一种真空干燥工艺的制作方法

本发明涉及真空干燥，尤其涉及一种真空干燥工艺。

背景技术：

1、钙钛矿太阳能电池的制备工艺之一为通过狭缝涂布的方式在基板上涂布形成钙钛矿液膜，之后需要对钙钛矿液膜进行干燥，以使得钙钛矿液膜进行成核和涨晶，现有对于钙钛矿液膜进行干燥的方式之一是采用vcd（vacuum concentration drying），即一种用于对待干燥面进行真空干燥的设备，该设备用于对钙钛矿液膜进行真空干燥。

2、钙钛矿液膜置于vcd腔体内后，钙钛矿液膜中的溶剂会在vcd腔体内蒸发，当钙钛矿液膜进入饱和状态或过饱和状态时，钙钛矿液膜内会同时进行成核和涨晶，通过控制vcd腔体内的压降速度可以调节钙钛矿液膜中溶剂的蒸发速度，进而调节成核涨晶过程。一般快速的蒸发速率可以加速成核，减少成核涨晶并存的时间，进而实现成核速率远远大于涨晶速率，当均匀成核以后即可通过加热退火缓慢涨晶，由于涨晶是在成核的基础上涨晶，故使涨晶过程可控。

3、现有的vcd通常为下抽式结构，即在基板的下方形成抽真空孔，基板上方的钙钛矿液膜产生的蒸气流动至基板边缘并被基板下方的抽真空孔抽出。这种下抽式结构可以对小尺寸钙钛矿液膜的干燥效果较好，但在进行大尺寸钙钛矿液膜干燥时，蒸气的横向流动距离显著增大，易导致钙钛矿液膜上各处的蒸发速度不同，影响钙钛矿液膜的干燥质量。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种真空干燥工艺，用于提高大尺寸待干燥面各处的蒸发均匀性，提高待干燥面的干燥质量。

2、本发明的目的采用以下技术方案实现：

3、一种真空干燥工艺，包括：

4、将多个吸气口均匀分布在待干燥面的上面，且多个吸气口与待干燥面之间的间距相同；

5、多个吸气口同时开始吸收所述待干燥面产生的蒸气；

6、其中，所述吸气口与待干燥面之间的第一间距为5-35mm；

7、多个吸气口吸收的蒸气通过第一集气孔流动至第一均分腔内，与所述第一均分腔连通的多个吸气口环形阵列分布或方形阵列分布，且蒸气自每个吸气口流动至对应的第一均分腔内的流动路径的长度均相同；

8、多个第一均分腔内的蒸气通过第二集气孔流动至第二均分腔内，所述第二集气孔与所述第一均分腔的中心位置连通，与所述第二均分腔连通的多个第一均分腔环形阵列分布，且蒸气自每个所述第一均分腔流动至对应的第二均分腔内的流动路径的长度均相同。

9、优选地，所述吸气口的孔径自所述吸气口邻近待干燥面的一端朝向远离待干燥面的一端逐步减小，且所述吸气口形成空心的圆台状结构或空心的方锥形结构。

10、优选地，所述吸气口邻近待干燥面一端的第一开口的直径为第一间距的8-12倍，所述吸气口远离待干燥面一端的第二开口为直径的0.2-0.6倍；所述吸气口中第一开口的直径为1-300mm。

11、优选地，所述第一集气孔的第一孔径与所述吸气口中第二开口的直径相同；所述第一均分腔的第一宽度与所述第一集气孔的第一孔径相同，所述第一均分腔的第一高度为所述第一均分腔的第一宽度的0.5-1.2倍；

12、和/或，所述吸气口的外周轮廓与所述第一集气孔的外周轮廓形成的夹角为70-150°。

13、优选地，所述第一均分腔的中心位置和与所述第一均分腔的多个吸气口环形排布的圆心位置重合，与所述第一均分腔连通的多个吸气口内的蒸气朝向所述第一均分腔的中心位置流动。

14、优选地，所述第二集气孔的第二孔径为所述第一集气孔的第一孔径的1.5-2.5倍；所述第二均分腔的第二宽度与所述第二集气孔的第二孔径相同，所述第二均分腔的第二高度为所述第二均分腔的第二宽度的0.6-0.8倍。

15、优选地，所述第二均分腔的中心位置和与所述第二均分腔的多个所述第一均分腔环形排布的圆心位置重合，与所述第二均分腔连通的多个第一均分腔内的蒸气朝向所述第二均分腔的中心位置流动。

