制造凸块或柱的方法和半导体器件与流程

本发明的实施例涉及制造凸块或柱的方法和半导体器件。

背景技术：

1、最近已经开发了微电子机械系统(mems)器件。mems器件包括使用半导体技术制造的器件以形成机械和电子部件。mems器件实现在压力传感器、麦克风、致动器、镜像、加热器和/或打印机喷嘴中。虽然用于形成mems器件的现有器件和方法对于它们的预期目的通常已经足够，但是它们不是在所有方面都已完全令人满意。

技术实现思路

1、本发明的实施例提供了一种制造凸块或柱的方法，包括：在衬底上方形成凸块下导电层；在所述凸块下导电层上方形成具有第一开口和第二开口的第一光刻胶层；在所述第一开口和所述第二开口中形成第一导电层以形成第一低凸块和第二低凸块；去除所述第一光刻胶层；在所述第二低凸块上方形成具有第三开口的第二光刻胶层；在所述第三开口中的所述第二低凸块上形成第二导电层，以形成具有大于所述第一低凸块的高度的高凸块；以及去除所述第二光刻胶层。

2、本发明的另一实施例提供了一种制造凸块或柱的方法，包括：在衬底上方形成焊盘电极；在所述焊盘电极上方形成绝缘层；图案化所述绝缘层以部分地暴露所述焊盘电极；在所述绝缘层和暴露的所述焊盘电极上方形成凸块下导电层；在所述凸块下导电层上方形成具有第一开口和第二开口的第一光刻胶层；在所述第一开口和所述第二开口中形成第一导电层以形成第一低凸块和第二低凸块；去除所述第一光刻胶层；在所述第二低凸块上方形成具有第三开口的第二光刻胶层；在所述第三开口中的所述第二低凸块上形成第二导电层以形成具有大于所述第一低凸块的高度的高凸块；去除所述第二光刻胶层；形成具有第四开口的第三光刻胶层以暴露所述凸块下导电层的部分，所述第三光刻胶层覆盖所述第一低凸块和所述高凸块；在所述第四开口中的所述凸块下导电层的暴露部分上形成一个或多个导电层，以形成第三低凸块；去除所述第三光刻胶层；以及去除未由所述第一低凸块、所述第三低凸块和所述高凸块覆盖的所述凸块下导电层的部分。

3、本发明的又一实施例提供了一种半导体器件，包括：衬底；以及第一凸块结构，设置在所述衬底上方，其中：所述第一凸块结构包括具有第一高度的第一凸块，所述第一凸块设置在凸块下导电层上方并且由au或au合金制成，并且所述凸块下导电层包括由ti或ti合金制成的下部层和由au或au合金制成的上部层。

技术特征：

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述凸块下导电层设置在焊盘电极上方。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，从所述凸块下导电层的顶部测量的所述第一高度在从30μm至100μm的范围内。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括第二凸块结构，其中：

5.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括第三凸块结构，其中：

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第三凸块由与所述第一凸块和所述第二凸块不同的材料制成，并且第三高度小于第一高度。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第三凸块包括设置在ni或ni合金层上方的锡合金层。

8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第三凸块由与所述第一凸块和所述第二凸块相同的材料制成，并且第三高度等于第一高度。

9.一种微电子机械系统器件，包括：

10.一种微电子机械系统器件，其中，所述微电子机械系统器件包括中心区域和围绕所述中心区域的外围区域，并且其中，所述微电子机械系统器件包括：

技术总结在制造凸块或柱的方法中，在衬底上方形成凸块下导电层，在凸块下导电层上方形成具有第一开口和第二开口的第一光刻胶层，在第一开口和第二开口中形成第一导电层以形成第一低凸块和第二低凸块，去除第一光刻胶层，在第二低凸块上方形成具有第三开口的第二光刻胶层，在第三开口中的第二低凸块上形成第二导电层以形成具有大于第一低凸块高的高度的高凸块，以及去除第二光刻胶层。本发明的实施例还涉及半导体器件。技术研发人员：吴凯第,郑明达,吕文雄,杨挺立,林素妃,刘旭伦,李明机受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/4/29