传感器制备方法及传感器与流程

本发明涉及传感器制备，特别是涉及一种传感器制备方法及传感器。

背景技术：

1、随着科技的发展和社会的不断进步，惯性类传感器的种类也越来越多，例如mems(micro electro mechanical system，微机电系统)加速计、陀螺仪或者imu(inertialmeasurement unit，惯性测量单元)等。惯性类传感器包括有器件层、衬底以及密封盖，器件层位于衬底和密封盖之间。由于器件层能够活动，故在使用过程中，器件层会发生上下震动。但是现有的传感器中容易出现器件层震动幅度过大的问题，从而导致器件层的结构发生过度变形或粘连。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对现有的传感器中器件层的震动幅度过大的问题，提供一种减小器件层上下震动幅度，从而避免器件层的结构发生过度变形或粘连的传感器制备方法及传感器。

2、一种传感器制备方法，包括步骤：

3、s110，对第一晶圆的第一侧进行氧化物沉积形成第一牺牲层，并对所述第一牺牲层进行图形化刻蚀，以形成暴露所述第一晶圆的第一缺口及第二缺口；

4、s120，对所述第一侧进行氧化物沉积形成第二牺牲层并对所述第二牺牲层进行图形化刻蚀，以去除所述第一缺口处的所述第二牺牲层，所述第二牺牲层在所述第二缺口处形成第一凹陷；

5、s130，对所述第一侧进行沉积形成第一导电层，所述第一导电层在所述第一缺口处和所述第一凹陷处分别形成朝向所述第一晶圆的第一凸起和第二凸起，且所述第一凸起与所述第一晶圆相抵接；

6、s140，在所述第一导电层背离所述第一晶圆的一侧形成底层结构；

7、s160，对所述第一晶圆进行刻蚀形成可动结构，所述第二凸起与所述可动结构相对；

8、s170，对与所述可动结构相对的所述第一牺牲层和所述第二牺牲层进行刻蚀。

9、一种通过上述传感器制备方法制备的传感器，包括第一晶圆、第一牺牲层、第二牺牲层、第一导电层以及底层结构，所述第一晶圆形成有可动结构，所述第一导电层形成有朝向所述第一晶圆的第一凸起和第二凸起，所述第一凸起与所述第一晶圆相抵接，所述第二凸起与所述可动结构中的至少部分相对。

10、采用上述的传感器制备方法及传感器，可动结构在震动的过程中，第二凸起能够与其相抵接，以对可动结构产生阻挡作用，从而减小可动结构的震动幅度，避免可动结构因震动幅度过大导致器件层的结构发生过度变形，以及为可动结构提供回复力，避免发生粘连，进而确保传感器的可靠性。

技术特征：

1.一种传感器制备方法，其特征在于，包括步骤：

2.根据权利要求1所述的传感器制备方法，其特征在于，步骤s130还包括：

3.根据权利要求1所述的传感器制备方法，其特征在于，步骤s140包括：

4.根据权利要求3所述的传感器制备方法，其特征在于，所述第三缺口与所述第二凸起相对；

5.根据权利要求3或4所述的传感器制备方法，其特征在于，步骤s143之后还包括：

6.根据权利要求3或4所述的传感器制备方法，其特征在于，所述第二导电层用于接地。

7.根据权利要求3或4所述的传感器制备方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度大于或等于0.3μm。

8.根据权利要求1所述的传感器制备方法，其特征在于，步骤s140和步骤s160之间还包括步骤s150：

9.一种通过权利要求1-8任一项所述的传感器制备方法制备的传感器，其特征在于，包括第一晶圆、第一牺牲层、第二牺牲层、第一导电层及底层结构，所述第一晶圆形成有可动结构，所述第一导电层形成有朝向所述第一晶圆的第一凸起和第二凸起，所述第一凸起与所述第一晶圆相抵接，所述第二凸起与所述可动结构中的至少部分相对。

10.根据权利要求9所述的传感器，其特征在于，所述底层结构包括绝缘层及第二导电层。

技术总结本申请涉及一种传感器制备方法及传感器，传感器包括第一晶圆、第一牺牲层、第二牺牲层、第一导电层及底层结构，第一晶圆形成有可动结构，第一导电层形成有朝向第一晶圆的第一凸起和第二凸起，第一凸起与第一晶圆相抵接，第二凸起与可动结构中的至少部分相对。在沉积第二牺牲层时形成凹陷，然后再沉积第一导电层时形成朝向第一晶圆的第二凸起，第二凸起与第一晶圆中的可动结构相对，而且在后续可动结构震动的过程中，第二凸起能够与可动结构相抵接，以对可动结构产生阻挡作用，从而减小可动结构的震动幅度，避免可动结构因震动幅度过大导致器件层的结构发生过度变形或粘连，进而确保传感器的可靠性。技术研发人员：颜培力,安兴,李嗣晗,张永平受保护的技术使用者：上海矽睿科技股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/2/25