微机电结构与晶圆、麦克风和终端的制作方法

1.本技术涉及半导体器件制造领域，更具体地，涉及微机电结构与晶圆、麦克风和终端。背景技术：2.基于微机电系统(micro electro mechanical systems，mems)制造的麦克风被称为mems麦克风，主要包括振膜与背板，并且振膜与背板之间具有间隙。气压的改变会导致振膜变形，振膜与电极板之间的电容值发生改变，从而转换为电信号输出。3.双背板、双振膜麦克风的灵敏度高，可靠性好，在现阶段得到广泛的应用。以双背板麦克风为例，通常由衬底、第一牺牲层、第一背板、第二牺牲层、振膜、第三牺牲层和第二背板依次堆叠构成。双背板麦克风在工作中，声音信号通过衬底的背腔进入第一背板的声孔，然后作用到振膜上，使得振膜发生变形，控制芯片通过监控第一背板和振膜的电容值变化以及振膜和第二背板间的电容值变化，实现将声音信号转换成电信号的功能。在常见的双背板麦克风中，牺牲层的部分通过释放溶液腐蚀后，沿着一定的路径流动，最终形成具有一定图形的支撑部。4.然而，释放工艺中的释放溶液会从划片道朝向管芯的侧向腐蚀，使得各个支撑部的外侧壁形状不规则，尺寸不易控制，甚至支撑部完全被腐蚀，这会导致管芯的第一背板、振膜以及第二背板的应力发生变化，影响产品的性能。此外，由于各个支撑部的外侧壁形状不规则，从而影响第一背板、振膜以及第二背板在支撑部连接处的机械强度，导致管芯强度不够，轻微的撞击或跌落都会失效。5.因此，希望提供一种改进的微机电结构，以提高产品的性能。技术实现要素：6.有鉴于此，本实用新型提供了一种改进的微机电结构与晶圆、麦克风和终端，在双背板或双振膜的微机电结构中，利用功能层形成下沉部，不仅从结构上限制了支撑部的外围尺寸，而且还能增加功能层与支撑部外侧壁边缘相连处的机械强度，从而提高了产品的性能。7.根据本实用新型实施例的第一方面，提供了一种微机电结构，包括：衬底，具有腔体；第一支撑部，位于所述衬底上；第一功能层，位于所述第一支撑部上；第二支撑部，位于所述第一功能层上；第二功能层，位于所述第二支撑部上；第三支撑部，位于所述第二功能层上；以及第三功能层，位于所述第三支撑部上，其中，所述第一支撑部、所述第二支撑部与所述第三支撑部均具有远离所述腔体的中轴线的外侧壁，所述腔体的中轴线垂直于所述第一功能层，所述第一功能层与所述第三功能层为振膜和背板中的一种，所述第二功能层为所述振膜和所述背板中的另一种，所述第一功能层、所述第二功能层以及所述第三功能层中的至少一个具有下沉部以覆盖所述第一支撑部、所述第二支撑部以及所述第三支撑部的外侧壁。8.可选地，所述第三功能层具有下沉部，所述第三功能层的下沉部沿所述第三支撑部的外侧壁延伸至所述第二功能层上，所述第二功能层具有下沉部，所述第二功能层的下沉部沿所述第二支撑部的外侧壁延伸至所述第一功能层上，所述第一功能层具有下沉部，所述第一功能层的下沉部沿所述第一支撑部的外侧壁延伸至所述衬底上。9.可选地，所述第三功能层具有下沉部，所述第三功能层的下沉部沿所述第三支撑部的外侧壁延伸至所述第二功能层上，所述第二功能层具有下沉部，所述第二功能层的下沉部依次经过所述第二支撑部的外侧壁、所述第一功能层的侧壁以及所述第一支撑部的外侧壁延伸至所述衬底上。10.可选地，所述第三功能层具有下沉部，所述第三功能层的下沉部依次经过所述第三支撑部的外侧壁、所述第二功能层的侧壁以及所述第二支撑部的外侧壁延伸至所述第一功能层上，所述第一功能层具有下沉部，所述第一功能层的下沉部沿所述第一支撑部的外侧壁延伸至所述衬底上。11.可选地，所述第三功能层具有下沉部，所述第三功能层的下沉部依次经过所述第三支撑部的外侧壁、所述第二功能层的侧壁、所述第二支撑部的外侧壁、所述第一功能层的侧壁以及所述第一支撑部的外侧壁延伸至所述衬底上。12.