气压供给管路及CVD装置的制作方法

本发明涉及气体管路，更为具体地，涉及一种气压供给管路及cvd装置。

背景技术：

1、在晶圆生产工艺中，cvd(chemicalvapordeposition，化学气相沉积)工艺装置中气体的供给管路，包括连接气源的总管道和连接在总管道上的分支管道，由分支管道继续输送气体，直到用气构件。但是，现有的供给管路只能直接接受气源供给端提供的气体，不能根据需要调节供气的气压，也不能去除空气中的杂质，易使管道、电磁阀体、用气构件等受到损坏；不能对分支管道分别进行控制，当分支管道出现问题，只能切断总管道，停止向所有分支管道供气，再进行查看检修，降低了生产效率。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，本发明的目的是提供一种气压供给管路及cvd装置，能够调节供气的气压和净化气体，并控制第一分支管道的通断。

2、本发明提供的一种气压供给管路，包括与气源连接的总管道、分别与所述总管道连通的分支管道，所述分支管道包括与用于控制有害气体的供给的开闭装置连接的第一分支管道；

3、在所述总管道上沿气体流动方向依次设置有总开关阀、气压调节装置和杂质去除装置；

4、在所述第一分支管道上沿气体流动方向依次设置有异常阻断装置和分支气压检测装置。

5、在所述总管道上设置有总气压检测装置，所述总气压检测装置位于所述气压调节装置和所述杂质去除装置之间，用于检测所述气源提供的气压是否正常。

6、总开关阀为手动中止阀。

7、所述气压调节装置为气压调节阀。

8、所述杂质去除装置为空气杂质过滤器。

9、所述异常阻断装置设置在所述第一分支管道的进气端，所述异常阻断装5置为电磁阀门。

10、所述分支气压检测装置为数显压力传感器，用于检测所述异常阻断装置的工作状态。

11、所述数显压力传感器的显示屏设置在气压供给管路所处的箱体外壁上。

12、所述第一分支管道与装有有害气体的气体箱内部的气动阀连接，在所述0气体箱的内部设置有漏气检测装置，所述漏气检测装置与所述异常阻断装置

13、电性连接。

14、本发明另一方面提供的一种cvd装置，包括上述的气压供给管路。

15、从上面的描述可知，本发明提供的气压供给管路及cvd装置，在供气总5管道上设置有总开关阀、气压调节装置和杂质去除装置，将气源来的空气先

16、进行净化，保证输送的是干净干燥的气体，根据工作情况可调节输送气体的气压，不会损坏管道、阀体和用气构件，在与有害气体的箱体的气动阀连接的分支管道上设置有异常阻断装置和分支气压检测装置，分支管道的输气出

17、现异常时，可及时观测到并阻断，从而防止对整个用气装置和工艺产生不良0的影响。本发明能够保证顺利进行干净空气的供给，保护设备不受损害，提

18、高了气压供给的灵活性和安全性。

技术特征：

1.一种气压供给管路，包括与气源连接的总管道、分别与所述总管道连通的分支管道，其特征在于，所述分支管道包括与用于控制有害气体的供给的开闭装置连接的第一分支管道；

2.如权利要求1所述的气压供给管路，其特征在于，在所述总管道上设置有总气压检测装置，所述总气压检测装置位于所述气压调节装置和所述杂质去除装置之间，用于检测所述气源提供的气压是否正常。

3.如权利要求1所述的气压供给管路，其特征在于，总开关阀为手动中止阀。

4.如权利要求1所述的气压供给管路，其特征在于，所述气压调节装置为气压调节阀。

5.如权利要求1所述的气压供给管路，其特征在于，所述杂质去除装置为空气杂质过滤器。

6.如权利要求1所述的气压供给管路，其特征在于，所述异常阻断装置设置在所述第一分支管道的进气端，所述异常阻断装置为电磁阀门。

7.如权利要求1所述的气压供给管路，其特征在于，所述分支气压检测装置为数显压力传感器，用于检测所述异常阻断装置的工作状态。

8.如权利要求7所述的气压供给管路，其特征在于，所述数显压力传感器的显示屏设置在气压供给管路所处的箱体外壁上。

9.如权利要求1所述的气压供给管路，其特征在于，所述第一分支管道与装有有害气体的气体箱内部的气动阀连接，在所述气体箱的内部设置有漏气检测装置，所述漏气检测装置与所述异常阻断装置电性连接。

10.一种cvd装置，其特征在于，包括权利要求1-9任意一项所述的气压供给管路。

技术总结本发明提供一种气压供给管路及CVD装置，包括与气源连接的总管道、分别与所述总管道连通的分支管道，所述分支管道包括与用于控制有害气体的供给的开闭装置连接的第一分支管道；在所述总管道上沿气体流动方向依次设置有总开关阀、气压调节装置和杂质去除装置；在所述第一分支管道上沿气体流动方向依次设置有异常阻断装置和分支气压检测装置。采用本发明能够调节供气的气压和净化气体，并控制第一分支管道的通断。技术研发人员：金洙千,吴泰润,金秀宪,张惠贞,车世旭,李踵荣,李俊莹,林勇珍,金大琪,郑允琇受保护的技术使用者：盛吉盛（韩国）半导体科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/11