一种集成加速度传感器和磁传感器的封装结构的制作方法

【】本技术涉及集成式传感器，尤其涉一种集成加速度传感器和磁传感器的封装结构。

背景技术

0、背景技术：

1、步入21世纪，人类全面进入信息时代，开启了万物互联的新征程，从一定意义上讲，也就进入了传感器时代。近些年来，伴随着智能手机市场的迅猛发展，作为手机应用中不可或缺的一部分，传感器的应用领域越来越广泛。然而，通常情况下，不同功能的传感器往往独立运用来实现其功能。一方面，不同功能的圆片单独流片再切割成单颗进行封装增加了产品的成本及加工周期；另一方面，不同传感器独立封装也占用较多的封装面积，和消费类电子轻，薄，小的发展方向不契合。

2、因此，有必要提出一种集成度更高，封装体积更小的的六轴传感器满足市场需求。

技术实现思路

0、技术实现要素：

1、本实用新型的目的之一在于提供一种集成加速度传感器和磁传感器的封装结构，其通过将加速度传感器和磁传感器集成到一个封装体内部，从而使产品的集成度更高，加工成本更低。

2、根据本实用新型的一个方面，本实用新型提供一种集成加速度传感器和磁传感器的封装结构，其包括：第一半导体圆片，其正面设置有加速度传感器的驱动电路、第一金属焊盘和第一空腔；第二半导体圆片，其为所述加速度传感器的传感器结构，其包括位于芯片边缘的固定结构以及位于芯片中间的可移动结构，所述第二半导体圆片与所述第一半导体圆片的正面相键合，所述第二半导体圆片的正面与第一半导体圆片的正面相对，且所述第一半导体圆片的正面与所述第二半导体圆片的可移动结构的相对位置处设置有所述第一空腔；第三半导体圆片，其与所述第二半导体圆片的背面相键合，所述第三半导体圆片的正面与所述第二半导体圆片的背面相对，且所述第三半导体圆片的正面与所述第二半导体圆片的可移动结构的相对位置处设置有第二空腔，其中，所述第一空腔和第二空腔相对以形成腔体a，所述第二半导体圆片的可移动结构悬置于所述腔体a内。

3、与现有技术相比，本实用新型通过将加速度传感器和磁传感器集成到一个封装体内部，一方面可以缩短产品的加工周期，降低了加工成本；另一方面，通过晶圆级封装的方式，使产品的集成度更高，减小了封装体积，应用前景更广泛。

技术特征：

1.一种集成加速度传感器和磁传感器的封装结构，其特征在于，其包括：

2.根据权利要求1所述的集成加速度传感器和磁传感器的封装结构，其特征在于，其还包括设置于所述第一半导体圆片(1)背面的磁传感器及其驱动电路(108)、第二金属焊盘(103)。

3.根据权利要求2所述的集成加速度传感器和磁传感器的封装结构，其特征在于，其还包括：

4.根据权利要求3所述的集成加速度传感器和磁传感器的封装结构，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的集成加速度传感器和磁传感器的封装结构，其特征在于，其还包括：

6.根据权利要求2所述的集成加速度传感器和磁传感器的封装结构，其特征在于，

技术总结本技术提供一种集成加速度传感器和磁传感器的封装结构，所述封装结构包括：第一半导体圆片，其正面设置有加速度传感器的驱动电路、第一金属焊盘和第一空腔；第二半导体圆片，其包括位于芯片边缘的固定结构以及位于芯片中间的可移动结构，第二半导体圆片与第一半导体圆片的正面相键合，且第一半导体圆片的正面与第二半导体圆片的可移动结构的相对位置处设置有第一空腔；第三半导体圆片，其与第二半导体圆片的背面相键合，且第三半导体圆片的正面与第二半导体圆片的可移动结构的相对位置处设置有第二空腔。与现有技术相比，本技术通过将加速度传感器和磁传感器集成到一个封装体内部，从而使产品的集成度更高，加工成本更低。技术研发人员：郭亚,刘尧清,刘海东,蒋乐跃受保护的技术使用者：美新半导体（无锡）有限公司技术研发日：20211126技术公布日：2024/1/12