MEMS元件及其制作方法与流程

本公开属于mems器件，具体涉及一种mems元件及其制作方法。

背景技术：

1、基于mems技术形成的3d微型器件具有体积小、重量轻、可靠性高、集成度高等特点，以使mems元件广泛应用于各电子器件中，例如，mems开关可用于电路中要求高速、电性地低电流开关的多种应用；mems电容器可用于多种电路中，例如，可调谐滤波器、可调谐移相器和可调谐天线等。因此，随着应用电路的多元化，对mems元件的尺寸、规格以及生产周期要求越来越高。

2、然而，目前的mems元件更多偏向于规格定制化，并未形成完善的规格标准，应用成本高，并且，mems元件中保留了各mems单元的电极，且第一电极与第二电极直接电连接于mems单元上，例如，第一电极或第二电极与mems单元的端子或晶圆衬底连接，使用灵活性较差；再者，在mems元件实际应用时，还需要根据客户要求的mems元件尺寸和规格，针对性地额外设计封装基板或重新分布层(rdl)或施加其他引线方式，在增加设计成本的同时，还可能额外引入esr或esl每个mems单元。

技术实现思路

1、本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种mems元件及其制作方法。

2、本公开的一方面，提出一种mems元件，包括：一个或多个mems单元、设置于所述mems单元上的走线层、以及绝缘设置于所述走线层背离所述mems单元一侧的一个或多个第一电极和一个或多个第二电极，所述第一电极和所述第二电极间隔设置；其中，

3、一个或多个所述mems单元的第一端子通过所述走线层与所述一个或多个第一电极电连接，一个或多个所述mems单元的第二端子通过所述走线层与所述一个或多个第二电极电连接；

4、多个所述mems单元之间通过所述走线层电连接。

5、可选地，所述多个mems单元之间通过所述走线层以串联、并联和混联中的至少一种连接方式电连接。

6、可选地，所述走线层包括第一走线部、第二走线部以及第三走线部；其中，

7、其中一个所述mems单元的第一端子通过所述第一走线部与所述第一电极电连接，另外一个所述mems单元的第二端子通过所述第二走线部与所述第二电极电连接；并且多个所述mems单元之间的第一端子和第二端子通过所述第三走线部串联连接。

8、可选地，所述走线层包括第一走线部与第二走线部；

9、多个所述mems单元的第一端子通过所述第一走线部并联连接，且所述第一走线部与所述第一电极电连接；

10、多个所述mems单元的第二端子通过所述第二走线部并联连接，且所述第二走线部与所述第二电极电连接。

11、可选地，所述走线层包括第一走线部、第二走线部以及第三走线部；

12、多个所述mems单元中的至少两个mems单元的第一端子通过所述第一走线部并联电连接于所述第一电极上；

13、多个所述mems单元中的至少两个mems单元的第二端子通过所述第二走线部并联电连接于所述第二电极上，所述第一电极、至少两个mems单元以及所述第二电极形成至少两条并联电路；

14、在至少一条所述并联电路中的mems单元之间通过所述第三走线部串联电连接。

15、可选地，所述第一电极与所述第二电极的数量均为一个。

16、可选地，所述走线层上还设置有第一电介质层，所述第一电介质层上间隔设置有一个或多个第一电极连接通孔与一个或多个第二电极连接通孔；

17、所述第一电极与所述第二电极分别穿设于对应的所述第一电极连接通孔与所述第二电极连接通孔中且电性连接于所述走线层。

18、可选地，多个所述mems单元通过划线槽相邻接。

19、可选地，所述mems单元为mems电容单元、mems电阻单元以及mems电感单元中的至少一者。

20、可选地，所述mems电容单元包括一层或多层第一极板、一层或多层第二极板、一层或多层第二电介质层、第三电介质层以及第一导电部、第二导电部；其中，

21、所述第一极板与所述第二极板交错叠加，且所述第一极板与所述第二极板之间设置有所述第二电介质层，所述第三电介质层设置于所述第一极板或所述第二极板背离所述第二电介质层的一侧；

22、所述第一导电部与所述第二导电部绝缘并至少穿设置于所述第三电介质层中，所述第一导电部的一端与所述第一极板电连接，形成第一端子，所述第二导电部的一端与所述第二极板电连接，形成第二端子，所述第一导电部与所述第二导电部的另一端均与所述走线层电连接。