可选地，沿背离所述腔体的中轴线的方向，所述第三支撑部凸出于所述第一支撑部的外侧壁，或者，所述第三支撑部凹陷于所述第一支撑部的外侧壁，其中，沿背离所述腔体的中轴线的方向，所述第二支撑部不同时凸出于或凹陷于所述第一支撑部的外侧壁与所述第三支撑部的外侧壁。13.可选地，所述第一支撑部的外侧壁、所述第二支撑部的外侧壁以及所述第三支撑部的外侧壁平齐。14.可选地，所述背板包括上介质层、下介质层以及导电层，所述导电层夹在所述上介质层与所述下介质层之间。15.可选地，所述背板的下沉部为该背板的导电层的一部分且贯穿该背板的下介质层，和/或延伸至所述背板上的下沉部贯穿该背板的上介质层并与该背板的导电层相连。16.可选地，所述振膜为多晶硅振膜，所述导电层为多晶硅导电层。17.可选地，所述背板的导电层覆盖下介质层的侧壁，所述振膜为多晶硅振膜，所述导电层为多晶硅导电层。18.根据本实用新型实施例的第二方面，提供了一种晶圆，包括多个呈阵列排布的如上所述的微机电结构。19.根据本实用新型实施例的第三方面，提供了一种麦克风，包括如上所述的微机电结构。20.根据本实用新型实施例的第四方面，提供了一种终端，包括如上所述的麦克风。21.本实用新型实施例提供的微机电结构在第一功能层、第二功能层以及第三功能层中设置下沉部，使得所有下沉部可以连续包裹第一至第三支撑部的外侧壁，不仅从结构上限制了支撑部的外围尺寸，还能增加功能层与支撑部外侧壁边缘相连处的机械强度、一致性以及第一至第三支撑部外侧壁的平滑度。22.各下沉部的材料均为多晶硅，由各下沉部组成的单一材料的多晶硅保护墙减少了界面的缺陷，从而提高对释放溶液的抗腐蚀性能。23.通过将支撑部呈正梯形排布，第一支撑部与衬底的接触面积大于第三支撑部与第二背板的接触面积，有利于控制产品的整体应力。24.通过将支撑部呈倒梯形排布，当声音从衬底的背腔进来时，声音信号与振膜的接触面积更大，进而提高了产品的灵敏度。25.因此，本实用新型提供的微机电结构与晶圆、麦克风和终端可以大大提高产品的性能。附图说明26.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单介绍，显而易见地，下面的描述中的附图仅涉及本技术的一些实施例，而非对本技术的限制。27.图1示出了本实用新型第一实施例的微机电结构的示意图。28.图2a与图2b示出了本实用新型第一实施例的微机电结构的释放步骤示意图。29.图3示出了本实用新型第二实施例的微机电结构的示意图。30.图4示出了本实用新型第三实施例的微机电结构的示意图。31.图5示出了本实用新型第四实施例的微机电结构的示意图。32.图6示出了本实用新型第五实施例的微机电结构的示意图。33.图7示出了本实用新型第六实施例的微机电结构的示意图。34.图8示出了本实用新型第七实施例的微机电结构的示意图。35.图9示出了本实用新型第八实施例的微机电结构的示意图。具体实施方式36.以下将参照附图更详细地描述本实用新型。在各个附图中，相同的元件采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。此外，可能未示出某些公知的部分。为了简明起见，可以在一幅图中描述经过数个步骤后获得的半导体结构。37.应当理解，在描述器件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将器件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。38.如果为了描述直接位于另一层、另一个区域上面的情形，本文将采用“直接在……上面”或“在……上面并与之邻接”等表述方式。39.在下文中描述了本实用新型的许多特定的细节，例如器件的结构、材料、尺寸、处理工艺和技术，以便更清楚地理解本实用新型。