一种MEMS芯片封装结构及其封装方法与流程

本发明涉及一种mems芯片封装结构及其封装方法，属于电子电路。

背景技术：

1、传统基于硅基板的平面两片式mems芯片封装结构剖视图，由封装管壳、硅基板、asic电路芯片、mems芯片和粘接胶组成，硅基板通过粘接胶面粘于封装管壳上，asic电路芯片和mems芯片分别粘接于硅基板上表面的两侧。采用这种封装方式有两个很大的弊端：（1）由于封装管壳、硅基板、粘接胶、mems芯片为不同材料，粘接胶固化是在高温下进行的，其恢复至常温时由于各种材料的热膨胀系数差异产生热失配，导致芯片中产生残余应力。mems器件尺寸微小，测量精度要求高，对封装引起的残余应力更为敏感，经过温度变化或者长期贮存之后，器件内部残余应力会随温度和时间发生变化，性能也随之变化，从而产生器件的温度稳定性和长期稳定性问题。（2）硅基板采用的单晶硅材料的热导率高，asic电路芯片持续工作时会产生大量的热量，热量将通过硅基板直接传到mems芯片上，从而导致mems芯片温度上升，同时产生机械热应力。这两个弊端都抑制器件分辨率、灵敏度和稳定性等性能参数的进一步提升。因此高精度和高性能mems器件需要解决mems芯片封装的温升和热应力两个难题。

2、由封装引入的机械应力是由封装材料和mems芯片的热膨胀系数不同，导致温度变化引起mems芯片与封装材料间的不等量体积变化而引起的应力。热应力的引入会导致对应力敏感的mems结构产生不正常形变，从而抑制mems器件的分辨率、灵敏度和稳定性等性能参数；特别严重时会导致器件失效。为降低或隔离mems器件封装应力，国内外相关研究人员提出了多种解决途径：

3、专利cn 215626780u《一种mems封装的粘接结构和封装结构》提供了设有应力消除组件的容胶槽，该方法只能将封装应力保持在正常范围内，且回位弹簧长期使用后会失去弹性，继而应力消除组件失效，此外上述封装底壳需要特别定制，成本高，工艺复杂。

4、专利cn 110723713a《用于低应力mems封装的粘接结构、封装结构及其制造方法》提出了一种在封装基板上采用增材制造方式制造三维粘接结构来隔离封装应力的方法。但mems芯片与隔离层的粘接存在条状间的凹陷，导致粘胶与mems芯片粘接面存在厚度的严重不均匀，导致粘胶的应力分布不均匀，造成了顶层柱条自身产生应力时mems芯片受力不均衡，会影响mems器件的性能。另外，一般情况下封装腔体高度及大小是有限制的，所以隔离层厚度是有很大的局限性的。

5、专利cn 110745772a《一种mems应力隔离封装结构及其制造方法》提出mems承载台，在缓解封装管壳应力方面有效果，但在实际中很难实现。美国专利us 2018/0230005a1《mems isolation platform with three-dimensional vibration and stressisolation》与专利cn 110745772a原理相似。均存在装配难度大、不能解决asic芯片散热问题。同样存在平面波纹联接方案类似的缺点。

6、专利cn 112158792a《一种适用于mems加速度传感器芯片的低应力封装结构》在实际操作过程中，零膨胀系数的金属焊料价格昂贵，制造成本高。

7、美国专利us 8322028b2《method of producingan isolator for amicroelectromechanicalsystem(mems) die》提出了在mems芯片和真空封装内部底面之间插入单层热和机械隔离结构。该方法涉及的封装工艺复杂，且实际应用中螺旋结构隔离梁易产生谐振，影响器件的输出。

8、综上所述，现有降低或隔离mems器件封装应力的方法具有局限性，不能解决mems芯片封装的温升和热应力两个难题。

技术实现思路

1、本发明的目的在于克服现有技术中的不足，提供一种mems芯片封装结构及其封装方法，实现了mems芯片与封装管壳以及asic电路芯片之间的温度和应力双重隔离。为达到上述目的，本发明是采用下述技术方案实现的：

2、第一方面，本发明提供了一种mems芯片封装结构，包括：包括：置于底层的封装管壳、固接于封装管壳腔体中的t型硅基板以及设于t型硅基板顶面的asic电路芯片和mems芯片，

3、所述t型硅基板底面的中轴线上设有下凸台，所述下凸台用于将所述t型硅基板固接在所述封装管壳的顶面上；

4、所述t型硅基板顶面设有用于固接asic电路芯片的第一粘片区和用于固接mems芯片的第二粘片区；所述第一粘片区和第二粘片区的外侧均环绕有多孔阵列结构，所述多孔阵列结构中的阵列孔贯穿所述t型硅基板；

5、所述asic电路芯片和mems芯片通过金丝引线键合连接，实现器件内部电信号互联；所述asic电路芯片和所述封装管壳的内腔通过金丝引线键合连接，实现器件内部与外部信号互联。

6、结合第一方面，可选的，所述下凸台设于t型硅基板底面的中轴线上，包括2个上下对称分布的用于粘胶的浅腔体。

7、结合第一方面，可选的，所述浅腔体包括粘胶区和溢胶区，所述粘胶区与溢胶区连通，所述粘胶区的腔体深度大于所述溢胶区的腔体深度，以使粘胶区多余的粘接胶流入所述溢胶区。

