一种低损伤蚀刻光伏电池片铜种子层的方法与流程

本发明涉及太阳能电池片电镀蚀刻，具体是一种低损伤蚀刻光伏电池片铜种子层的方法。

背景技术：

1、在太阳能电池片生产工艺中，需要在铜种子层上覆盖掩膜层经过曝光显影后电镀，电镀完毕后去除掩膜层，此时电池片裸露种子层铜和电镀层铜，为了实现电池片特有的栅线结构，需要去除种子层铜，种子层铜厚度一般为100至150nm。

2、太阳能电池片传统蚀刻方法，通常将药液经过泵浦作用到管路喷嘴，再喷出至太阳能电池片表面，利用氧化还原反应，将电池上的cu0氧化成cu2+溶解在蚀刻液中，达到蚀刻去除电镀种子层的目的，利用此原理，蚀刻太阳能电池片电镀铜的种子层，保留铜栅线，形成太阳能电池的电极。蚀刻精度只能通过调解泵浦压力无法实现准确控制，容易造成蚀刻过量，破坏正常的电镀铜层，同时蚀刻药液使用量较大，蚀刻液中cu2+浓度达到一定数值时(约45g//l，蚀刻药液中铜离子含量达到一定数值时，将会达到饱和)，蚀刻效率变得很低，需要定期(约一周)更换，更换用时4至5h，给排放造成较大的污染，同时也是资源浪费。

3、现有技术的不足之处在于：现有技术中的太阳能电池片蚀刻方法，对蚀刻的精度控制比较困难，容易造成蚀刻过度或蚀刻不净等问题，同时需要定期更换蚀刻液，会造成排放量较大，定期更换药液也给生产造成一定时间的生产停滞，且采用药水蚀刻，会对栅线的侧壁造成攻击，为了确保导电性，需要把栅线做的更宽，这就使得遮光面积变大，电池片的转换效率随之降低。因此，本领域技术人员提供了一种低损伤蚀刻光伏电池片铜种子层的方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种低损伤蚀刻光伏电池片铜种子层的方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种低损伤蚀刻光伏电池片铜种子层的方法，具体包括以下步骤：

3、s01：去胶处理：对电镀后的电池片进行去胶处理；

4、s02：反电解处理：对上述去胶后的电池片放入电镀铜的槽液中，通入适当电流，通电后电池片作为阳极，通过电荷移动，将电池片上的铜，转变成铜离子，氧化去除电池片上pvd铜种子层；

5、s03：铜离子回收：在槽液中铜离子浓度达到一定量，开启正向电镀，用不锈钢板作为阴极，将槽液中铜离子电镀到不锈钢板上。

6、作为本发明进一步的方案：所述s02反电解处理中电池片上的铜被氧化成二价铜离子，从而和槽液中的硫酸根离子结合，变成硫酸铜。

7、作为本发明再进一步的方案：所述s02反电解处理中适当电流为电流大小依据电池片的总面积设定，按照1asd的电流密度。

8、作为本发明再进一步的方案：所述s02反电解处理中槽液包括硫酸100g/l。

9、作为本发明再进一步的方案：所述s03铜离子回收中铜离子浓度达到一定量为，铜离子浓度达到45g//l时。

10、与现有技术相比，本发明的有益效果是：

11、1、本发明通过对电镀后的电池片进行去胶处理后在进行反电解处理，达到对太阳能电池片种子层被溶解的目的，同时在槽液中铜离子浓度达到一定量时(铜含量达到40g/l)，开启正向电镀，用不锈钢板作为阴极，利用电镀的原理，将槽液中铜离子电镀到不锈钢板上，实现药液的低消耗量、低排放量，为原有技术排放量的1/10，达到节约能源和排放减少污染的效果，本发明不仅实现高精度蚀刻，而且能长期循环使用，提升工作效率，减少药液排放。

12、2、本发明采用反电解的方法去除pvd铜种子层，是利用金属铜在得到电子的时候，发生氧化反应，0价的铜变成﹢2价铜，从而达到去除pvd铜种子层的目的，而且在去除铜种子层的同时主要作用在表面层，不会对电池片栅线的侧壁造成伤害，从而保证了栅线的导电性，本发明能够在提高电池片发电效率的同时，将电池片的栅线做的更细。

技术特征：

1.一种低损伤蚀刻光伏电池片铜种子层的方法，其特征在于：具体包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种低损伤蚀刻光伏电池片铜种子层的方法，其特征在于：所述s02反电解处理中电池片上的铜被氧化成二价铜离子，从而和槽液中的硫酸根离子结合，变成硫酸铜。

3.根据权利要求1所述的一种低损伤蚀刻光伏电池片铜种子层的方法，其特征在于：所述s02反电解处理中适当电流为电流大小依据电池片的总面积设定，按照1asd的电流密度。

4.根据权利要求1所述的一种低损伤蚀刻光伏电池片铜种子层的方法，其特征在于：所述s02反电解处理中槽液包括硫酸100g/l。

5.根据权利要求1所述的一种低损伤蚀刻光伏电池片铜种子层的方法，其特征在于：所述s03铜离子回收中铜离子浓度达到一定量为，铜离子浓度达到45g//l时。

技术总结本发明公开了一种低损伤蚀刻光伏电池片铜种子层的方法，涉及太阳能电池片电镀蚀刻技术领域，具体包括以下步骤：S01：去胶处理：对电镀后的电池片进行去胶处理；S02：反电解处理：对上述去胶后的电池片放入电镀铜的槽液中，通入适当电流，通电后电池片作为阳极，通过电荷移动，将电池片上的铜，转变成铜离子，氧化去除电池片上PVD铜种子层；S03：铜离子回收：在槽液中铜离子浓度达到一定量，开启正向电镀，用不锈钢板作为阴极，将槽液中铜离子电镀到不锈钢板上。本发明采用反电解的方法去除PVD铜种子层，是利用金属铜在得到电子的时候，发生氧化反应，0价的铜变成﹢2价铜，从而达到去除PVD铜种子层的目的。技术研发人员：吴延斌,杨欣,冯良波受保护的技术使用者：苏州皓申智能科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/4/17