MEMS产品划片切割方法与流程

本发明涉及mems技术领域，更为具体地，涉及一种mems产品划片切割方法。

背景技术：

微机电系统(mems，micro-electromechanicalsystems)是一种基于微电子技术和微加工技术的一种高科技领域。mems技术可将机械构件、驱动部件、电控系统、数字处理系统等集成为一个整体的微型单元。mems器件具有微小、智能、可执行、可集成、工艺兼容性好、成本低等诸多优点。mems技术的发展开辟了一个全新的技术领域和产业，采用mems技术制作的微传感器、微执行器、微型构件、微机械光学器件、真空微电子器件、电力电子器件等在航空、航天、汽车、生物医学、环境监控、军事，物联网以及其他领域中都有着十分广阔的应用前景。

目前，mems产品划片切割工艺，刀片以设定刀高的高度划切一刀后结束，刀片在产品上方迅速返回；这种mems产品划片工艺会造成大量的产品uv胶丝、白色粉末异物。

为了解决上述问题，亟需一种新的mems产品划片切割方法。

技术实现要素：

鉴于上述问题，本发明的目的是提供一种mems产品划片切割方法，通过两次划切，以解决现有技术中mems产品划片切割工艺所产生的产品uv胶丝、白色粉末异物不良等问题。

本发明提供一种mems产品划片切割方法，mems产品包括pcb，在pcb上设置有pcb声孔，其中，

切割方法包括以下步骤：

步骤s110：在pcb有声孔的一面粘贴uv膜，uv膜用于防止切割过程中pcb声孔进水；

步骤s120：将pcb未贴有uv膜的一面朝上放置在划片机的工作台上，设置第一次划片的刀高和划切速度，对所述pcb进行第一次划切；

步骤s130：在完成第一划切后，设置第二次划切的刀高高于第一次划切的刀高，沿第一次划切后的切割道反向划切，进行第二次划切；

步骤s140：对完成第二次划切后的pcb进行清洗、甩干；

步骤s150：对清洗、甩干后的pcb进行uv照射，以解除uv膜粘性；

步骤s160：将步骤s150处理后的pcb的uv膜去除，同时将mems产品与pcb废料分离，获取mems产品。

此外，优选的方案是，还包括步骤s170：对获取的mems产品进行测试。

此外，优选的方案是，在步骤s150中，对pcb的正反面进行uv照射，并且照射的时间为2～30s。

此外，优选的方案是，根据pcb和uv膜的规格，设置划片刀的刀高和划切速度。

此外，优选的方案是，第一次划切的刀高为：0.04～0.05mm，第二次划切的刀高为：0.06～0.07mm。

此外，优选的方案是，划切速度为：30～120mm/s。

从上面的技术方案可知，本发明提供的mems产品划片切割方法，通过两次划切实现mems产品划片的切割，第一次划切用以将pcb整体划透，使产品有效分离；第二次划切以高于第一次划切设定刀高的高度沿切割道返回，刀片抬高后反切，刀片不会对pcb造成二次划切和损伤，第一次划切被卷起的胶丝被反向切割的刀片划断或拉断；本发明的这种切割方式，能够解决现有技术中mems产品划片切割工艺所产生的产品uv胶丝、白色粉末异物不良等问题。

为了实现上述以及相关目的，本发明的一个或多个方面包括后面将详细说明的特征。下面的说明以及附图详细说明了本发明的某些示例性方面。然而，这些方面指示的仅仅是可使用本发明的原理的各种方式中的一些方式。此外，本发明旨在包括所有这些方面以及它们的等同物。

附图说明

通过参考以下结合附图的说明，并且随着对本发明的更全面理解，本发明的其它目的及结果将更加明白及易于理解。在附图中：

图1为根据本发明实施例的mems产品划片切割方法流程示意图；

图2为根据本发明实施例的mems产品划片切割方法图解示意图。

在所有附图中相同的标号指示相似或相应的特征或功能。

具体实施方式

在下面的描述中，出于说明的目的，为了提供对一个或多个实施例的全面理解，阐述了许多具体细节。然而，很明显，也可以在没有这些具体细节的情况下实现这些实施例。

前述提到的现有技术中mems产品划片切割工艺所产生的产品uv胶丝、白色粉末异物不良等问题，本发明提供了一种新的mems产品划片切割方法，通过两次划切实现mems产品划片的切割，在完成第一划切之后，以高于第一次划切设定刀高的高度沿切割道返回进行第二次划切，这种切割方式，刀片不会对pcb造成二次划切和损伤，同时第一次划切被卷起的胶丝被反向切割的刀片划断或拉断。

