一种硅片生长覆膜层的检测装置的制作方法

本技术涉及半导体芯片制造工艺的检测，更具体地说，本技术涉及一种硅片生长覆膜层的检测装置。

背景技术：

1、当前fab在半导体芯片制造工艺流程中，其中在完成一些关键的工艺步骤后，通常会设定相对应的监测站点。而设置本站点的目的在于为了监测芯片在上一道工艺流程里，是否产生或附着了微粒或形成了缺陷。因为这些微粒或缺陷会直接影响到后续的工艺顺利进行及产品的功能性，所以检测芯片上是否有缺陷或者附着微粒非常关键；

2、现有常用的缺陷或微粒监控方法是，在晶圆芯片完成一定的工艺流程后，利用相关的量测机台以监测扫描晶圆表面具体情况，判断是否具有微粒与缺陷；但当芯片上形成的缺陷或外界附着上的微粒尺寸远小于量测机台的扫描极限时，此量测机台便无法监测出芯片上是否存在缺陷与微粒，特别的是随着晶圆芯片紧密程度越来越高，尺寸也相之越来越小，由于附着的微粒和产生的缺陷无法被监测出，那么芯片产品受到的影响也就会变得严重。

技术实现思路

1、为了克服现有技术的不足，本实用新型提供了一种硅片生长覆膜层的检测装置，具有可检测出芯片上是否存在缺陷与微粒的优点。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种硅片生长覆膜层的检测装置，包括量测机台，所述量测机台的表面开设有滑槽一，所述滑槽一的内部滑动连接有滑杆，所述滑杆的上方固定安装有连接板，所述连接板的表面开设有滑槽二，所述滑槽二的内部滑动连接有控制器，所述控制器靠近连接板的一侧固定安装有连接器，所述连接器远离连接板的一侧固定安装有固定杆，所述固定杆的表面滑动连接有连接块，所述连接块远离固定杆的一侧啮合有螺栓，所述螺栓的表面啮合有连接臂一，所述连接臂一的上方固定安装有螺杆，所述螺杆的内部转动连接有连接臂二，所述螺杆的表面啮合有限位螺帽，所述连接臂二远离限位螺帽的一侧固定安装有支架，所述支架的表面固定安装有观测镜。

3、作为本实用新型的一种优选技术方案，所述量测机台的底部固定安装有电机，所述电机的输出端固定安装有芯片观测台，所述芯片观测台的表面固定安装有固定板，所述固定板的上方固定安装有伸缩杆，所述伸缩杆的表面套接有弹簧，所述伸缩杆的上方固定安装有挡板。

4、作为本实用新型的一种优选技术方案，所述控制器位于连接器的内部且位于连接器中点处，所述连接器可以在连接板的表面进行上下滑动。

5、作为本实用新型的一种优选技术方案，所述连接臂二位于连接臂一的上方，所述限位螺帽位于连接臂二的上方。

6、作为本实用新型的一种优选技术方案，所述固定杆、连接块、连接臂一、螺杆、连接臂二、限位螺帽、支架和观测镜均有两个，两个所述固定杆、两个所述连接块、两个所述连接臂一、两个所述螺杆、两个所述连接臂二、两个所述限位螺帽、两个所述支架和两个所述观测镜以控制器为中心点，分布在控制器的前后两侧。

7、作为本实用新型的一种优选技术方案，两个所述固定杆和两个所述连接块均位于连接器的内部，所述滑槽一和滑杆均有两个，两个所述滑槽一和两个所述滑杆均位于量测机台的内部。

8、作为本实用新型的一种优选技术方案，所述固定板、伸缩杆和弹簧均有四个，四个所述固定板、四个所述伸缩杆和四个所述弹簧均位于量测机台的上方。

9、作为本实用新型的一种优选技术方案，所述挡板的内部直径值等于芯片观测台的直径值，所述挡板可在芯片观测台的表面上下滑动。

10、与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：

11、1、本实用新型通过在量测机台的上方滑动连接有连接板，连接板的右侧滑动连接有控制器用于调整连接器的高度，同时连接臂二与连接臂一的交底为可调节的，当需要对芯片表面的薄膜进行检测时，可将芯片放置道芯片观测台的上方，在通过调整连接器的高度和连接臂二的角度，找到合适的位置，再通过两个观测镜进行观察，达到可以及时检测出芯片上是否存在缺陷与微粒的效果。

12、2、本实用新型通过在芯片观测台的表面固定安装有固定板，在固定板的上方固定安装有伸缩杆，在伸缩杆的表面套接有弹簧且在伸缩杆的上方固定安装有挡板，当将芯片放置到芯片观测台的上方时，由于四周是被挡板阻挡住的，不容易滑落，其次当在芯片观测台的表面进行薄膜生长时，也易于观察，同时当需要将芯片取出时，可以将挡板向下按压，使挡板的表面与芯片观测台的表面齐平，达到便于取出且不损坏芯片表面薄膜的效果。

