一种MEMS传感器封装结构的制作方法

一种mems传感器封装结构技术领域1.本实用新型涉及微机电封装技术领域，尤其涉及一种mems传感器封装结构。背景技术：2.mems 传感器封装市面上通常是在pcb板上盖上一个金属壳盖来进行封装，该金属壳盖通常是单层同种材质金属壳，金属材质壳可以屏蔽部分电磁信号的干扰，具有一定的电磁屏蔽的效果。然而，在科技的高速发展下，现代电子产品器件使用的工作频率越来越高，电子器件的体积越来越小型化，电子器件以及产品之间的信号干扰也越来越强，一定程度上降低了封装内部的传感芯片的工作性能，而目前的封装方式屏蔽外来干扰信号的能力较为有限，因此，改进封装技术来提升mems传感器的电磁屏蔽能力，进一步提升器件的性能也是目前mems传感器封装技术需要解决的问题。技术实现要素：3.本实用新型提供了一种mems传感器封装结构，解决相关技术中存在的无法能够提升mems传感器的电磁屏蔽能力的问题。4.作为本实用新型的一个方面，提供一种mems传感器封装结构，其中，包括：电路板和壳盖结构，所述壳盖结构盖合在所述电路板上形成内腔，所述电路板位于所述内腔的部分上设置有mems传感器，所述壳盖结构由金属外层壳体、金属内层以及位于所述金属外层壳体和金属内层之间的中间绝缘层组成，所述金属外层壳体的端部与所述金属内层的端部连接以形成闭环。5.进一步地，所述中间绝缘层被粘贴或喷涂在所述金属外层壳体的内侧，所述金属内层被粘贴或喷涂在所述中间绝缘层背离所述金属外层壳体的表面。6.进一步地，所述中间绝缘层与所述金属内层接触且与所述金属外层壳体之间形成空气间隔，所述金属内层被粘贴或喷涂在所述中间绝缘层背离所述金属外层壳体的表面。7.进一步地，所述中间绝缘层被粘贴或喷涂在所述金属外层壳体的内层，且与所述金属内层之间形成空气间隔。8.进一步地，所述电路板位于所述内腔的部分上设置asic芯片，所述asic芯片与所述mems传感器连接。9.进一步地，所述电路板上设置声孔，所述声孔位于所述mems传感器的下方。10.进一步地，所述电路板包括pcb板。11.本实用新型提供的mems传感器封装结构，其壳该结构由金属外层壳体、金属内层以及位于金属外层壳体与金属内层之间的中间绝缘层组成，且金属外层壳体与金属内层的端部连接以形成闭环，这种三层结构形成的绝缘隔磁层与现有技术中由单层金属组成的盖壳相比，提升了mems传感器的电磁屏蔽能力。附图说明12.附图是用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本实用新型，但并不构成对本实用新型的限制。13.图1为本实用新型提供的mems传感器封装结构的结构示意图。14.图2为本实用新型提供的一种壳盖结构的结构示意图。15.图3为本实用新型提供的另一种壳盖结构的结构示意图。16.图4为本实用新型提供的另一种壳盖结构的结构示意图。具体实施方式17.需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互结合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。18.为了使本领域技术人员更好地理解本实用新型方案，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本实用新型保护的范围。19.需要说明的是，本实用新型的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本实用新型的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包括，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。20.在本实施例中提供了一种mems传感器封装结构，图1是根据本实用新型实施例提供的mems传感器封装结构的结构示意图，图2是盖壳结构的结构示意图，如图1和图2所示，包括：电路板4和壳盖结构10，所述壳盖结构盖合在所述电路板4上形成内腔，所述电路板4位于所述内腔的部分上设置有mems传感器8，所述壳盖结构10由金属外层壳体3、金属内层2以及位于所述金属外层壳体3和金属内层2之间的中间绝缘层1组成，所述金属外层壳体3的端部与所述金属内层2的端部连接以形成闭环。21.本实用新型实施例提供的mems传感器封装结构，其壳该结构由金属外层壳体、金属内层以及位于金属外层壳体与金属内层之间的中间绝缘层组成，且金属外层壳体与金属内层的端部连接以形成闭环，这种三层结构形成的绝缘隔磁层与现有技术中由单层金属组成的盖壳相比，提升了mems传感器的电磁屏蔽能力。22.如图2所示，a和b均表示金属外层壳体3的端部与所述金属内层2的端部的连接位置。23.应当理解的是，由于金属外层壳体3与金属内层2连接，这样可以使得由电磁信号产生的电磁感应电流通过金属外层壳体3和金属内层2形成的闭合通路消耗掉，从而可以进一步降低外接电磁信号对mems传感器芯片的干扰，提升mems传感器在更宽频带范围内的性能和工作时的稳定性。24.作为一种具体地实施方式，如图2所示，所述中间绝缘层1被粘贴或喷涂在所述金属外层壳体3的内侧，所述金属内层2被粘贴或喷涂在所述中间绝缘层1背离所述金属外层壳体3的表面。25.作为另一种具体地实施方式，如图3所示，所述中间绝缘层1与所述金属内层2接触且与所述金属外层壳体3之间形成空气间隔，所述金属内层2被粘贴或喷涂在所述中间绝缘层1背离所述金属外层壳体3的表面。26.作为另一种具体地实施方式，如图4所示，所述中间绝缘层1被粘贴或喷涂在所述金属外层壳体3的内层，且与所述金属内层2之间形成空气间隔。27.在本实用新型实施例中，所述中间绝缘层1具体可以包括陶瓷材料、树脂胶以及塑料薄膜等。28.优选地，所述金属外层壳体3具体可以包括镀镍黄铜、合金、硅钢等。29.优选地，所述金属内层2具体可以包括镀镍黄铜、合金、硅钢片、隔磁片等材料。30.需要说明的是，所述金属外层壳体3和金属内层2的制作材料可以相同，也可以不同，具体本实用新型实施例并不做限定。31.具体地，如图1所示，所述电路板4上设置asic芯片6，所述asic芯片6与所述mems传感器8连接。32.具体地，所述电路板4上设置声孔7，所述声孔7位于所述mems传感器8的下方。33.优选地，所述电路板4包括pcb板。34.需要说明的是，所述声孔7具体为进音孔，设置在mems传感器8的下方，当外界有声音发出，声音信号经进声孔7被mems传感器8中的高灵敏度的振动薄膜感知，改变mems传感器8中的振动薄膜与背极板之间的距离，从而形成电容变化。mems传感器8接内置于asic芯片6中的cmos放大器将电容变化转变成电压信号的变化，再经放大后输出。mems传感器8和asic芯片6均用胶水装贴在pcb板上，pcb板上设置有线路5，作用是内外连接作用，比如把外部电源电压传导给asic芯片6，再如把asic芯片6输出的信号传递到外。贴装好mems传感器8和asic芯片6的pcb过回流焊，金属壳使用smt设备贴片过回流焊。35.可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式，然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。