一种降低杂散电感的分立器件的制作方法

本技术涉及功率模块，尤其涉及一种降低杂散电感的分立器件。

背景技术：

1、在现代电力电子设备中，绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolartransistor，简称igbt)是一种非常重要的功率半导体器件。它结合了mosfet的高输入阻抗和双极晶体管的高电压、大电流特性，广泛应用于变频器、光伏逆变、焊机和电动汽车等领域。

2、然而，随着电力电子技术的发展和市场需求的提高，对igbt的输出效率、可靠性的要求也越来越严格。尤其是在高频、高压、大电流的应用环境下，传统的igbt分立器件面临着严重的挑战。

3、首先，目前市面上的igbt分立器件大多是三端口器件，即门极(栅极)、集电极(漏极)、发射极(源极)。这种结构的igbt在封装体中只有两个或三个引脚，每个引脚管脚都有较大的杂散电感。在高频、大电流的工作状态下，这种大的杂散电感会导致igbt的开关损耗增大，严重影响其输出效率。

4、其次，由于igbt的开关损耗无法得到有效降低，这将导致igbt的工作温度升高，从而影响其可靠性。长期工作在高温环境下，可能会导致igbt的性能下降，甚至发生故障。

5、综上，如何降低igbt分立器件的开关损耗，提高其输出效率和可靠性，是当前电力电子技术面临的重要问题。

技术实现思路

1、基于上述内容，本实用新型提供一种降低杂散电感的分立器件，旨在解决现有技术中开关速度慢，损耗高，效率低等问题。。

2、一种降低杂散电感的分立器件，包括：

3、基座以及设置在基座一端的引脚排；

4、引脚排包括第一类引脚和第二类引脚；

5、第一类引脚为一个开尔文发射极引脚；

6、第二类引脚包括栅极引脚、源极引脚和漏极引脚。

7、进一步的，基座包括：

8、金属散热板，金属散热板的一端与引脚排连接；

9、芯片，焊接在金属散热板的焊接面，芯片通过引线与引脚排电性连接；

10、塑封外壳，包裹金属散热板、芯片和引线；

11、金属散热板的散热面暴露在塑封外壳之外。

12、进一步的，基座还包括设置在第一类引脚和第二类引脚之间的包覆结构。

13、进一步的，包覆结构向内凹陷。

14、进一步的，包覆结构向内凹陷的形状为矩形或者半圆形。

15、进一步的，包覆结构向内凹陷的深度在0.5mm以上。

16、进一步的，塑封外壳上设有一组卡扣预留位。

17、进一步的，每个卡扣预留位的扣接边为向内凹陷的四分之一圆。

18、进一步的，每个卡扣预留位的扣接边凹陷深度与塑封外壳的顶部到金属散热板的焊接面之间的距离相同。

19、进一步的，金属散热板的散热面与塑封外壳的底部持平。

20、本实用新型的有益技术效果在于：本技术采用4脚的封装结构，相比于常规的2-3脚封装，多出一个引脚，即开尔文发射极(源极)。这种设计可以有效降低引脚的杂散电感，从而提高整体效率。由于杂散电感的降低，开关损耗也得到明显减少，进一步提高了效率。由于开关损耗的减少，相应的散热需求也会降低，从而可以节省在散热设备上的投入，降低了整体成本。本技术实现了效率提高和成本降低的双重优势。

技术特征：

1.一种降低杂散电感的分立器件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的一种降低杂散电感的分立器件，其特征在于，

3.如权利要求2所述的一种降低杂散电感的分立器件，其特征在于，所述基座(8)还包括设置在所述第一类引脚和第二类引脚之间的包覆结构(10)。

4.如权利要求3所述的一种降低杂散电感的分立器件，其特征在于，所述包覆结构(10)向内凹陷。

5.如权利要求4所述的一种降低杂散电感的分立器件，其特征在于，所述包覆结构(10)向内凹陷的形状为矩形或者半圆形。

6.如权利要求4所述的一种降低杂散电感的分立器件，其特征在于，所述包覆结构(10)向内凹陷的深度在0.5mm以上。

7.如权利要求1所述的一种降低杂散电感的分立器件，其特征在于，每个所述卡扣预留位(9)的扣接边为向内凹陷的四分之一圆。

8.如权利要求7所述的一种降低杂散电感的分立器件，其特征在于，每个所述卡扣预留位(9)的扣接边凹陷深度与所述塑封外壳(4)的顶部到所述金属散热板(6)的焊接面之间的距离相同。

技术总结本技术提供一种降低杂散电感的分立器件，基座以及设置在所述基座一端的引脚排；所述引脚排包括第一类引脚和第二类引脚；所述第一类引脚为一个开尔文发射极引脚；所述第二类引脚包括栅极引脚、源极引脚和发射极引脚。多了一个引脚，降低了引脚的杂散电感，提高了效率,降低了开关损耗，降低了成本。技术研发人员：田哲伟,冯冰杰受保护的技术使用者：斯达半导体股份有限公司技术研发日：20230926技术公布日：2024/7/18