ga)；第一壳，覆盖核；以及第二壳，覆盖第一壳，其中，第一壳包括III‑VI族化合物。技术研发人员：郑浚赫,金成在,金泳植,朴升元,尹彼娜,李栋熙受保护的技术使用者：三星显示有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/20