一种镀膜吸气结构及真空封装结构、MEMS器件的制作方法

一种镀膜吸气结构及真空封装结构、mems器件技术领域1.本实用新型涉及真空电子器件的技术领域，尤其是指一种镀膜吸气结构及真空封装结构、mems器件。背景技术：2.目前，在真空电子器件领域中，随着电子器件越来越轻量化，对真空mems器件性能及寿命要求越来越高，如何低成本有效的长时间维持真空器件的真空度、提高真空器件的性能及寿命成为一项技术难题。3.为了维持mems器件内部真空度，最常见方法是在mems器件内部镀一层薄膜吸气剂，用吸气剂层将mems器件内部残余气体不断吸收。但在吸气剂层吸气能力类似的前提下，吸气剂层表面积越大，吸气性能越强，维持真空度就越久，一般在mems器件的腔体内部制备凸点和凹槽的垂直立体三维结构来增大吸气剂层的淀积面积，此方法确实可增大薄膜吸气剂层沉积面积，但是增大的面积有限。技术实现要素：4.为此，本实用新型所要解决的技术问题在于克服现有技术中在mems器件的腔体内部制备凸点和凹槽的垂直立体三维结构来增大吸气剂层的淀积面积，此方法确实可增大薄膜吸气剂层沉积面积，但是增大的面积有限的缺陷。5.为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种镀膜吸气结构，包括衬底，所述衬底上具有凸起模块，所述凸起模块包括多个大小不一且依次环套的环形凸起，所述环形凸起表面及未设有环形凸起的所述衬底表面上均覆盖有吸气剂层。6.在本实用新型的一个实施例中，所述环形凸起连通至所述衬底表面。7.在本实用新型的一个实施例中，所述凸起模块沿所述衬底阵列分布。8.在本实用新型的一个实施例中，未设有所述环形凸起的所述衬底表面设有多孔结构，所述吸气剂层沉积于所述多孔结构中。9.在本实用新型的一个实施例中，未设有所述环形凸起的所述衬底通过蚀刻形成所述多孔结构，所述凸起模块通过一整个所述凸起模块蚀刻形成所述环形凸起。10.在本实用新型的一个实施例中，所述吸气剂层的厚度为微米级。11.一种真空封装结构，包括如上述实施例中任一项所述的镀膜吸气结构。12.一种mems器件，包括如上述实施例中任一项所述的镀膜吸气结构。13.本实用新型的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：14.本实用新型所述的镀膜吸气结构及真空封装结构、mems器件，衬底上具有凸起模块，凸起模块包括多个大小不一且依次环套的环形凸起，在环形凸起表面上和未设有环形凸起的衬底表面上均覆盖有吸气剂层，多个环形凸起极大的增大了吸气剂的覆盖面积，提升了吸气剂的吸气能力，使得真空封装结构、mems器件等维持真空度变得更久。附图说明15.为了使本实用新型的内容更容易被清楚的理解，下面根据本实用新型的具体实施例并结合附图，对本实用新型作进一步详细的说明，其中16.图1是本实用新型镀膜吸气结构的结构示意图；17.图2为图1所示的镀膜吸气结构中的环形凸起的局部图；18.说明书附图标记说明：1、衬底；2、凸起模块；21、环形凸起；3、吸气剂层；4、多孔结构。具体实施方式19.下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好地理解本实用新型并能予以实施，但所举实施例不作为对本实用新型的限定。20.请参照图1和图2所示，本实用新型提供了一种镀膜吸气结构，包括衬底1，衬底1上具有凸起模块2，凸起模块2包括多个大小不一且相互套设的环形凸起21，环形凸起21表面及未设有环形凸起21的衬底1表面上均覆盖有吸气剂层3。该结构中，环形凸起21存在较大的内外表面，增加了吸气剂层3覆盖的面积，且多层环形凸起21进一步的增大了吸气剂层3的覆盖面积，提升了吸气剂层3的吸气能力，使得维持真空度变得更久。21.在本实用新型中，环形凸起21连通至衬底1表面，在深度上做了增加，使得吸气剂层3以蒸镀的形式覆盖的面积在有限的条件内极大程度的增加，可长时间有效的维持腔体内部高真空度，提高了部件的寿命。22.