以下将结合附图对本发明的具体实施例进行详细描述。

为了说明本发明提供的mems产品划片切割方法，图1示出了根据本发明实施例的mems产品划片切割方法流程。

如图1所示，本发明提供的mems产品划片切割方法，其中，mems产品包括pcb，在pcb上设置有pcb声孔，切割方法包括以下步骤：

步骤s110：在pcb有声孔的一面粘贴uv膜，uv膜用于防止切割过程中pcb声孔进水；

步骤s120：将pcb未贴有uv膜的一面朝上放置在划片机的工作台上，设置第一次划片的刀高和划切速度，根据设置的第一次划切的刀高和划切速度对所述pcb进行第一次划切，并将pcb划透；

步骤s130：在完成第一划切后，设置第二次划切的刀高高于第一次划切的刀高，沿第一次划切后的切割道反向划切，进行第二次划切；

步骤s140：对完成第二次划切后的pcb进行清洗、甩干；

步骤s150：对清洗、甩干后的pcb进行uv照射，以解除uv膜粘性；

步骤s160：将步骤s150处理后的pcb的uv膜去除，同时将mems产品与pcb废料分离，获取mems产品。

步骤s170：对获取的mems产品进行测试。

上述为整个mems产品划片切割工艺流程，步骤s110，贴uv膜；将pcb声孔面整体、有效粘贴uv膜，防止切割中产品声孔进水。

步骤s120，第一次划切；将贴uv膜的pcb正面朝上放置在划片机待加工的工作台上，根据pcb、uv膜的规格要求，选定规定刀片并设置划片刀高、划切速度：第一次划片全部将pcb整体划透，使pcb上各产品有效分离。

其中，pcb正反面具体是指，未贴有uv膜的一面是pcb的正面，贴有uv膜的一面为反面，pcb的正面设置有mems产品的外壳结构。

在实际应用中，根据pcb、uv膜的规格要求，在第一次划切时，设定刀高为0.04～0.05mm，划切速度30～120mm/s，优选地，刀高一般定为0.05mm。一般来说，根据产品的规格，可以设定不同的刀高和划切速度。

步骤s130，第二次划切；设定划片刀高高于第一次划切刀高，沿第一次划切后的切割道反向划切；由于在于第一次划切pcb已经分离，产品边缘有pcb切割碎屑和切割水混合后沉淀下的异物，形成白色粉末，且uv膜上有被刀片划切过程卷起的胶丝。第二此划切时，刀片抬高后反切，刀片不会对pcb造成二次划切和损伤，但刀片本身转速+划切移动会再次将切割水挤压进产品四周，进行再次冲洗；同时第一次划切时被卷起的胶丝被反向切割的刀片划断或拉断。

其中，需要说明的是，第二次划切的刀高要高于第一次划切的刀高，原因是mems产品已经分离，但uv膜有韧性，产品会有轻微位移，如果仍然沿第一次划切刀高返回，在刀片高速运转离心力作用下，旋转的刀片可能会对再次接触已分离的产品，目的是为了防止刀片返回时对产品造成伤害，造成质量异常。

步骤s150，解胶；对步骤s140处理后的pcb进行反正面uv照射2-30秒，解除uv膜粘性75％以上。

步骤s160，转膜，对步骤s150处理后的pcb进行转膜，将已切割且已解胶的uv膜去除，同时将mems产品与pcb废料分离。

为了进一步说明本发明的通过两次划切实现mems产品划片的切割，图2示出了根据本发明实施例的mems产品划片切割方法图解。

如图2所示，在第一次划切时，设定刀片的刀高为0.05mm，即：刀片距离pcb的距离为0.05mm，以顺时针的方向顺着切割道进行第一切割，直至将pcb完全切透，使得pcb上各产品有效分离；然后，将刀片抬升，以高于第一次刀高的高度反切(第二划切的刀高为0.06mm)，沿切割道返回，进行第二次切割。第二次划切的刀高高于第一次划切的刀高是为了防止刀片返回时对产品造成伤害，以减小不良产品。

在本发明的实施例中，通过采用本发明的方法进行切割，产品良率可以提升0.1％。

通过上述实施方式可以看出，本发明提供的mems产品划片切割方法，通过两次划切实现mems产品划片的切割，第一次划切用以将pcb整体划透，使产品有效分离；第二次划切以高于第一次划切设定刀高的高度沿切割道返回，刀片抬高后反切，刀片不会对pcb造成二次划切和损伤，第一次划切被卷起的胶丝被反向切割的刀片划断或拉断；本发明的这种切割方式，能够解决现有技术中mems产品划片切割工艺所产生的产品uv胶丝、白色粉末异物不良等问题。

如上参照附图以示例的方式描述了根据本发明提出的mems产品划片切割方法。但是，本领域技术人员应当理解，对于上述本发明所提出的mems产品划片切割方法，还可以在不脱离本发明内容的基础上做出各种改进。因此，本发明的保护范围应当由所附的权利要求书的内容确定。