聚合物图形和形成聚合物图形的方法与流程

本申请涉及半导体集成电路工艺制造领域，尤其是微机电系统(mems：microelectro mechanical systems)领域，特别涉及一种聚合物图形和形成聚合物图形的方法。

背景技术：

1、在微机电系统(mems：micro electro mechanical systems)领域，经常会使用到高深宽比的图形结构，例如深宽比大于10。所谓深宽比，是指图形中开口的深度与开口宽度的比。有时，这样的图形需要用光刻技术在光敏材料上直接形成。

2、应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

技术实现思路

1、本申请的发明人发现，当图形的深宽比越高时，由于涉及到曝光机分辨率及焦深、材料的分辨率问题，结构的实现就越困难，此外，如果使用非光敏性质的有机薄膜采用激光直写的方式，制作难度大，良品率低，制作成本高，且产品的精度不够理想。

2、本申请实施例提供一种聚合物图形和形成聚合物图形的方法，对曝光后的聚合物图形进行加热，能够使聚合物图形固化，从而在显影后形成高深宽比的聚合物图形。

3、根据本申请实施例的一个方面，提供一种形成聚合物图形的方法，所述方法包括：

4、在基板的表面形成聚合物薄膜；

5、利用预定波长的光透过光刻版的开口图形对所述聚合物薄膜进行曝光；

6、加热曝光后的所述聚合物薄膜；以及

7、使用显影液对所述聚合物薄膜进行显影以在所述基板的表面形成聚合物图形，

8、其中，所述聚合物薄膜中除了被所述预定波长的光照射的区域之外的区域溶解于所述显影液，所述聚合物薄膜中被所述预定波长的光照射的区域不溶解于所述显影液，从而形成所述聚合物图形。

9、根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述聚合物图形具有第一开口，所述第一开口的深宽比为2.5～30。

10、根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述第一开口的尺寸为大于或等于4微米，所述聚合物薄膜的高度为10微米～120微米。

11、根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述基板中形成有芯片，所述芯片具有电极，所述电极位于所述聚合物图形的下方。

12、根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述聚合物薄膜中具有光酸发生剂，所述预定波长的光照射所述聚合物薄膜时，所述聚合物薄膜中产生氢离子。

13、根据本申请实施例的另一个方面，其中，在对所述聚合物薄膜进行曝光的过程中，所述光刻版与所述聚合物薄膜的距离为0微米～10微米。

14、根据本申请实施例的另一个方面，其中，加热曝光后的所述聚合物薄膜的过程中，所述聚合物薄膜内的经过曝光产生的氢离子打断小分子链并重组形成不溶于所述显影液的大分子链。

15、根据本申请实施例的另一个方面，提供一种聚合物图形，所述聚合物图形形成于基板的表面，所述聚合物图形具有第一开口，所述第一开口的深宽比为2.5～30，所述基板中形成有芯片，所述芯片具有电极，所述电极位于所述聚合物图形的下方。

16、根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述第一开口的尺寸为大于或等于4微米，所述聚合物薄膜的高度为10微米～120微米。

17、根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述第一开口包括：孔穴和/或沟道。

18、本申请的有益效果在于：对曝光后的聚合物图形进行加热，能够使聚合物图形固化，从而在显影后形成高深宽比的聚合物图形。

19、参照后文的说明和附图，详细公开了本申请的特定实施方式，指明了本申请的原理可以被采用的方式。应该理解，本申请的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内，本申请的实施方式包括许多改变、修改和等同。

20、针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。

21、应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。

技术特征：

1.一种形成聚合物图形的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.如权利要求1所述的形成聚合物图形的方法，其特征在于，

3.如权利要求2所述的形成聚合物图形的方法，其特征在于，

4.如权利要求1所述的形成聚合物图形的方法，其特征在于，

5.如权利要求1所述的形成聚合物图形的方法，其特征在于，

6.如权利要求5所述的形成聚合物图形的方法，其特征在于，

7.如权利要求5所述的形成聚合物图形的方法，其特征在于，

8.一种聚合物图形，所述聚合物图形形成于基板的表面，其特征在于，

9.如权利要求8所述的聚合物图形，其特征在于，

10.如权利要求8所述的聚合物图形，其特征在于，

技术总结本申请提供一种聚合物图形和形成聚合物图形的方法，所述方法包括：在基板的表面形成聚合物薄膜；利用预定波长的光透过光刻版的开口图形对所述聚合物薄膜进行曝光；加热曝光后的所述聚合物薄膜；以及使用显影液对所述聚合物薄膜进行显影以在所述基板的表面形成聚合物图形，其中，所述聚合物薄膜中除了被所述预定波长的光照射的区域之外的区域溶解于所述显影液，所述聚合物薄膜中被所述预定波长的光照射的区域不溶解于所述显影液，从而形成所述聚合物图形。根据本申请，对曝光后的聚合物图形进行加热，能够使聚合物图形固化，从而在显影后形成高深宽比的聚合物图形。技术研发人员：吴俊,龚燕飞,刘涛受保护的技术使用者：上海新微技术研发中心有限公司技术研发日：技术公布日：2024/2/1