优选的，凸起模块2是通过一整个凸起模块2蚀刻形成环形凸起21，凸起模块2沿衬底1阵列分布，有效均匀的分布，便于蚀刻的进行。23.其中，在未设有环形凸起21的衬底1表面设有多孔结构4，吸气剂层3沉积于多孔结构4中，在未设有环形凸起21的衬底1表面是通过蚀刻形成多孔结构4，孔的大小可由工艺调控，凸起模块2和未设有环形凸起21的衬底1均为垂直结构时，对应吸气剂层3沉积的表面粘附性差，则吸气剂层3可以以铆钉的形式插入到多孔结构4中，防止吸气剂层3的脱落，污染所在器件。24.具体的，吸气剂层3的厚度为微米级。25.本实用新型还提供了一种真空封装结构，包括如上述的镀膜吸气结构，该镀膜吸气结构的吸附表面积增大，提升了吸气能力，采用该镀膜吸气来吸收封装腔体的内部的污染物，效果好，可延长真空封装结构的使用寿命。26.此外，本实用新型还提供了一种mems器件，包括如上述的镀膜吸气结构，该镀膜吸气应用在mems器件中，由于该结构极大的增加了吸气剂层3的沉积面积，可长时间有效维持mems器件内部高真空度，提高mems器件使用寿命及性能。27.本实用新型提供了一种镀膜吸气结构，其原理如下：28.在吸气剂层3吸气能力类似的前提下，表面积大小成了吸气剂层3吸气能力最重要的决定因素。因此，本实用新型提出，衬底1具有凸起模块2，凸起模块2包括多个大小不一且依次环套的环形凸起21，且环形凸起21是通过在一整个凸起模块2上蚀刻形成的，环形凸起21连通至所述衬底1表面，在深度方向增加了表面积，在环形凸起21表面上和未设有环形凸起21的衬底1的表面上均覆盖有吸气剂层3，可以有效吸收腔体内的气体。29.多个环形凸起21和其深度方向的延伸极大的增大了吸气剂层3的覆盖面积，提升了吸气剂层3的吸气能力，该结构使得在mems器件内维持真空度变得更久，大大提高了器件的寿命，此外未设有环形凸起21的衬底1表面设有多孔结构4，吸气剂层3沉积于多孔结构4中，且吸气剂层3以铆钉的形式插入多孔结构4中，大大增加了吸气剂层3的粘附性，可有效避免吸气剂层3脱落造成的器件污染和损毁。真空封装结构和mems器件均包含了该镀膜吸气结构，可以有效的且长时间有效维持真空封装结构或mems器件内部高真空度，提高真空封装结构或mems器件使用寿命及性能。30.显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型创造的保护范围之中。技术特征：1.一种镀膜吸气结构，其特征在于：包括衬底，所述衬底具有凸起模块，所述凸起模块包括多个大小不一且依次环套的环形凸起，所述环形凸起表面及未设有环形凸起的所述衬底表面上均覆盖有吸气剂层。2.根据权利要求1所述的镀膜吸气结构，其特征在于：所述环形凸起连通至所述衬底表面。3.根据权利要求1所述的镀膜吸气结构，其特征在于：所述凸起模块沿所述衬底阵列分布。4.根据权利要求1所述的镀膜吸气结构，其特征在于：未设有所述环形凸起的所述衬底表面设有多孔结构，所述吸气剂层沉积于所述多孔结构中。5.根据权利要求4所述的镀膜吸气结构，其特征在于：未设有所述环形凸起的所述衬底通过蚀刻形成所述多孔结构，所述凸起模块通过一整个所述凸起模块蚀刻形成所述环形凸起。6.根据权利要求1所述的镀膜吸气结构，其特征在于：所述吸气剂层的厚度为微米级。7.一种真空封装结构，其特征在于：包括如权利要求1-6任意一项所述的镀膜吸气结构。8.一种mems器件，其特征在于：包括如权利要求1-6任意一项所述的镀膜吸气结构。技术总结本实用新型涉及一种镀膜吸气结构及真空封装结构、MEMS器件，包括衬底，所述衬底上具有凸起模块，所述凸起模块包括多个大小不一且依次环套的环形凸起，所述环形凸起表面及未设有环形凸起的所述衬底表面上均覆盖有吸气剂层。本实用新型极大的增大了吸气剂层的覆盖面积，提升了吸气剂层的吸气能力，使得真空封装结构、MEMS器件等维持真空度变得更久。MEMS器件等维持真空度变得更久。MEMS器件等维持真空度变得更久。技术研发人员：尤超受保护的技术使用者：江苏鼎茂半导体有限公司技术研发日：2022.06.02技术公布日：2022/10/11