半导体存储装置及存储器系统的制作方法

本发明的实施方式涉及一种半导体存储装置及存储器系统。

背景技术：

1、已知有应用nand(not-and：与非)型闪存作为半导体存储装置的存储器系统。

2、[背景技术文献]

3、[专利文献]

4、[专利文献1]日本专利第5442734号公报

5、[专利文献2]日本专利特开2016-29556号公报

6、[专利文献3]美国专利第7906989号说明书

技术实现思路

1、[发明所要解决的问题]

2、本发明提供一种能切换存储器控制器与半导体存储装置之间的通信方式的半导体存储装置及存储器系统。

3、[解决问题的技术方法]

4、实施方式的半导体存储装置包含非易失性的存储单元、检测第1电压并基于第1电压选择第1模式及第2模式的1个的检测电路、及输出与第1模式及第2模式的1个对应的第1信号的发送部。检测电路在第1电压为判定值以上的情况下，选择第1模式，在第1电压未达判定值的情况下，选择第2模式。发送部在第1模式的情况下，输出第1振幅的第1信号，在第2模式的情况下，输出比第1振幅小的第2振幅的第1信号。

技术特征：

1.一种半导体存储装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备：

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，还具备：

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中

5.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

10.一种存储器系统，具备：

技术总结根据实施方式，半导体存储装置包含非易失性的存储单元、检测第1电压并基于第1电压选择第1模式及第2模式的1个的检测电路、及输出与第1模式及第2模式的1个对应的第1信号的发送部。检测电路在第1电压为判定值以上的情况下，选择第1模式，在第1电压未达判定值的情况下，选择第2模式。发送部在第1模式的情况下，输出第1振幅的第1信号，在第2模式的情况下，输出比第1振幅小的第2振幅的第1信号。技术研发人员：平嶋康伯,小柳胜受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29