一种半导体晶圆的制作方法

本技术涉及晶圆，尤其涉及一种半导体晶圆。

背景技术：

1、晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅，传统的mems芯片都是方形或矩形芯片，在半导体加工过程中，可能由于封装或产品本身性能的要求，需将mems芯片做成圆形的，目前在mems晶片划片领域，主要有砂轮划片和激光划片。

2、现有技术中，如中国专利cn206014408u公开了“一种半导体晶圆”，晶圆上制备贯通孔得到圆形芯片，芯片之间仅通过带小凹槽的支撑梁连接，芯片的分离仅需切断支撑梁，划片难度低，能够采用常用的砂轮切割，具有工艺简单、低成本、高效率的优点，所得分离后芯片的外观好、成品率高、机械强度高。

3、但现有技术中，随着半导体特征尺寸越来越小，加工及测量设备越来越先进，使得晶圆的尺寸越来越小减小，使得晶圆加工时，所需要的加工精度越来越高，传统的晶片在使用激光划片时，激光切片机不便与晶片进行准确的定位切割，导致晶片切割不精确，同时，晶片在切割前空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大，需要晶片表面更加得洁净。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是为了解决现有技术中存的在随着半导体特征尺寸越来越小，加工及测量设备越来越先进，使得晶圆的尺寸越来越小减小，使得晶圆加工时，所需要的加工精度越来越高，传统的晶片在使用激光划片时，激光切片机不便与晶片进行准确的定位切割，导致晶片切割不精确，同时，晶片在切割前空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大，需要晶片表面更加得洁净的问题，而提出的一种半导体晶圆。

2、为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：一种半导体晶圆，包括晶片本体，所述晶片本体表面设置有晶圆本体，所述晶片本体表面设置有切割槽，且晶片本体与一号激光点位点固定连接，所述一号激光点位点与二号激光点位点固定连接。

3、优选的，所述晶圆本体表面贴合有保护膜。

4、优选的，所述晶片本体表面设置有多个晶圆本体，多个所述晶圆本体均匀分布在晶片本体表面。

5、优选的，所述切割槽位于晶圆本体边缘线表面。

6、优选的，所述晶片本体表面设置有多个一号激光点位点，且晶片本体表面设置有多个二号激光点位点。

7、与现有技术相比，本实用新型的优点和积极效果在于：

8、1、本实用新型中，通过外部转运机构将晶片本体转运至激光切割台表面，激光切片机的定位激光照射至一号激光点位点和二号激光点位点表面，通过反馈的光信号，可以准确地判断晶片本体放置位置是否准确，通过两个不同的定位点一号激光点位点和二号激光点位点，避免单一的信号反馈，造成误差增大，通过两组定位数据，可以更加精确地对晶片本体进行定位放置。

9、2、本实用新型中，通过保护膜对二号激光点位点表面进行覆盖防护，激光切片机沿切割槽进行切割，保证对晶圆本体切割位置精确。

技术特征：

1.一种半导体晶圆，包括晶片本体(1)，所述晶片本体(1)表面设置有晶圆本体(2)，其特征在于：所述晶片本体(1)表面设置有切割槽(3)，且晶片本体(1)与一号激光点位点(4)固定连接，所述一号激光点位点(4)与二号激光点位点(5)固定连接。

2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆，其特征在于：所述晶圆本体(2)表面贴合有保护膜(6)。

3.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆，其特征在于：所述晶片本体(1)表面设置有多个晶圆本体(2)，多个所述晶圆本体(2)均匀分布在晶片本体(1)表面。

4.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆，其特征在于：所述切割槽(3)位于晶圆本体(2)边缘线表面。

5.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆，其特征在于：所述晶片本体(1)表面设置有多个一号激光点位点(4)，且晶片本体(1)表面设置有多个二号激光点位点(5)。

技术总结本技术公开了一种半导体晶圆，涉及晶圆技术领域，包括晶片本体，所述晶片本体表面设置有晶圆本体，所述晶片本体表面设置有切割槽，且晶片本体与一号激光点位点固定连接，所述一号激光点位点与二号激光点位点固定连接。通过外部转运机构将晶片本体转运至激光切割台表面，激光切片机的定位激光照射至一号激光点位点和二号激光点位点表面，通过反馈的光信号，可以准确地判断晶片本体放置位置是否准确，通过两个不同的定位点一号激光点位点和二号激光点位点，避免单一的信号反馈，造成误差增大，通过两组定位数据，可以更加精确地对晶片本体进行定位放置。技术研发人员：王志强,王志辉受保护的技术使用者：深圳市和芯电子有限公司技术研发日：20230504技术公布日：2024/1/14