显示装置的制作方法

1.本公开涉及一种显示装置。详细而言，本公开涉及一种具备转盘的显示装置。背景技术：2.现有显示装置通常具有两层转盘。两层转盘占据显示装置的边框一定比例，使得显示装置的屏占比很低。3.接着，两层转盘需要两个感测电路来进行读取，使得显示装置的边框的走线设计具有挑战。两个感测电路的光感测器有非均匀性，两个感测电路的光感测器的收光范围可能互相重叠，使得读取过程造成误判。4.因此，上述技术尚存诸多缺陷，而有待本领域从业人员研发出其余适合的具备转盘的显示装置的电路设计。技术实现要素：5.本公开的一面向涉及一种显示装置。显示装置包含显示面板、转盘、入射光源、感测电路及处理器。显示面板用以显示画面。转盘耦接于显示面板，并包含刻度部。刻度部包含第一刻度区域、第二刻度区域及第三刻度区域。第一刻度区域、第二刻度区域及第三刻度区域不重叠。入射光源耦接于显示面板，并用产生检测信号至第一刻度区域、第二刻度区域及第三刻度区域，以产生第一刻度区域的第一光强度、第二刻度区域的第二光强度及第三刻度区域的第三光强度。感测电路设置于显示面板中，并用以接收第一光强度、第二光强度及第三光强度。处理器设置于显示面板中，并耦接于感测电路，且根据第一光强度、第二光强度及第三光强度产生控制信号，借此判断转盘的转向为顺时钟旋转方向或为逆时钟旋转方向。6.本公开的另一面向涉及一种显示装置。显示装置包含显示面板、转盘、入射光源、感测电路及处理器。显示面板用以显示画面。转盘耦接于显示面板，并包含刻度部。刻度部包含第一刻度区域、第二刻度区域及第三刻度区域。第一刻度区域、第二刻度区域及第三刻度区域不重叠。入射光源耦接于显示面板，并用产生检测信号至第一刻度区域、第二刻度区域及第三刻度区域，以产生第一刻度区域的第一光通量、第二刻度区域的第二光通量及第三刻度区域的第三光通量。感测电路耦接于显示面板，并用以接收第一光通量、第二光通量及第三光通量。处理器设置于显示面板中，耦接于感测电路，并根据第一光通量、第二光通量及第三光通量产生控制信号，借此判断转盘的转向为顺时钟旋转方向或为逆时钟旋转方向。附图说明7.参照后续段落中的实施方式以及下列附图，当可更佳地理解本公开的内容：8.图1为根据本公开一些实施例示出的显示装置的电路方块侧视示意图；9.图2为根据本公开一些实施例示出的显示装置的俯视示意图；10.图3为根据本公开一些实施例示出的显示装置的区域放大图示意图；11.图4为根据本公开一些实施例示出的显示装置的感测电路的结构示意图；12.图5为根据本公开一些实施例示出的显示装置的电路方块侧视示意图；13.图6为根据本公开一些实施例示出的显示装置的电路方块侧视示意图；14.图7为根据本公开一些实施例示出的显示装置的电路方块侧视示意图；以及15.图8为根据本公开一些实施例示出的显示装置的俯视示意图。16.附图标记说明：17.100,200：显示装置18.110～110b,210：显示面板19.120～120b：转盘20.121～121b,221：刻度部21.130～130b,230：入射光源22.131～133：发光二极管23.h1：数量24.d1：宽度25.140～140b,240：感测电路26.150～150b,250：27.a11～a13,a21～26：刻度区域28.cw：顺时钟旋转方向29.ccw：逆时钟旋转方向30.θ1～θ2：圆心角31.z：区域放大图32.aa’,bb’：剖面线33.l1～l4：检测信号34.rl1,rl3,rl4：反射光信号35.t1～t3：晶体管36.sro：光感测器37.fvdd’,fvdd：系统高电压38.fvss：系统低电压39.srreset：重置信号40.sread：读取信号41.column readout：读取线具体实施方式42.以下将以附图及详细叙述清楚说明本公开的构思，任何所属技术领域中技术人员在了解本公开的实施例后，当可由本公开所启示的技术，加以改变及修饰，其并不脱离本公开的构思与范围。43.本文的用语只为描述特定实施例，而无意为本公开的限制。单数形式如“一”、“这”、“此”、“本”以及“该”，如本文所用，同样也包含多个形式。44.关于本文中所使用的“包含”、“包括”、“具有”、“含有”等等，均为开放性的用语，即意指包含但不限于。45.关于本文中所使用的用词(terms)，除有特别注明外，通常具有每个用词使用在此领域中、在本公开的内容中与特殊内容中的平常意义。