半导体装置及半导体装置的操作方法与流程

本公开的实施方式涉及电子装置，并且更具体地，涉及半导体装置及半导体装置的操作方法。

背景技术：

1、半导体装置的集成度主要由单位存储器单元所占据的面积确定。随着用于在基板上形成单层的存储器单元的半导体装置的集成度的提高达到极限，已经提出了用于在基板上层叠存储器单元的三维半导体装置。此外，为了提高这种半导体装置的操作可靠性，已经开发了各种结构和制造方法。

技术实现思路

1、在本公开的实施方式中，一种半导体装置可以包括：位线；存储器串，其连接到位线并且具有不同的尺寸；页缓冲器，其至少包括感测节点和感测晶体管，感测晶体管被配置为响应于感测信号而联接位线和感测节点，其中，在页缓冲器的评估时段期间，形成为从位线到感测节点的电流路径的电阻是基于从存储器串当中选择的存储器串的尺寸而调整的。

2、在本公开的实施方式中，一种半导体装置可以包括：位线；存储器串，其连接到位线并且具有不同的尺寸；页缓冲器，其至少包括感测节点和感测晶体管，感测晶体管被配置为响应于感测信号而电连接位线和感测节点，其中，页缓冲器的其中位线和感测节点彼此连接的评估时段的长度是基于从存储器串当中选择的存储器串的尺寸而调整的。

3、在本公开的实施方式中，一种半导体装置的操作方法可以包括：向被选字线施加读取电压；向未选字线施加通过电压；以及在页缓冲器的评估时段期间使感测晶体管导通以使感测节点与从存储器串当中选择的连接到位线的存储器串电连接，其中，基于被选存储器串的尺寸调整感测晶体管的导通电压。

4、在本公开的实施方式中，一种半导体装置的操作方法可以包括：向被选字线施加读取电压；向未选字线施加通过电压；以及在页缓冲器的评估时段期间使感测晶体管导通以使感测节点与从存储器串当中选择的连接到位线的存储器串连接，其中，基于被选存储器串的尺寸调整感测晶体管的截止时间点。

5、在本公开的实施方式中，一种半导体装置可以包括：位线；存储器串，其连接到位线并且具有不同的尺寸；页缓冲器，其至少包括感测节点和感测晶体管，感测晶体管被配置为响应于感测信号而联接位线和感测节点，其中，在页缓冲器的其中从位线到感测节点形成电流路径的评估时段期间，通过基于从存储器串当中选择的存储器串的尺寸使用不同的方法，对感测节点进行充电。

技术特征：

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，根据被选存储器串的尺寸来调整所述感测晶体管的导通电压。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述存储器串包括具有第一尺寸的第一存储器串和具有大于所述第一尺寸的第二尺寸的第二存储器串。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，在所述页缓冲器的所述评估时段期间，通过向所述感测晶体管施加具有第一电平的导通电压，所述第一存储器串和所述感测节点彼此电连接。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，在所述页缓冲器的所述评估时段期间，通过向所述感测晶体管施加具有低于所述第一电平的第二电平的导通电压，所述第二存储器串和所述感测节点彼此电连接。

6.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述存储器串包括具有第一尺寸的第一存储器串和具有比所述第一尺寸大的第二尺寸的第二存储器串。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，在所述页缓冲器的所述评估时段期间所述第一存储器串和所述感测节点彼此电连接，并且所述页缓冲器的所述评估时段具有第一长度。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，在所述页缓冲器的所述评估时段期间所述第二存储器串和所述感测节点彼此电连接，并且所述页缓冲器的所述评估时段具有比所述第一长度短的第二长度。

10.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，在所述页缓冲器的所述评估时段期间所述第一存储器串和所述感测节点彼此电连接，并且所述页缓冲器的所述评估时段通过使所述感测晶体管在第一时间点截止而结束。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，在所述页缓冲器的所述评估时段期间所述第二存储器串和所述感测节点彼此电连接，并且所述页缓冲器的所述评估时段通过使所述感测晶体管在比所述第一时间点早的第二时间点截止而结束。

12.一种半导体装置的操作方法，所述操作方法包括以下步骤：

13.根据权利要求12所述的操作方法，其中，在所述页缓冲器的所述评估时段期间，当所述被选存储器串具有第一尺寸时，向所述感测晶体管施加具有第一电平的导通电压。

14.根据权利要求13所述的操作方法，其中，在所述页缓冲器的所述评估时段期间，当被选存储器串具有比所述第一尺寸大的第二尺寸时，向所述感测晶体管施加具有低于所述第一电平的第二电平的导通电压。

15.一种半导体装置的操作方法，所述操作方法包括以下步骤：

16.根据权利要求15所述的操作方法，其中，当所述被选存储器串具有第一尺寸时，通过使所述感测晶体管在第一时间点截止而结束所述页缓冲器的所述评估时段。

17.根据权利要求16所述的操作方法，其中，当所述被选存储器串具有大于所述第一尺寸的第二尺寸时，通过使所述感测晶体管在比所述第一时间点早的第二时间点截止来结束所述页缓冲器的所述评估时段。

18.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

19.根据权利要求18所述的半导体装置，

20.根据权利要求18所述的半导体装置，

技术总结本申请涉及半导体装置及半导体装置的操作方法。一种半导体装置可以包括：位线；存储器串，其连接到位线并且具有不同的尺寸；感测节点；以及感测晶体管，其响应于感测信号而连接位线和感测节点。在位线和感测节点彼此连接的评估时段中，位线与感测节点之间的电流路径的电阻可以根据被选存储器串的尺寸而改变。技术研发人员：陈炳周受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29