一种转移纳米森林结构的方法

本发明涉及功能化纳米材料，具体涉及一种转移纳米森林结构的方法。

背景技术：

1、现有的纳米森林结构普遍由较为复杂的生长工艺或刻蚀工艺形成，因此对基底要求较高，目前只能够在有限的几种基底上制备，无法应对实际应用中在某些基底(如金属材料基底)上制备纳米森林结构的需求，大大限制了纳米森林结构的应用场景。另外，在制备纳米森林结构的过程中，会对基底带来一定的损伤，继而为纳米森林结构的后续应用带来可靠性降低的风险。

2、因此，需要开发一种能够将纳米森林结构从原始基底转移到新基底上的方法，以实现在新基底上形成纳米森林结构的目的，同时提高纳米森林结构在应用时的可靠性。

技术实现思路

1、本发明的目的是克服现有技术的缺点，提供一种转移纳米森林结构的方法，该方法利用可释放型胶带的可控粘附性与磁场吸附的原理，成功地将纳米森林结构从原始基底转移至目标基底，由于目标基底种类多样化，因此本方法扩大了纳米森林结构的应用场景，同时提高了纳米森林结构在应用时的可靠性。

2、为了实现以上目的，本发明提供如下技术方案。

3、一种转移纳米森林结构的方法，包括以下步骤：

4、提供原始基底，所述原始基底的上表面设置有纳米森林结构，所述纳米森林结构由光刻胶形成；

5、在所述纳米森林结构的上表面形成磁性金属层；

6、将可释放型胶带粘附在所述磁性金属层的上表面，并使所述纳米森林结构与所述原始基底分离，从而得到粘附在所述可释放型胶带上的纳米森林结构；

7、处理所述可释放型胶带，从而释放上表面具有所述磁性金属层的所述纳米森林结构；

8、提供目标基底；以及

9、在所述目标基底的第一表面施加磁场，从而将上表面具有所述磁性金属层的所述纳米森林结构吸附至所述目标基底的第二表面，以完成转移。

10、相比现有技术，本发明的有益效果：

11、1、本发明提供了一种转移纳米森林结构的方法，该方法利用可释放型胶带的可控粘附性与磁场吸附的原理，成功地将纳米森林结构从原始基底转移至目标基底，由于目标基底种类多样化，因此扩大了纳米森林结构的应用场景，同时提高了纳米森林结构在应用时的可靠性。

12、2、本发明的吸附过程在液体如水中进行，通过调整目标基底与水平面的夹角α，并且在磁力、重力以及水的阻力与扭矩的作用下，纳米森林结构能够按特定角度倾斜排布在目标基底上，极大地拓展了纳米森林结构的应用领域。而现有技术采用刻蚀方法或化学合成生长方法制备的纳米森林结构通常垂直于基底，无法调整纳米森林结构与基底之间的倾斜角。

技术特征：

1.一种转移纳米森林结构的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标基底的第二表面设置有柔性胶带；施加所述磁场后，上表面具有所述磁性金属层的所述纳米森林结构被吸附至所述柔性胶带上。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：在完成转移后，撤销所述磁场。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，通过在所述目标基底的第一表面设置磁性基底来施加磁场。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述原始基底的上表面面积、所述目标基底的第二表面面积以及所述磁性基底的下表面面积均相同。

8.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述液体为水。

9.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述磁性金属层通过溅射形成；所述磁性金属层为磁性材料。

10.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述纳米森林结构包括多个纳米柱，所述纳米柱的高度为1-5μm，直径为50-300nm，间距为50-300nm。

技术总结本发明涉及一种转移纳米森林结构的方法，该方法利用可释放型胶带的可控粘附性与磁场吸附的原理，成功地将纳米森林结构从原始基底转移至目标基底，由于目标基底种类多样化，因此扩大了纳米森林结构的应用场景，同时提高了纳米森林结构在应用时的可靠性。技术研发人员：李茂,毛海央,周娜受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所技术研发日：技术公布日：2024/1/14