但正如本领域的技术人员能够理解的那样，可以不按照这些特定的细节来实现本实用新型。40.在相关技术中，为了防止释放溶液从划片道朝向管芯的侧向腐蚀支撑部，采用氮化硅，多晶硅和氮化硅三者组在支撑部合外侧壁形成三道保护墙。然而，由于在器件流片工艺中，氮化硅材料会和多晶硅材料形成界面，由于两种材料的微观结构不一样，在薄膜淀积中可能会出现缺陷，导致释放溶液依然会从划片道朝向管芯的侧向腐蚀支撑部。41.为解决上述问题，本实用新型实施例利用背板与振膜的下沉部组合构成单材料保护墙，各层的下沉部接触界面原子匹配好，界面上的缺陷少，能更好的改善释放溶液从划片道侧向腐蚀支撑部问题。42.本实用新型可以各种形式呈现，以下将描述其中一些示例。43.图1示出了本实用新型第一实施例的微机电结构的示意图，其中，点划线表示垂直于第一背板120、振膜130以及第二背板140的腔体101a的中轴线。44.如图1所示，本实用新型第一实施例的微机电结构包括：衬底101、第一支撑部111、第二支撑部112、第三支撑部113、第一背板120、振膜130以及第二背板140。衬底101具有腔体101a。第一支撑部111位于衬底101上的边缘处，具有靠近腔体101a中轴线的内侧壁以及远离腔体101a中轴线的外侧壁。第一背板120位于第一支撑部111上并覆盖腔体101a。第二支撑部112位于第一背板120上，位置与第一支撑部111对应，第二支撑部112具有靠近腔体101a中轴线的内侧壁以及远离腔体101a中轴线的外侧壁。振膜130位于第二支撑部112上，与第一背板120之间具有间隙102。第三支撑部113位于振膜130上，位置与第二支撑部112对应，第三支撑部113具有靠近腔体101a中轴线的内侧壁以及远离腔体101a中轴线的外侧壁。第二背板140位于第三支撑部113上，与振膜130之间具有间隙103。45.在本实施例中，第一背板120具有下沉部120a，第一背板的下沉部120a具有靠近腔体101a中轴线的内侧壁以及远离腔体101a中轴线的外侧壁，并且第一背板的下沉部120a沿第一支撑部111的外侧壁延伸至衬底101上。振膜130具有下沉部130a，振膜的下沉部130a具有靠近腔体101a中轴线的内侧壁以及远离腔体101a中轴线的外侧壁，并且振膜的下沉部130a沿第二支撑部112的外侧壁延伸至第一背板120上。第二背板140具有下沉部140a，第二背板的下沉部140a具有靠近腔体101a中轴线的内侧壁以及远离腔体101a中轴线的外侧壁，并且第二背板的下沉部140a沿第三支撑部113的外侧壁延伸至振膜130上。46.在一些具体的实施例中，第一背板120包括下介质层121、导电层122以及上介质层123，其中，一部分导电层122夹在上介质层123与下介质层121之间，另一部分导电层122作为第一背板的下沉部120a贯穿下介质层121并沿第一支撑部111的外侧壁延伸至衬底101上。振膜的下沉部贯穿第一背板的上介质层123并与第一背板的导电层122相连。第二背板140包括下介质层141、导电层142以及上介质层143，其中，一部分导电层142夹在上介质层143与下介质层141之间，另一部分导电层142作为第二背板的下沉部140a贯穿下介质层141并沿第三支撑部113的外侧壁延伸至振膜130上。47.更具体的，导电层122与导电层142均与振膜130的材料相同，例如均为多晶硅，上介质层123、下介质层121、上介质层143以及下介质层141的材料例如均为氮化硅，第一支撑部111、第二支撑部112以及第三支撑部113的材料例如均为氧化硅，衬底101例如为硅衬底或者其它衬底。当然，本领域技术人员可以根据需要对衬底101、第一支撑部111、第二支撑部112、第三支撑部113、第一背板120、振膜130以及第二背板140的材料进行其他设置。48.