一种毛细结构的高密度均温板的制作方法

本技术涉及液冷板结构的，具体为一种毛细结构的高密度均温板。

背景技术：

1、随着科技的发展，人们生活水平的提高，高热流密度散热与高均温性是现在载荷散热技术发展的趋势。均温板良好的导热性能，使其应用越来越广泛，电子芯片和器件越来越轻薄化，大功率和加工工艺简单的均温板越来越被需求。

2、现有的均温板在工艺和结构方面存在一些不足：

3、1盖板一般采用cnc/蚀刻的加工工艺来做支撑结构，均热面积减少，废品率高，污染大，成本高，并很难做到真正的轻薄化；

4、2采用其他结构来做均温板的支撑，例如柱状，或凹凸体，增加均温板的加工流程及难度，也很难做到轻薄化；

5、3毛细结构比较单一，高热源部分采用120-200目的细粉结构，腔体部分采用粉结构或者铜网2d结构，比较单一，性能得不到多大的提升空间。

6、这种情况下，急需一种新型均温板毛细结构。

技术实现思路

1、针对上述问题，本实用新型提供了一种毛细结构的高密度均温板，其降低了整个结构的高度空间，确保了可靠的散热传导，提高了散热效率。

2、一种毛细结构的高密度均温板，其特征在于，其包括：

3、上盖板，其包括外围密封板、冷却腔体，所述冷却腔体的中心设置有上凸热源中心腔；

4、第一热源毛细烧结支撑结构，其包括有对应于冷却腔体面域布置的烧结支撑面、以及仿形于上凸热源中心腔布置的上凸支撑面，所述上凸支撑面、烧结支撑面的面域排列布置有若干孔洞，所述上凸支撑面的下表面还设置有若干烧结下凸柱；

5、第二热源毛细支成结构，其包括中心支撑区域、两侧连接桥条，所述中心支撑区域对应于烧结支承面的孔洞位置设置有若干导向套筒；

6、若干铜柱，其包括中心高铜柱、外围矮铜柱；

7、至少一层铜网，所述铜网上对应于铜柱的位置处均设置有避让孔；

8、以及下盖板；

9、所述上凸支撑面紧贴所述上盖板的上凸热源中心腔的内壁，上盖板的外围密封板紧贴所述下盖板的四周上表面紧固设置，所述下盖板的上表面铺装有所述铜网，对应的铜柱的底部插装于铜网的避让孔内，所述第二热源毛细支撑结构的两侧的连接桥条位于铜网和烧结支撑面的高度空间布置，所述第二热源毛细支撑结构的中心支撑区域的导向套筒的底部支承于所述铜网的上表面，中心高铜柱的底部插装于对应的铜网的避让孔、且中心高铜柱位于插装于导向套筒内、伸入所述上凸支撑面的对应孔洞，所述中心高铜柱的上表面平齐于上凸支撑面的上表面布置，所述导向套筒的上部支承住所述上凸支撑面的下表面，外围矮铜柱的上部分别贯穿烧结支撑面的对应区域的孔洞后上凸，所述上盖板的冷却腔体的上表面压装于所有外围矮铜柱形成的上支撑面。

10、其进一步特征在于：

11、所述铜网具体包括两层，两层铜网的高度空间为大功率储藏足量的相变介质水；

12、其还包括有若干铆钉柱，铆钉柱用于固接上盖板、下盖板的对应外周，以及用于将整个均温板固装连接在安装位置；

13、所述第一热源毛细烧结支撑结构具体为网目支撑结构或粉末烧结支撑结构。

14、采用本实用新型的结构后，上凸支撑面紧贴上盖板的上凸热源中心腔的内壁，且通过中心高铜柱的下部支撑紧贴下盖板，上盖板和下盖板所形成的腔体内注入相变介质并抽真空后密封，均温板完成制造；上盖板的上凸热源中心受热，介质沸腾蒸发为气体，气态介质在上盖板和下盖板的远离上凸热源中心的远端液化释放热量(外围设置有风冷结构)，液态介质在毛细芯的作用下回到上盖板和下盖板的中心热源位置，周而复始工作；其降低了整个结构的高度空间，确保了可靠的散热传导，提高了散热效率。

技术特征：

1.一种毛细结构的高密度均温板，其特征在于，其包括：

2.如权利要求1所述的一种毛细结构的高密度均温板，其特征在于：所述铜网具体包括两层，两层铜网的高度空间为大功率储藏足量的相变介质水。

3.如权利要求1所述的一种毛细结构的高密度均温板，其特征在于：其还包括有若干铆钉柱，铆钉柱用于固接上盖板、下盖板的对应外周，以及用于将整个均温板固装连接在安装位置。

4.如权利要求3所述的一种毛细结构的高密度均温板，其特征在于：所述第一热源毛细烧结支撑结构具体为网目支撑结构或粉末烧结支撑结构。

技术总结本技术提供了一种毛细结构的高密度均温板，其降低了整个结构的高度空间，确保了可靠的散热传导，提高了散热效率。其包括：上盖板，其包括外围密封板、冷却腔体，冷却腔体的中心设置有上凸热源中心腔；第一热源毛细烧结支撑结构，其包括有对应于冷却腔体面域布置的烧结支撑面、以及仿形于上凸热源中心腔布置的上凸支撑面，上凸支撑面、烧结支撑面的面域排列布置有若干孔洞，上凸支撑面的下表面还设置有若干烧结下凸柱；第二热源毛细支成结构，其包括中心支撑区域、两侧连接桥条，中心支撑区域对应于烧结支承面的孔洞位置设置有若干导向套筒；若干铜柱；至少一层铜网，铜网上对应于铜柱的位置处均设置有避让孔；以及下盖板。技术研发人员：尹诗卯,李卫军,洪广受保护的技术使用者：联德电子科技（常熟）有限公司技术研发日：20231123技术公布日：2024/7/15