23、本公开的另一方面，提出一种mems元件的制作方法，所述制作方法包括：

24、在一张或多张晶圆上形成多个mems单元；

25、在一个或多个mems单元上形成走线层，多个mems单元通过所述走线层电连接；

26、在所述走线层上形成第一电介质层，并在所述第一电介质层上间隔开设一个或多个第一电极连接通孔和一个或多个第二电极连接通孔；

27、在所述一个或多个第一电极连接通孔内对应形成一个或多个第一电极，在所述一个或多个第二电极连接通孔内对应形成一个或多个第二电极。

28、可选地，在多个mems单元上形成走线层，包括：

29、在多个mems单元的第一端子与第二端子上对应形成多个走线部，多个所述走线部通过串联、并联和混联中的至少一种连接方式电连接各所述mems单元。

30、本公开提出一种mems元件及其制作方法，mems元件包括：一个或多个mems单元、设置于mems单元上的走线层，绝缘设置于走线层背离mems单元一侧的一个或多个第一电极和一个或多个第二电极，第一电极和第二电极间隔设置；一个或多个mems单元的第一端子通过走线层与一个或多个第一电极电连接，一个或多个mems单元的第二端子通过走线层与一个或多个第二电极电连接；多个mems单元之间通过走线层电连接。本公开可根据需求定制走线层以改变连线布局，通过走线层既实现mems单元与各电极的电连接，同时还实现多个mems单元之间的电连接，应用更为灵活，并在实际应用时无需额外设计rdl或施加其他引线方式，降低研发成本与周期。

技术特征：

1.一种mems元件，其特征在于，包括：一个或多个mems单元、设置于所述mems单元上的走线层、以及绝缘设置于所述走线层背离所述mems单元一侧的一个或多个第一电极和一个或多个第二电极，所述第一电极和所述第二电极间隔设置；其中，

2.根据权利要求1所述的mems元件，其特征在于，所述多个mems单元之间通过所述走线层以串联、并联和混联中的至少一种连接方式电连接。

3.根据权利要求1所述的mems元件，其特征在于，所述走线层包括第一走线部、第二走线部以及第三走线部；其中，

4.根据权利要求1所述的mems元件，其特征在于，所述走线层包括第一走线部与第二走线部；

5.根据权利要求1所述的mems元件，其特征在于，所述走线层包括第一走线部、第二走线部以及第三走线部；

6.根据权利要求1至5任一项所述的mems元件，其特征在于，所述第一电极与所述第二电极的数量均为一个。

7.根据权利要求1至5任一项所述的mems元件，其特征在于，所述走线层上还设置有第一电介质层，所述第一电介质层上间隔设置有一个或多个第一电极连接通孔与一个或多个第二电极连接通孔；

8.根据权利要求1至5任一项所述的mems元件，其特征在于，多个所述mems单元通过划线槽相邻接。

9.根据权利要求1至5任一项所述的mems元件，其特征在于，所述mems单元为mems电容单元、mems电阻单元以及mems电感单元中的至少一者。

10.根据权利要求9所述的mems元件，其特征在于，所述mems电容单元包括一层或多层第一极板、一层或多层第二极板、一层或多层第二电介质层、第三电介质层以及第一导电部、第二导电部；其中，

11.一种mems元件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

12.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，在多个mems单元上形成走线层，包括：

技术总结本公开提出一种MEMS元件及其制作方法，属于半导体技术领域。MEMS元件包括：一个或多个MEMS单元、设置于MEMS单元上的走线层，绝缘设置于走线层背离MEMS单元一侧的一个或多个第一电极和一个或多个第二电极，第一电极和第二电极间隔设置；一个或多个MEMS单元的第一端子通过走线层与一个或多个第一电极电连接，一个或多个MEMS单元的第二端子通过走线层与一个或多个第二电极电连接；多个MEMS单元之间通过走线层电连接。本公开通过走线层既实现MEMS单元与各电极的电连接，同时还实现多个MEMS单元之间的电连接，应用更为灵活，并且在实际应用时无需额外设计重新分布层或施加其他引线方式。技术研发人员：赵婷受保护的技术使用者：北京中科格励微科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/4/29