在本实施例中，间隙102、103对应的第一背板120、振膜130、第二背板140的部分为有效部分，其中，第一背板120的有效部分与第一背板的下沉部120a电隔离，振膜130的有效部分与振膜的下沉部130a点隔离，第二背板140的有效部分与第二背板的下沉部140a电隔离。电隔离的方式本领域技术人员可以根据需要设置，例如在第二背板140对应第三支撑部113的位置，通过让上介质层143与下介质层141接触分隔导电层142。49.在本实施例中，第一背板的下沉部120a、振膜的下沉部130a、第二背板的下沉部140a在衬底101表面上的正投影均呈环形围绕腔体101a，且三者的正投影相互错开。相应的，第一支撑部111、第二支撑部112以及第三支撑部113呈正梯形排布，既第一支撑部111沿背离腔体101a中轴线的方向凸出于第二支撑部112的外侧壁，第二支撑部112沿背离腔体101a中轴线的方向凸出于第三支撑部113的外侧壁。然而本实用新型实施例并不限于此，本领域技术人员可以根据需要对第一支撑部111、第二支撑部112以及第三支撑部113的排布进行其他设置。第一支撑部111为该层牺牲层释放之后在衬底101上留下来的部分，第一支撑部111位于衬底101的周边缘上，采用周边缘全固支的方式将位于第一支撑部111上方的第一背板120支撑在衬底101上。第二支撑部112为该层牺牲层释放之后在第一背板120上留下来的部分，第二支撑部112位于第一背板120的周边缘上，采用周边缘全固支的方式将位于第二支撑部112上方的振膜130支撑固定。第三支撑部113为该层牺牲层释放之后在振膜130上留下来的部分，第三支撑部113位于振膜130的周边缘上，采用周边缘全固支的方式将位于第三支撑部113上方的第二背板140支撑固定。50.在本实施例中，微机电结构还包括多个位于第二背板140上的焊盘(未示出)，用于和第二背板140、振膜130以及第一背板120电连接。51.进一步的，第一背板120还具有多个声孔11，第二背板140还具有多个声孔12以将该微机电结构用于麦克风。振膜130还可以设置泄气孔(未示出)，其中，声孔11与泄气孔的数量、形状、尺寸本领域技术人员可以根据需要设置。本实施例的微机电结构还包括多个防粘结构150，位于第二背板140靠近振膜130的表面，防止第二背板140与振膜130粘连，多个防粘结构150还位于振膜130靠近第一背板120的表面，防止第一背板120与振膜130粘连。52.图2a与图2b示出了本实用新型第一实施例的微机电结构的释放步骤示意图。53.如图2a所示，在晶圆的划片道13处，牺牲层104覆盖了衬底101，为了便于后续的划片工艺，需要将划片道13处的牺牲层104去除。如图2b所示，在释放工艺中，释放溶液经第二背板的声孔、第一背板的声孔以及衬底的背腔将部分牺牲层去除从而形成了第一支撑部111、第二支撑部112以及第三支撑部113。与此同时，释放溶液还去除了划片道13处的牺牲层，将衬底101露出，在此过程中，第一背板的下沉部、振膜的下沉部以及第二背板的下沉部保护了第一支撑部111、第二支撑部112以及第三支撑部113。54.如图3所示，在一些其他实施例中，第一支撑部111、第二支撑部112以及第三支撑部113呈倒梯形排布，既第二支撑部112沿背离腔体101a中轴线的方向凸出于第一支撑部111的外侧壁，第三支撑部113沿背离腔体101a中轴线的方向凸出于第二支撑部112的外侧壁。55.在另一些其他实施例中，3部分下沉部120a、130a以及140a对齐，第一支撑部111、第二支撑部112以及第三支撑部113的外侧壁平齐。56.在图1至图3所述的实施例中，由3部分下沉部120a、130a以及140a共同构成保护第一支撑部111、第二支撑部112以及第三支撑部113外侧壁的保护墙，且由于3部分下沉部的材料一致，各层的下沉部接触界面原子匹配好，界面上的缺陷少，能更好的改善释放溶液从划片道侧向腐蚀支撑部问题。