MEMS芯片封装结构及具有其的超声波传感器的制作方法
- 国知局
- 2024-07-27 12:53:57
本说明书一个或多个实施例涉及超声波传感器,尤其涉及mems芯片封装结构及具有其的超声波传感器。
背景技术:
1、超声波传感器是将超声波信号转换成其它能量信号(通常是电信号)的传感器。超声波传感器存在盲区,盲区是指当发射超声波时,发射信号虽然只维持一个极短时间,但停止施加发射信号后,探头上还存在一定余振或拖尾(由于机械惯性作用);在盲区时间内,回波信号的强度是远小于拖尾信号强度的,从而屏蔽了近距离的回波信号。
2、现有技术中常用的抑制盲区的方法主要有以下两种,第一种是从电路上进行盲区抑制,如外接衰减电阻、降低超声波发射功率或时变增益放大电路,这种方法没有对传感器盲区本质有大的改变,治标不治本,而且外接衰减电阻、降低超声波发射功率同时也会损耗回波信号强度;第二种是通过封装对传感器本身的盲区进行抑制,对于压电陶瓷类的超声波测距传感器,减小探头的盲区一般是在壳体内填充声学材料,如压电陶瓷类的超声波测距传感器的封装工艺流程包含了装毛毡、填充硅胶、装盖板、外形密封等步骤;或者是采用分体式换能器、阵列,如常见的一发一收超声波测距模组;装配吸声材料的方法的是需要通过人工来完成的,加工效率低,无法适用于大批量生产,而且装配的一致性也会比较差;而分体式或阵列换能器的方法会增大传感器的体积,并且成本也会成倍提升,综上所述,本申请现提出mems芯片封装结构及具有其的超声波传感器来解决上述出现的问题。
技术实现思路
1、本发明旨在解决背景技术中提出的问题之一,本发明的目的在于提出mems芯片封装结构,为mems芯片的振膜施加阻尼,在停止发射信号后,减小机械惯性作用带来的余震或拖尾产生的影响,防止近距离的回波信号被屏蔽,提高检测时超声波传感器的检测精度。
2、本发明解决其技术问题所采用的技术方案为:
3、根据本发明实施例中的mems芯片封装结构,包括:mems芯片,所述mems芯片具有相对的正面和背面,所述背面具有背腔;封装基板,所述封装基板与所述mems芯片电气联通;贴片胶,所述mems芯片的背面通过贴片胶与封装基板粘接固定,所述mems芯片的背腔由所述贴片胶限定出密封腔。
4、根据本发明实施例中的mems芯片封装结构,增设的密封腔可以为mems芯片的振膜施加空气阻尼,降低振膜振动停止时的机械惯性,减轻振膜自身的余震和拖尾,减小盲区时间。
5、在一些实施例中,所述mems芯片通过金线与所述封装基板电连接。
6、根据本发明实施例的超声波传感器,包括:前文所述的mems芯片封装结构;封装外壳,所述封装外壳与所述封装基板密封连接,所述封装外壳具有收容腔,所述mems芯片位于所述收容腔内部。
7、在一些具体的实施例中,还包括:灌封胶,所述封装外壳与所述mems芯片之间的缝隙中填充有灌封胶。
8、在一些具体的实施例中,还包括:盖板,所述盖板与所述封装外壳远离封装基板的表面密封连接,所述盖板具有声孔。
9、在一些实施例中,还包括:防水防尘膜,所述防水防尘膜与所述盖板远离所述封装基板的表面密封连接。
10、从上面所述可以看出,本发明包括以下有益效果:
11、本发明通过在超声波传感器内的mems芯片与封装基板之间增设密封腔,密封腔为mems芯片的振膜施加阻尼,避免超声波传感器停止发射信号时,减小振膜自身的余震和拖尾信号屏蔽近距离的回波信号,减小超声波传感器的盲区时间。
技术特征:1.mems芯片封装结构,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的mems芯片封装结构,其特征在于,所述mems芯片(4)通过金线(7)与所述封装基板(1)电连接。
3.超声波传感器,其特征在于,包括:
4.根据权利要求3所述的超声波传感器,其特征在于,还包括:
5.根据权利要求3所述的超声波传感器,其特征在于,还包括:
6.根据权利要求5所述的超声波传感器,其特征在于,还包括:
技术总结本发明提供MEMS芯片封装结构及具有其的超声波传感器,包括MEMS芯片、封装基板和贴片胶,MEMS芯片具有相对的正面和背面,背面具有背腔,封装基板与MEMS芯片电气联通,MEMS芯片的背面通过贴片胶与封装基板粘接固定,MEMS芯片的背腔由贴片胶限定出密封腔。本发明通过在超声波传感器内的MEMS芯片与封装基板之间增设密封腔,密封腔为MEMS芯片的振膜施加阻尼,避免超声波传感器停止发射信号时,减小振膜自身的余震和拖尾信号屏蔽近距离的回波信号,减小超声波传感器的盲区时间。技术研发人员:慈伟杰,储清清受保护的技术使用者:合肥领航微系统集成有限公司技术研发日:20220906技术公布日:2024/1/12本文地址:https://www.jishuxx.com/zhuanli/20240726/124032.html
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