半导体结构及其形成方法与流程

本申请的实施例涉及半导体结构及其形成方法。

背景技术：

1、微机电系统(mems)器件已经用于许多应用中。例如，mems器件可以用于控制其中实施离子注入工艺的注入，并且用于形成光刻掩模。

技术实现思路

1、本申请的一些实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括：在半导体衬底上方形成互连结构，其中，所述互连结构包括多个介电层，并且其中，所述互连结构和所述半导体衬底包括在晶圆中；在所述互连结构上方形成多个金属焊盘；形成穿透所述晶圆的多个通孔，其中，所述多个通孔包括：顶部部分，穿透所述互连结构；以及中间部分，位于所述顶部部分下面并且连接至所述顶部部分，其中，所述中间部分宽于相应的所述顶部部分；以及形成电连接至所述多个金属焊盘的第一金属层，其中，所述第一金属层延伸至所述多个通孔的所述顶部部分中。

2、本申请的另一些实施例提供了一种半导体结构，包括：半导体衬底；互连结构，位于所述半导体衬底上方，其中，所述互连结构包括多个介电层；多个金属焊盘，位于所述互连结构上方，其中，所述多个金属焊盘电连接至所述互连结构；多个通孔，穿透所述互连结构和所述半导体衬底，其中，所述多个通孔包括：顶部部分，穿透所述互连结构；以及中间部分，位于所述顶部部分下面并且连接至所述顶部部分，其中，所述中间部分宽于相应的顶部部分；以及第一金属层，电连接至所述多个金属焊盘，其中，所述第一金属层延伸至所述多个通孔的所述顶部部分中。

3、本申请的又一些实施例提供了一种半导体结构，包括：半导体衬底；多个介电层，位于所述半导体衬底上方；多个通孔，穿透所述多个介电层和所述半导体衬底，其中，所述多个通孔包括：顶部部分，穿透所述多个介电层；以及中间部分，位于所述顶部部分下方并且连接至所述顶部部分，其中，所述顶部部分的底部宽度大于所述中间部分的顶部宽度；以及第一金属层，包括：顶部部分，与所述多个介电层重叠；以及侧壁部分，延伸至所述多个通孔的所述顶部部分中。

技术特征：

1.一种形成半导体结构的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一金属层包括从所述晶圆的前侧实施的第一沉积工艺，并且所述方法还包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述多个通孔包括：

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：

5.根据权利要求4所述的方法，还包括：

6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述多个通孔包括：

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述第一金属层之后，所述第一金属层的最底端基本上与所述半导体衬底的顶面齐平。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：对所述晶圆实施锯切工艺，其中，在锯切工艺的时候，所述半导体衬底的侧壁暴露于所述通孔的所述中间部分中的一个。

9.一种半导体结构，包括：

10.一种半导体结构，包括：

技术总结方法包括在半导体衬底上方形成互连结构。互连结构包括多个介电层，并且互连结构和半导体衬底位于晶圆中。在互连结构上方形成多个金属焊盘。形成穿透晶圆的多个通孔。多个通孔包括穿透互连结构的顶部部分以及位于顶部部分下面并且连接至顶部部分的中间部分。中间部分宽于相应的顶部部分。形成电连接至多个金属焊盘的金属层。金属层延伸至多个通孔的顶部部分中。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。技术研发人员：李培玮,刘富维,李思宪,吴允中,古进誉,郑明达,李明机受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/16