某些用以描述本公开的用词将于下或在此说明书的别处讨论，以提供本领域技术人员在有关本公开的描述上额外的引导。46.在一些实施例中，为使本公开显示装置100的结构易于理解，请一并参阅图1及图2。图1为根据本公开一些实施例示出的显示装置100的电路方块侧视示意图。图2为根据本公开一些实施例示出的显示装置100的俯视示意图。在一些实施例中，请参阅图1，显示装置100可为手表、时钟、车用旋钮或任意装置的旋钮，但不以本公开实施例所列举物品为限。47.在一些实施例中，请参阅图1，显示装置100包含显示面板110、转盘120、入射光源130、感测电路140及处理器150。48.在一些实施例中，显示面板110用以显示画面。转盘120耦接于显示面板110，并包含刻度部121。49.接着，请一并参阅图1及图2，刻度部121包含第一刻度区域a11、第二刻度区域a12及第三刻度区域a13。第一刻度区域a11、第二刻度区域a12及第三刻度区域a13不重叠。入射光源130耦接于显示面板110，并用以产生检测信号l1至第一刻度区域a11、第二刻度区域a12及第三刻度区域a13，以产生第一刻度区域a11的第一光强度、第二刻度区域a12的第二光强度及第三刻度区域a13的第三光强度。50.再者，感测电路140设置于显示面板110中，并用以接收第一光强度、第二光强度及第三光强度。处理器150设置于显示面板110中，并耦接于感测电路140，且根据第一光强度、第二光强度及第三光强度产生控制信号，借此判断转盘120的转向为顺时钟旋转方向cw或为逆时钟旋转方向ccw。51.须说明的是，图2的第一刻度区域a11、第二刻度区域a12及第三刻度区域a13示出为不同网点。不同网点代表刻度区域使用特殊材料及油墨图形，借此使不同刻度区域具有不同的光反射率或不同的光穿透率。处理器150通过感测电路140读取刻度区域的顺序判别转盘120处于顺时钟旋转方向cw或为逆时钟旋转方向ccw。52.进一步说明的是，图1的实施例所采用的方式为刻度区域具有不同的光反射率。在一些实施例中，第三刻度区域a13的反射率大于第二刻度区域a12的反射率。第二刻度区域a12的反射率大于第一刻度区域a11的反射率。因此，第一刻度区域a11的第一光强度(即反射光强度)小于第二刻度区域a12的第二光强度(即反射光强度)。第二刻度区域a11的第二光强度(即反射光强度)小于第二刻度区域a12的第三光强度(即反射光强度)。在一些实施例中，第一刻度区域a11、第二刻度区域a12及第三刻度区域a13的反射率顺序可依据实际需求设计，并不以本公开实施利为限。53.在一些实施例中，请参阅图1，显示面板110与转盘120结构上耦接。如图1所示，转盘120与显示面板110间具有空隙，以利转盘120进行旋转。54.在一些实施例中，请参阅图1，入射光源130及感测电路140均耦接于处理器150，其耦接方式可为电性连接或无线通信。须说明的是，为避免图示过于复杂，附图并无示出连接关系。55.在一些实施例中，入射光源130可为发光二极管(light-emitting diode,led)56.在一些实施例中，请参阅图1及图2，感测电路140的位置固定于显示装置100的12点钟位置。接着，处理器150通过感测电路140读取转盘120的刻度部121的顺序为第一刻度区域a11的第一光强度、第二刻度区域a12的第二光强度及第三刻度区域a13的第三光强度。因此，处理器150可判定转盘120的转向处于顺时钟旋转方向cw的状况。57.再者，处理器150通过感测电路140读取转盘120的刻度部121的顺序为第三刻度区域a13的第三光强度、第二刻度区域a12的第二光强度及第一刻度区域a11的第一光强度。因此，处理器150可判定转盘120的转向处于逆时钟旋转方向ccw的状况。须说明的是，第一刻度区域a11、第二刻度区域a12及第三刻度区域a13可视为一个单位读取周期。58.在一些实施例中，第一刻度区域a11、第二刻度区域a12及第三刻度区域a13的面积均相同。第二刻度区域a12及第三刻度区域a13的圆心角均与第一刻度区域a12所对应的圆心角θ1相同。在一些实施例中，刻度区域的圆心角θ1的最小角度可为10°。上述单位读取周期的阈值角度为30°。59.在一些实施例中，请参阅图1，入射光源130为发光二极管。