57.图4示出了本实用新型第三实施例的微机电结构的示意图。58.如图4所示，本实用新型第三实施例的微机电结构与第一实施例的区别在于，在本实施例的微机电结构中，第一背板120不具有下沉部。而振膜的下沉部130a依次经第二支撑部112的外侧壁、第一背板120的侧壁以及第一支撑部111的外侧壁延伸至衬底101上。其中，第二支撑部112的外侧壁、第一背板120的侧壁以及第一支撑部111的外侧壁平齐。59.在本实施例中，仅由两部分下沉部130a与140a就可以构成保护第一支撑部111、第二支撑部112以及第三支撑部113外侧壁的保护墙，由于减少了下沉部的数量，进一步增加了保护墙的完整性与平整性，从而进一步减少侧面侵蚀的风险。60.图5示出了本实用新型第四实施例的微机电结构的示意图。61.如图5所示，本实用新型第四实施例的微机电结构与第三实施例的区别在于，在本实施例的微机电结构中，一部分第一背板的导电层122夹在第一背板的上介质层121与下介质层123之间，而在第一背板120的侧壁，另一部分第一背板的导电层122覆盖第一背板的下介质层121并延伸至第一支撑部111上，从而增加了第一背板120侧壁处导电层122与振膜的下沉部130a的接触面积。62.在本实施例中，由于第一背板的导电层122与振膜的下沉部130a均为多晶硅材料，随着同材料结构的接触面积增加，进一步增大结合处的牢固性。63.图6示出了本实用新型第五实施例的微机电结构的示意图。64.如图6所示，本实用新型第五实施例的微机电结构与第一实施例的区别在于，在本实施例的微机电结构中，振膜130不具有下沉部。而第二背板的下沉部140a依次经第三支撑部113的外侧壁、振膜130的侧壁以及第二支撑部112的外侧壁延伸至第一背板120上。其中，第二背板的下沉部140a贯穿第一背板的上介质层123，并与导电层122相连。第二支撑部112的外侧壁、振膜130的侧壁以及第三支撑部113的外侧壁平齐，第一支撑部111的外侧壁沿远离腔体中轴线的方向凸出于第二支撑部112的外侧壁。然而本实用新型实施例并不限于此，本领域技术人员还可以根据需要将第二支撑部112的外侧壁沿远离腔体中轴线的方向凸出于第一支撑部111的外侧壁。65.在本实施例中，仅由两部分下沉部120a与140a就可以构成保护第一支撑部111、第二支撑部112以及第三支撑部113外侧壁的保护墙，由于减少了下沉部的数量，进一步增加了保护墙的完整性与平整性，从而进一步减少侧面侵蚀的风险。66.图7示出了本实用新型第六实施例的微机电结构的示意图。67.如图7所示，本实用新型第六实施例的微机电结构与第三实施例的区别在于，在本实施例的微机电结构中，第三支撑部113沿背离腔体101a中轴线的方向凸出于第二支撑部112的外侧壁。优选地，而在第一背板120的侧壁，第一背板的导电层122也可以覆盖第一背板的下介质层121并延伸至第一支撑部111上，从而增加了第一背板120侧壁处导电层122与振膜的下沉部130a的接触面积，又由于导电层122与振膜的下沉部130a的材料相同，同一材料的结构接触面积增大，进一步提高了结合的强度。68.图8示出了本实用新型第七实施例的微机电结构的示意图。69.如图8所示，本实用新型第七实施例的微机电结构与第一实施例的区别在于，在本实施例的微机电结构中，第一背板120与振膜130均不具有下沉部。而第三背板的下沉部140a依次经第三支撑部113的外侧壁、振膜130的侧壁、第二支撑部112的外侧壁、第一背板120的侧壁以及第一支撑部111的外侧壁延伸至衬底101上。其中，第一支撑部111的外侧壁、第一背板120的侧壁、第二支撑部112的外侧壁、振膜130的侧壁以及第三支撑部113的外侧壁平齐。