改善晶圆上层微桥结构关键尺寸均匀性的方法与流程

本公开涉及半导体制造，更具体地涉及一种改善晶圆上层微桥结构关键尺寸均匀性的方法。

背景技术：

1、微测辐射热计的mems结构关键在于上层微桥结构的机械稳定性，上层微桥结构关键尺寸的大小会直接影响器件的各种电性参数。上层微桥结构关键尺寸的均匀性的控制因此变得非常重要。

2、一种传统的0.35微米(即350nm)上层微桥结构制程中，上层微桥光刻后关键尺寸的均匀性不好，尤其是在晶圆的边缘处，微桥结构的关键尺寸比晶圆的中心处的微桥结构的关键尺寸小了50nm以上，导致在后续去胶、释放等工艺过程中出现上层微桥结构断裂缺失，严重影响产品良率和客户信心，因此解决晶圆边缘上层微桥结构断裂缺失问题变的非常的重要。

3、目前为了解决晶圆边缘微桥结构关键尺寸偏小的问题，主要的做法是对上层微桥结构光刻工艺的程式(recipe)中整体参数的调试来控制，一般会调节光刻工艺中的焦距、na(数值孔径)、sigma、能量、光刻胶厚度等参数来做改善。

4、但是这些参数的调整会影响到光刻胶轮廓(pr profile)和关键尺寸的大小，对光学临近效应修正(opc)也会有相应影响，因此对光刻工艺程式中整体参数调整的方法效率低、成本高。

5、于2013年05月08公开的中国专利文献cn103094072a公开了改善晶圆上栅极光刻关键尺寸均匀性的方法，其对传统的通过调整光刻程式的方法进行改进，其通过控制沉积在栅极层表面的作为电介质防反射涂层(darc)的氮氧化硅(sion)的厚度的均匀性，来控制和调整多晶硅栅极关键尺寸的均匀性。但是，电介质防反射涂层的设置会增加工艺复杂程度，效率会降低，工艺成本会增加。

6、基于此，有必要进一步开发一种成本较低、效率高的改善晶圆上微桥光刻关键尺寸均匀性的方法。

技术实现思路

1、鉴于背景技术中存在的问题，本公开的目的在于提供一种改善晶圆上层微桥结构关键尺寸均匀性的方法，其能成本较低、效率高地改善晶圆上微桥光刻关键尺寸均匀性。

2、由此，一种改善晶圆上层微桥结构关键尺寸均匀性的方法包括步骤：s1，提供晶圆；s2，在晶圆的表面上沉积微桥结构的下保护层；s3，在下保护层的表面形成微桥结构的电介质层；s4，在电介质层的表面上沉积形成微桥结构的上保护层；s5，在上保护层的表面上旋涂duv光刻胶；s6，使用步进扫描式光刻机，采用同一块掩膜版分区域曝光的模式形成上层微桥结构的二维阵列的单元区域中的各单元区域的光刻图案，分区域曝光基于二维图案阵列的单元区域在晶圆上所处的位置来划分，各单元区域内的光刻图案内具有上层微桥结构的关键尺寸。

3、本公开的有益效果如下：在根据本公开的改善晶圆上层微桥结构关键尺寸均匀性的方法中，通过步骤s6在不更换掩膜版的情况下，使用步进扫描式光刻机、采用分区域曝光的模式形成上层微桥的光刻图案，能够对晶圆不同的位置(即隶属不同所划分的区域)采用各自合适的曝光条件来曝光，进而能够灵活有效地控制和调整晶圆整个面上的全部单元区域内的上层微桥结构的关键尺寸的均匀性。

技术特征：

1.一种改善晶圆上层微桥结构关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，包括步骤：

2.根据权利要求1所述的改善晶圆上层微桥结构关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的改善晶圆上层微桥结构关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，

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9.根据权利要求7所述的改善晶圆上层微桥结构关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，

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技术总结一种改善晶圆上层微桥结构关键尺寸均匀性的方法包括步骤：S1，提供晶圆；S2，在晶圆的表面上沉积微桥结构的下保护层；S3，在下保护层的表面形成微桥结构的电介质层；S4，在电介质层的表面上沉积形成微桥结构的上保护层；S5，在上保护层的表面上旋涂DUV光刻胶；S6，使用步进扫描式光刻机，采用同一块掩膜版分区域曝光的模式形成上层微桥结构的二维阵列的单元区域中的各单元区域的光刻图案，分区域曝光基于二维图案阵列的单元区域在晶圆上所处的位置来划分，各单元区域内的光刻图案内具有上层微桥结构的关键尺寸。由此，能够灵活有效地控制和调整晶圆整个面上的全部单元区域内的上层微桥结构的关键尺寸的均匀性。技术研发人员：温斐旻,闫丽荣,王岳,李海涛受保护的技术使用者：安徽光智科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/3/4