发光二极管(即入射光源130)设置于显示面板中110，发光二极管(即入射光源130)、感测电路140、转盘120的刻度部121于垂直投影方向上重叠。当转盘120的刻度部121位于140感测电路及发光二极管之上时，转盘120的刻度部121用以使检测信号l1反射至感测电路140(即反射光信号rl1)。60.在一些实施例中，通过本公开显示装置100的设计，可使感测电路140及周遭走线(图中未示)靠近显示装置100的显示区(即未被转盘120所遮蔽的区域)，借此缩小显示装置100的边框。61.图3为根据本公开一些实施例示出的显示装置的区域放大图z示意图。图3的区域放大图z对应至图2中区域放大图z所标示之处。62.在一些实施例中，请参阅图2及图3，区域放大图z示出感测器140周边电路结构。感测器140大致上位于区域放大图z的中心。感测器140的周边电路结构的数量h1可为7排。须说明的是，1排为包含发光二极管的一列以及无发光二极管的一列。在一些实施例中，一排的宽度可为78微米(μm)。63.接着，入射光源130包含多个发光二极管。多个发光二极管(例如：发光二极管131、发光二极管132、发光二极管133)以感测器140为中心呈菱形，并向外排列。多个发光二极管(例如：发光二极管131、发光二极管132、发光二极管133)用以产生检测信号。感测器140用以接收多个发光二极管(例如：发光二极管131、发光二极管132、发光二极管133)的检测信号所反射或穿透的信号。64.图4为根据本公开一些实施例示出的显示装置的感测电路140的结构示意图。图4为图3中感测电路140的放大图。65.在一些实施例中，请参阅图4，感测电路140包含第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3及光感测器sro。请以附图中元件的上方及右方起算为第一端。第一晶体管t1包含第一端、第二端及控制端(即栅极端)。第一晶体管t1的第一端耦接于第一系统高电压fvdd’。第一晶体管t1的第二端耦接于节点g。第一晶体管t1的控制端用以响应重置信号sreset进行重置。66.第二晶体管t2包含第一端、第二端及控制端(即栅极端)。第二晶体管t2的第一端耦接于第二系统高电压fvdd。第二晶体管t2的第二端耦接于第三晶体管t3。第二晶体管t2的控制端耦接于节点g。67.第三晶体管t3包含第一端、第二端及控制端(即栅极端)。第三晶体管t3的第一端耦接于读取线column readout。第三晶体管t3的第二端耦接于第二晶体管t2。第三晶体管t3的控制端用以响应重置信号sread进行信号读取，借此传输至读取线column readout。68.光感测器sro包含第一端及第二端。光感测器sro的第一端耦接于节点g。光感测器sro的第二端耦接于系统低电压fvss。69.图5为根据本公开一些实施例示出的显示装置100a的电路方块侧视示意图。在一些实施例中，相较于图1，图1与图5的差异在于电路结构位置的改变以及转盘的刻度部的材质改变，其余结构均与图1实施例相似，于此不作赘述。70.在一些实施例中，请参阅图5，入射光源130a为背光板。背光板(即入射光源130a)、感测电路140a及转盘120a的刻度部121a于垂直投影方向上重叠。转盘120a的刻度部121a用以使检测信号l2穿透至感测电路140a。须说明的是，请再参阅图2，转盘120a的刻度部121a所采用的方式为刻度部121a为光穿透的材料并通过特殊油墨图形，借此使刻度区域具有不同的穿透率。71.图6为根据本公开一些实施例示出的显示装置的电路方块侧视示意图。在一些实施例中，相较于图1，图1与图6的差异在于电路结构位置的改变，其余结构均与图1实施例相似，于此不作赘述。72.在一些实施例中，入射光源130b为发光二极管。发光二极管(即入射光源130b)设置于显示面板110b中。当转盘120b的刻度部120b位于感测电路140b及发光二极管(即入射光源130b)之下时，转盘120b的刻度部120b用以使检测信号l3反射至感测电路140b，并通过显示装置100b的触控电极tp遮蔽检测信号l3的部分反射光信号rl3。73.在一些实施例中，为使本公开显示装置200的结构易于理解，请一并参阅图7及图8。图7为根据本公开一些实施例示出的显示装置200的电路方块侧视示意图。图8为根据本公开一些实施例示出的显示装置200的俯视示意图。74.