技术特征：

1.一种硅片生长覆膜层的检测装置，包括量测机台(1)，其特征在于：所述量测机台(1)的表面开设有滑槽一(2)，所述滑槽一(2)的内部滑动连接有滑杆(3)，所述滑杆(3)的上方固定安装有连接板(4)，所述连接板(4)的表面开设有滑槽二(6)，所述滑槽二(6)的内部滑动连接有控制器(7)，所述控制器(7)靠近连接板(4)的一侧固定安装有连接器(5)，所述连接器(5)远离连接板(4)的一侧固定安装有固定杆(8)，所述固定杆(8)的表面滑动连接有连接块(9)，所述连接块(9)远离固定杆(8)的一侧啮合有螺栓(10)，所述螺栓(10)的表面啮合有连接臂一(11)，所述连接臂一(11)的上方固定安装有螺杆(12)，所述螺杆(12)的内部转动连接有连接臂二(13)，所述螺杆(12)的表面啮合有限位螺帽(14)，所述连接臂二(13)远离限位螺帽(14)的一侧固定安装有支架(15)，所述支架(15)的表面固定安装有观测镜(16)。

2.根据权利要求1所述的一种硅片生长覆膜层的检测装置，其特征在于：所述量测机台(1)的底部固定安装有电机(17)，所述电机(17)的输出端固定安装有芯片观测台(18)，所述芯片观测台(18)的表面固定安装有固定板(19)，所述固定板(19)的上方固定安装有伸缩杆(20)，所述伸缩杆(20)的表面套接有弹簧(21)，所述伸缩杆(20)的上方固定安装有挡板(22)。

3.根据权利要求1所述的一种硅片生长覆膜层的检测装置，其特征在于：所述控制器(7)位于连接器(5)的内部且位于连接器(5)中点处，所述连接器(5)可以在连接板(4)的表面进行上下滑动。

4.根据权利要求1所述的一种硅片生长覆膜层的检测装置，其特征在于：所述连接臂二(13)位于连接臂一(11)的上方，所述限位螺帽(14)位于连接臂二(13)的上方。

5.根据权利要求1所述的一种硅片生长覆膜层的检测装置，其特征在于：所述固定杆(8)、连接块(9)、连接臂一(11)、螺杆(12)、连接臂二(13)、限位螺帽(14)、支架(15)和观测镜(16)均有两个，两个所述固定杆(8)、两个所述连接块(9)、两个所述连接臂一(11)、两个所述螺杆(12)、两个所述连接臂二(13)、两个所述限位螺帽(14)、两个所述支架(15)和两个所述观测镜(16)以控制器(7)为中心点，分布在控制器(7)的前后两侧。

6.根据权利要求1所述的一种硅片生长覆膜层的检测装置，其特征在于：两个所述固定杆(8)和两个所述连接块(9)均位于连接器(5)的内部，所述滑槽一(2)和滑杆(3)均有两个，两个所述滑槽一(2)和两个所述滑杆(3)均位于量测机台(1)的内部。

7.根据权利要求2所述的一种硅片生长覆膜层的检测装置，其特征在于：所述固定板(19)、伸缩杆(20)和弹簧(21)均有四个，四个所述固定板(19)、四个所述伸缩杆(20)和四个所述弹簧(21)均位于量测机台(1)的上方。

8.根据权利要求2所述的一种硅片生长覆膜层的检测装置，其特征在于：所述挡板(22)的内部直径值等于芯片观测台(18)的直径值，所述挡板(22)可在芯片观测台(18)的表面上下滑动。

技术总结本技术涉及半导体芯片制造工艺的检测技术领域，且公开了一种硅片生长覆膜层的检测装置，包括量测机台，所述量测机台的表面开设有滑槽一，所述滑槽一的内部滑动连接有滑杆，所述滑杆的上方固定安装有连接板，所述连接板的表面开设有滑槽二，所述控制器靠近连接板的一侧固定安装有连接器，所述连接器远离连接板的一侧固定安装有固定杆。本技术通过在量测机台的上方滑动连接有连接板，连接板的右侧滑动连接有控制器用于调整连接器的高度，可将芯片放置道芯片观测台的上方，在通过调整连接器的高度和连接臂二的角度，找到合适的位置，再通过两个观测镜进行观察，达到可以及时检测出芯片上是否存在缺陷与微粒的效果。技术研发人员：田麟,张旭亮受保护的技术使用者：上海威缶电子科技有限公司技术研发日：20231205技术公布日：2024/7/23