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一种MEMS器件的制作方法

  • 国知局
  • 2024-07-27 12:56:56

本说明书一个或多个实施例涉及半导体设备领域,尤其涉及一种mems器件。

背景技术:

1、现有技术中,mems器件由于其尺寸较小,以至于mems器件中的机械部件运动行程较小,导致性能无法进一步提高。在mems器件的中的机械部件中设置额外的质量块,是一种提高mems器件的运动行程的重要方法。设置质量块,可以增大驱动类mems器件的致动位移和振动幅度,提高驱动能力,也可以增大传感类mems器件的灵敏度和带宽,提高检测能力。

2、传统mems结构设置质量块,一类方法是在器件表面沉积钨、金、银等高密度金属层(如文献cn110099345a、cn214409044u公开的结构),这种方法由于沉积的是高密度重金属,因此成本高昂,而且工艺中会产生重金属废物废液,增加环保负担;另一类方法是利用mems器件结构本身制作质量块(如文献cn110944274b、cn111001553a公开的结构),这种方法通常采用基底层制作质量块,但mems器件的底层材料通常是硅、氧化硅、玻璃等的密度较低的材料,无法实现较大的质量,且会在mems器件制造基础上增加质量块的工艺流程,增大了工艺过程中引入应力不平衡的风险,导致良率的降低。

3、综上所述,本申请现提出一种mems器件解决上述出现的问题。

技术实现思路

1、本实用新型旨在解决背景技术中提出的问题,本说明书一个或多个实施例的目的在于提出一种mems器件,通过设置独立的质量块,可增加mems芯片振膜的惯性,增大mems器件的振动幅度,提高其致动位移和速度,增大驱动器的带载能力。

2、基于上述目的,本说明书一个或多个实施例提供了一种mems器件,包括:mems芯片,所述mems芯片具有相对的正面及背面,所述正面具有振膜,所述背面具有背腔,所述振膜上贯穿开设有孔。

3、根据本实用新型实施例所述的mems器件,对于驱动类mems器件来说,在器件上开孔降低器件的刚度,提高器件的振动位移和振动速度,提升mems器件性能。

4、根据本实用新型实施例所述的mems器件,所述孔的截面为圆形或方形。

5、根据本实用新型实施例所述的mems器件,还包括:质量块,所述质量块具有相对的正面和背面,所述正面具有凸起,所述背面设置有可插入孔内部的凸柱,所述凸柱与所述孔相匹配,所述质量块通过凸柱与mems芯片键合。

6、根据本实用新型实施例所述的mems器件,所述mems芯片的背面设置有钝化层,所述钝化层用于固定凸柱和mems芯片。

7、下面根据本实用新型的实施例及附图来详细描述本实用新型的有益效果。

技术特征:

1.一种mems器件,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的mems器件,其特征在于,所述孔(a)的截面为圆形或方形。

3.根据权利要求1或2所述的mems器件,其特征在于,还包括:

4.根据权利要求3所述的mems器件,其特征在于,所述mems芯片(1)的背面设置有钝化层,所述钝化层用于固定凸柱(21)和mems芯片(1)。

技术总结本技术提供一种MEMS器件,包括:MEMS芯片,所述MEMS芯片具有相对的正面及背面,所述正面具有振膜,所述背面具有背腔,所述振膜上贯穿开设有孔,本技术对于MEMS器件来说,在器件上开孔会降低器件的刚度,提高器件的振动位移和振动速度,提升MEMS器件性能。技术研发人员:陈民其,郭佳钊受保护的技术使用者:广州蜂鸟传感科技有限公司技术研发日:20230320技术公布日:2024/1/14

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