16、优选地，还包括：

17、将多个所述第二均分腔与连接管路连通，连接管路与真空发生装置连接，并通过所述真空发生装置产生的负压吸力抽取多个所述第二均分腔内的蒸气，蒸气自每个吸气口邻近待干燥面的一端流动至连接管路的排出端的距离相同。

18、与现有技术相比，本发明的有益效果至少包括：

19、通过将多个吸气口设置于待干燥面上方，使得待干燥面蒸发产生的蒸气向上流动即可被吸入吸气口，蒸气不需要先流动至待干燥面边缘，减少蒸气的横向流动，进而可以使得待干燥面上方各处气体分压相同或相似，因此，对待干燥面进行真空干燥时，可以使得待干燥面各处的蒸发速率相同或相似，进而提高待干燥面上方各处的蒸气流速的均匀性；通过将多个吸气口与待干燥面之间的间距设置为相同，使得待干燥面产生的蒸气流动至每个吸气口的流动距离相同，使得待干燥面上各处的蒸气均匀流动至对应的吸气口，提高待干燥面的干燥结晶效果；此外，将蒸气自吸气口流动第一均风腔的流动路径的长度设置为相同，且蒸气自第一均分腔到第二均分腔的流动路径的长度相同，可以使得蒸气自每个吸气口流动至第二均匀腔的流动路径的长度相同，进而使得每个吸气口处的气体分压相同或相似，提高待干燥面整体的蒸发速率的均匀性，从而确保了待干燥面各点涨晶更加一致，提高了待干燥面的结晶质量。

20、通过使蒸气自每个吸气口邻近待干燥面的一端流动至连接管路的排出端的距离设置为相同，以使得真空发生装置对每个吸气口的吸气速率相同，可以使得待干燥面上各处的压力相同，进一步提高待干燥面整体的蒸发速率的均匀性，提高待干燥面的结晶质量。

技术特征：

1.一种真空干燥工艺，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的真空干燥工艺，其特征在于，所述吸气口的孔径自所述吸气口邻近待干燥面的一端朝向远离待干燥面的一端逐步减小，且所述吸气口形成空心的圆台状结构或空心的方锥形结构。

3.根据权利要求1所述的真空干燥工艺，其特征在于，所述吸气口邻近待干燥面一端的第一开口的直径为第一间距的8-12倍，所述吸气口远离待干燥面一端的第二开口为直径的0.2-0.6倍；所述吸气口中第一开口的直径为1-300mm。

4.根据权利要求1所述的真空干燥工艺，其特征在于，所述第一集气孔的第一孔径与所述吸气口中第二开口的直径相同；所述第一均分腔的第一宽度与所述第一集气孔的第一孔径相同，所述第一均分腔的第一高度为所述第一均分腔的第一宽度的0.5-1.2倍；

5.根据权利要求4所述的真空干燥工艺，其特征在于，所述第一均分腔的中心位置和与所述第一均分腔的多个吸气口环形排布的圆心位置重合，与所述第一均分腔连通的多个吸气口内的蒸气朝向所述第一均分腔的中心位置流动。

6.根据权利要求1所述的真空干燥工艺，其特征在于，所述第二集气孔的第二孔径为所述第一集气孔的第一孔径的1.5-2.5倍；所述第二均分腔的第二宽度与所述第二集气孔的第二孔径相同，所述第二均分腔的第二高度为所述第二均分腔的第二宽度的0.6-0.8倍。

7.根据权利要求6所述的真空干燥工艺，其特征在于，所述第二均分腔的中心位置和与所述第二均分腔的多个所述第一均分腔环形排布的圆心位置重合，与所述第二均分腔连通的多个第一均分腔内的蒸气朝向所述第二均分腔的中心位置流动。

8.根据权利要求1所述的真空干燥工艺，其特征在于，还包括：

技术总结本发明公开了一种真空干燥工艺，包括：将多个吸气口均匀分布在待干燥面的上面，且多个吸气口与待干燥面之间的间距相同；多个吸气口同时开始吸收所述待干燥面产生的蒸气；其中，所述吸气口与待干燥面之间的第一间距为5‑35mm。本发明的真空干燥工艺用于提高大尺寸待干燥面各处的蒸发均匀性，提高待干燥面的干燥质量。技术研发人员：请求不公布姓名,请求不公布姓名,请求不公布姓名,王锦山受保护的技术使用者：德沪涂膜设备（苏州）有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/23