在本实施例中，由单一下沉部140a就可以构成保护第一支撑部111、第二支撑部112以及第三支撑部113外侧壁的保护墙，由于减少了下沉部的数量，进一步增加了保护墙的完整性与平整性，从而进一步减少侧面侵蚀的风险。70.在上述图1至图8所述描述的实施例中，微机电结构均为双背板结构，其中，第一背板120作为第一功能层，振膜130作为第二功能层，第二背板140作为第三功能层。71.图9示出了本实用新型第八实施例的微机电结构的示意图，其中，点划线表示垂直于第一振膜220、背板230以及第二振膜240的腔体201a的中轴线。72.如图9所示，本实用新型第八实施例的微机电结构包括：衬底201、第一支撑部211、第二支撑部212、第三支撑部213、第一振膜220、背板230以及第二振膜240。衬底201具有腔体201a。第一支撑部211位于衬底201上的边缘处，具有靠近腔体201a中轴线的内侧壁以及远离腔体201a中轴线的外侧壁。第一振膜220位于第一支撑部211上并覆盖腔体201a。第二支撑部212位于第一振膜220上，位置与第一支撑部211对应，第二支撑部212具有靠近腔体201a中轴线的内侧壁以及远离腔体201a中轴线的外侧壁。背板230位于第二支撑部212上，与第一振膜220之间具有间隙202。第三支撑部213位于背板230上，位置与第二支撑部212对应，第三支撑部213具有靠近腔体201a中轴线的内侧壁以及远离腔体201a中轴线的外侧壁。第二振膜240位于第三支撑部213上，与背板230之间具有间隙203。73.在本实施例中，第一振膜220具有下沉部220a，第一振膜的下沉部220a具有靠近腔体201a中轴线的内侧壁以及远离腔体201a中轴线的外侧壁，并且第一振膜的下沉部220a沿第一支撑部211的外侧壁延伸至衬底201上。背板230具有下沉部230a，背板的下沉部230a具有靠近腔体201a中轴线的内侧壁以及远离腔体201a中轴线的外侧壁，并且背板的下沉部230a沿第二支撑部212的外侧壁延伸至第一振膜220上。第二振膜240具有下沉部240a，第二振膜的下沉部240a具有靠近腔体201a中轴线的内侧壁以及远离腔体201a中轴线的外侧壁，并且第二振膜的下沉部240a沿第三支撑部213的外侧壁延伸至背板230上。74.在一些具体的实施例中，背板230包括下介质层231、导电层232以及上介质层233，其中，一部分导电层232夹在上介质层233与下介质层231之间，另一部分导电层232作为背板的下沉部230a贯穿下介质层231并沿第一支撑部211的外侧壁延伸至第一振膜220上。第二振膜的下沉部240a贯穿背板的上介质层233并与导电层232相连。75.更具体的，导电层232与第一振膜220、第二振膜230的材料相同，例如均为多晶硅，上介质层233、下介质层231的材料例如均为氮化硅，第一支撑部211、第二支撑部212以及第三支撑部213的材料例如均为氧化硅，衬底201例如为硅衬底或者其它衬底。当然，本领域技术人员可以根据需要对衬底201、第一支撑部211、第二支撑部212、第三支撑部213、第一振膜220、背板230以及第二振膜240的材料进行其他设置。76.在本实施例中，间隙202、203对应的第一振膜220、背板230、第二振膜240的部分为有效部分，其中，第一振膜220的有效部分与第一振膜的下沉部220a电隔离，背板230的有效部分与背板的下沉部230a点隔离，第二振膜240的有效部分与第二振膜的下沉部240a电隔离。电隔离的方式本领域技术人员可以根据需要设置，例如采用隔离结构261、262、263。77.在本实施例中，第一振膜的下沉部220a、背板的下沉部230a、第二振膜的下沉部240a在衬底201表面上的正投影均呈环形围绕腔体201a，且三者的正投影相互错开。