8、结合第一方面，可选的，所述第一粘片区和第二粘片区对称设于所述t型硅基板的中轴线的两侧。

9、结合第一方面，可选的，所述多孔阵列结构的形状为多边形或环形。

10、结合第一方面，可选的，所述多孔阵列结构中的阵列孔为多边形孔或环形孔。

11、结合第一方面，可选的，所述asic电路芯片、所述mems芯片表面设有焊盘，所述封装管壳的内腔表面设有焊盘，所述焊盘用于连接金丝引线实现键合连接。

12、第二方面，本发明提供了一种基于第一方面所述的mems芯片封装方法，包括：

13、采用粘接胶将asic电路芯片和mems芯片分别粘接于预先加工的t型硅基板顶面的第一粘片区和第二粘片区；

14、采用金丝引线键合连接asic电路芯片和mems芯片，实现器件内部电信号互联；

15、采用粘接胶将t型硅基板底面的下凸台粘接于封装管壳腔体内；

16、挤压t型硅基板，凸台粘胶区内多余的粘接胶流入溢胶区，使t型硅基板的下凸台与封装管壳紧密接触；

17、采用金丝引线键合连接asic电路芯片和封装管壳的内腔，实现器件内部与外部信号互联。

18、结合第二方面，可选的，所述预先加工的t型硅基板，通过以下步骤加工得到：

19、采用微刻蚀工艺在单晶硅晶圆底面间隔预设距离刻蚀出浅腔，在单晶硅晶圆的底面形成t型凸台，所述t型凸台为t型硅基板的下凸台；

20、采用微刻蚀工艺在t型凸台底部刻蚀出溢胶区腔体；

21、采用微刻蚀工艺在溢胶区腔体的预设位置进一步加深刻蚀，得到粘胶区腔体；

22、采用微刻蚀工艺在单晶硅晶圆正面的预设位置刻蚀加工出多孔阵列结构，得到单晶硅晶圆成品板；

23、采用微刻蚀工艺在单晶硅晶圆成品板上刻蚀划片槽，划片得到多个预先加工的t型硅基板。

24、与现有技术相比，本发明实施例所提供的一种mems芯片封装结构及其封装方法，所达到的有益效果包括：

25、本发明置于底层的封装管壳、固接于封装管壳腔体中的t型硅基板以及设于t型硅基板顶面的asic电路芯片和mems芯片，t型硅基板底面的中轴线上设有下凸台，所述下凸台用于将所述t型硅基板固接在所述封装管壳的顶面上；本发明通过下凸台实现t型硅基板与封装管壳固接，较小的粘接面积既实现了机械固定，又降低了硅基板的粘接应力；通过减小接触面积的方式减小了硅基板与封装管壳之间的封装应力，较小的粘接面积既实现了机械固定，又降低了硅基板的粘接应力；

26、本发明t型硅基板顶面设有用于固接asic电路芯片的第一粘片区和用于固接mems芯片的第二粘片区；所述第一粘片区和第二粘片区的外侧均环绕有多孔阵列结构，所述多孔阵列结构中的阵列孔贯穿所述t型硅基板；

27、本发明实现了mems芯片与封装管壳以及asic电路芯片之间的应力隔离，具体为：通过多孔阵列结构实现asic电路芯片、mems芯片与外围的t型硅基板的柔性连接；多孔阵列结构不仅能够通过阵列孔的拉伸、压缩变形有效释放来自封装管壳与t型硅基板之间的封装应力，还能够通过阵列孔侧壁的弯折变形释放面外来自封装管壳与硅基板之间的封装应力；还能够在垂直方向上给mems芯片的第二粘片区提供足够的刚度，实现有效的外界环境感知；用于固接asic电路芯片的第一粘片区和用于固接mems芯片的第二粘片区悬浮于封装管壳上，实现类似悬臂梁的结构形式，大大减小了封装管壳与硅基板之间的粘接应力对mems芯片的影响；

28、本发明实现了mems芯片与封装管壳以及asic电路芯片之间的温度隔离，具体为：用于固接asic电路芯片的第一粘片区外围的多孔阵列结构在垂直方向上给第一粘片区提供足够的刚度的同时，具有散热功能，当asic电路工作时，asic电路芯片温升，将导致位于asic电路芯片底面的硅基板温度随之快速升高，第一粘片区和第二粘片区外侧环绕的多孔阵列结构，增大了asic电路芯片底部位置硅基板到mems芯片底部位置硅基板之间的热阻；同时，多孔阵列结构增大了硅基板与周围空气的接触面积，使得硅基板上的热量被大量耗散到空气中，进而降低了传递到mems芯片底部位置的热量，从而实现了mems芯片与asic电路芯片以及管壳之间的热隔离；

29、本发明所述asic电路芯片和mems芯片通过金丝引线键合连接，实现器件内部电信号互联；所述asic电路芯片和所述封装管壳的内腔通过金丝引线键合连接，实现器件内部与外部信号互联；本发明提供的mems芯片封装结构具有结构简单、加工工艺步骤少、特殊工艺要求少、易于操作的优点，实现了mems芯片与封装管壳以及asic芯片之间的温度和应力双重隔离。