在一些实施例中，请参阅图7，相较于图1的实施例，显示装置200亦可为手表、时钟、车用旋钮或任意装置的旋钮，但不以本公开实施例所列举物品为限。75.在一些实施例中，请参阅图7，显示装置200包含显示面板210、转盘220、入射光源230、感测电路240及处理器250。76.在一些实施例中，显示面板210用以显示画面。转盘220耦接于显示面板210，并包含刻度部221。77.接着，请一并参阅图7及图8，刻度部221包含第一刻度区域(例如：第一刻度区域a21及第一刻度区域a24)、第二刻度区域(例如：第二刻度区域a22及第二刻度区域a25)及第三刻度区域(例如：第三刻度区域a23及第三刻度区域a26)。第一刻度区域、第二刻度区域及第三刻度区域不重叠。入射光源230耦接于显示面板210，并用产生检测信号l4至第一刻度区域、第二刻度区域及第三刻度区域，以产生第一刻度区域(例如：第一刻度区域a21)的第一光通量、第二刻度区域(例如：第二刻度区域a22)的第二光通量及第三刻度区域(例如：第三刻度区域a23)的第三光通量。感测电路240耦接于显示面板210，并用以接收第一光通量、第二光通量及第三光通量。处理器250设置于显示面板210中，耦接于感测电路240，并根据第一光通量、第二光通量及第三光通量产生控制信号，借此判断转盘220的转向为顺时钟旋转方向或为逆时钟旋转方向。须说明的是，光通量的定义为单位时间内由光源所发出或由被照物所吸收的总光能量。78.在一些实施例中，第一刻度区域(例如：第一刻度区域a21及第一刻度区域a24)、第二刻度区域(例如：第二刻度区域a22及第二刻度区域a25)及第三刻度区域(例如：第三刻度区域a23及第三刻度区域a26)的面积皆不相同。79.在一些实施例中，请参阅图8，刻度区域的单位面积的圆心角为θ2。圆心角θ2可为10°。在一些实施例中，第一刻度区域(例如：第一刻度区域a21及第一刻度区域a24)为的圆心角为θ2。80.在一些实施例中，第二刻度区域(例如：第二刻度区域a22及第二刻度区域a25)的圆心角为2θ2。81.在一些实施例中，第三刻度区域(例如：第三刻度区域a23及第三刻度区域a26)的圆心角为3θ2。82.在一些实施例中，第二刻度区域(例如：第二刻度区域a22及第二刻度区域a25)的面积约为第一刻度区域(例如：第一刻度区域a21及第一刻度区域a24)的面积的两倍。第三刻度区域(例如：第三刻度区域a23及第三刻度区域a26)的面积约为第一刻度区域(例如：第一刻度区域a21及第一刻度区域a24)的面积的三倍。83.在一些实施例中，第一刻度区域a21的反射率或穿透率与第一刻度区域a24的反射率或穿透率为相反。84.在一些实施例中，第二刻度区域a22的反射率或穿透率与第二刻度区域a25的反射率或穿透率为相反。85.在一些实施例中，第三刻度区域a23的反射率或穿透率与第三刻度区域a26的反射率或穿透率为相反。86.在一些实施例中，请参阅图5至图7，图7的实施例的结构亦可更改如图5的实施例及图6的实施例的结构，详细内容已于上述段落解说，于此不作赘述。87.在一些实施例中，请参阅图7及图8，感测电路240的位置固定于显示装置200的12点钟位置。接着，处理器250通过感测电路240读取转盘220的刻度部221的顺序为第一刻度区域a21的第一光通量、第二刻度区域a22第二光通量及第三刻度区域a13的第三光通量。因此，处理器250可判定转盘220的转向处于顺时钟旋转方向cw的状况。88.再者，处理器250通过感测电路240读取转盘220的刻度部221的顺序为第三刻度区域a26的第三光通量、第二刻度区域a25第二光通量及第一刻度区域a24的第一光通量。因此，处理器250可判定转盘220的转向处于逆时钟旋转方向ccw的状况。89.依据前述实施例，本公开提供一种显示装置(例如：显示装置100～100b及显示装置200)，通过本公开显示装置的设计，可使感测电路及周遭走线，靠近显示装置的显示区，借此缩小显示装置的边框。90.虽然本公开以详细的实施例公开如上，然而本公开并不排除其他可行的实施方式。因此，本公开的保护范围当视权利要求所界定者为准，而非受于前述实施例的限制。91.对本领域技术人员而言，在不脱离本公开的构思和范围内，当可对本公开作各种的变动与润饰。基于前述实施例，所有对本公开所作的变动与润饰，亦涵盖于本公开的保护范围内。