相应的，第一支撑部211、第二支撑部212以及第三支撑部213呈正梯形排布，既第一支撑部211沿背离腔体201a中轴线的方向凸出于第二支撑部212的外侧壁，第二支撑部212沿背离腔体201a中轴线的方向凸出于第三支撑部213的外侧壁。然而本实用新型实施例并不限于此，本领域技术人员可以根据需要对第一支撑部211、第二支撑部212以及第三支撑部213的排布进行其他设置。第一支撑部211为该层牺牲层释放之后在衬底201上留下来的部分，第一支撑部211位于衬底201的周边缘上，采用周边缘全固支的方式将位于第一支撑部211上方的第一振膜220支撑在衬底201上。第二支撑部212为该层牺牲层释放之后在第一振膜220上留下来的部分，第二支撑部212位于第一振膜220的周边缘上，采用周边缘全固支的方式将位于第二支撑部212上方的背板230支撑固定。第三支撑部213为该层牺牲层释放之后在背板230上留下来的部分，第三支撑部213位于背板230的周边缘上，采用周边缘全固支的方式将位于第三支撑部213上方的第二振膜240支撑固定。78.在本实施例中，微机电结构还包括多个位于第二振膜240上的焊盘(未示出)，用于和第二振膜240、背板230以及第一振膜220电连接。79.进一步的，第一振膜220还具有多个声孔21，第二振膜240还具有多个声孔22以将该微机电结构用于麦克风。背板230还可以设置泄气孔23，其中，声孔21、22与泄气孔23的数量、形状、尺寸本领域技术人员可以根据需要设置。本实施例的微机电结构还包括多个防粘结构250，位于第二振膜240靠近背板230的表面，防止第二振膜240与背板230粘连，多个防粘结构250还位于背板230靠近第一振膜220的表面，防止第一振膜220与背板230粘连。80.在图9所述描述的实施例中，微机电结构均为双振膜结构，其中，第一振膜220作为第一功能层，背板230作为第二功能层，第二振膜240作为第三功能层。而关于双振膜结构的实施例变形可以参照图1至图8描述的双背板结构，此处不再赘述。81.本实用新型还提供了一种晶圆，包括多个呈阵列排布的如上所述的微机电结构。82.本实用新型还提供了一种麦克风，包括如上所述的微机电结构。83.本实用新型还提供了一种终端，包括如上所述的麦克风。84.本实用新型实施例提供的微机电结构在第一功能层、第二功能层以及第三功能层中设置下沉部，使得所有下沉部可以连续包裹第一至第三支撑部的外侧壁，不仅从结构上限制了支撑部的外围尺寸，还能增加功能层与支撑部外侧壁边缘相连处的机械强度、一致性以及第一至第三支撑部外侧壁的平滑度。85.各下沉部的材料均为多晶硅，由各下沉部组成的单一材料的多晶硅保护墙减少了界面的缺陷，从而提高对释放溶液的抗腐蚀性能。86.通过将支撑部呈正梯形排布，第一支撑部与衬底的接触面积大于第三支撑部与第二背板的接触面积，有利于控制产品的整体应力。87.通过将支撑部呈倒梯形排布，当声音从衬底的背腔进来时，声音信号与振膜的接触面积更大，进而提高了产品的灵敏度。88.因此，本实用新型提供的微机电结构与晶圆、麦克风和终端可以大大提高产品的性能。89.在以上的描述中，对于各层的构图、蚀刻等技术细节并没有做出详细的说明。但是本领域技术人员应当理解，可以通过各种技术手段，来形成所需形状的层、区域等。另外，为了形成同一结构，本领域技术人员还可以设计出与以上描述的方法并不完全相同的方法。另外，尽管在以上分别描述了各实施例，但是这并不意味着各个实施例中的措施不能有利地结合使用。90.以上对本实用新型的实施例进行了描述。但是，这些实施例仅仅是为了说明的目的，而并非为了限制本实用新型的范围。本实用新型的范围由所附权利要求及其等价物限定。不脱离本实用新型的范围，本领域技术人员可以做出多种替代和修改，这些替代和修改都应落在本实用新型的范围之内。