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传感器层叠体的制作方法

  • 国知局
  • 2024-07-31 23:24:14

本发明涉及传感器层叠体。

背景技术:

1、以往,作为用于触摸传感器的电极等的透明导电性薄膜,大多使用在透明树脂薄膜上形成有铟锡复合氧化物层(ito层)等金属氧化物层的透明导电性薄膜。但是,形成有金属氧化物层的透明导电性薄膜由于弯曲性不足,因此不易用于柔性显示器等需要弯曲性的用途上。因此,近年来,作为弯曲性优异的透明导电性薄膜,提出了一种透明导电性薄膜,其具备包含金属纳米线的导电层。

2、另一方面,近年来以液晶显示装置及电致发光(el)显示装置(例如有机el显示装置、无机el显示装置)为代表的图像显示装置迅速普及。在图像显示装置中代表性地使用偏振片及相位差板。在实用上,广泛使用偏振片、相位差板以及粘合剂层一体化而成的带相位差层的偏振片(例如专利文献1)。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1:日本特许第3325560号公报

6、专利文献2:日本特表2009-505358号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的问题

2、本发明的发明人们发现,若使用具备上述这种包含金属纳米线的透明导电层的透明导电性薄膜作为电极、并将偏振片配置于该透明导电性薄膜上来构成传感器层叠体,则该金属纳米线的劣化会变显著,发生透明导电性薄膜的导电性降低。本发明是为了解决这种问题而做出的,其主要目的在于提供一种传感器层叠体,其具备偏振片和包含金属纳米线的透明导电性薄膜,且抑制了透明导电性薄膜的导电性降低。

3、用于解决问题的手段

4、本发明的传感器层叠体具备透明导电性薄膜以及配置于该透明导电性薄膜的至少单侧的偏振片,该透明导电性薄膜具备包含金属纳米线的透明导电层,该偏振片具备起偏器,该起偏器与该透明导电层的距离为25μm以上且小于70μm。

5、在一个实施方式中,上述起偏器与透明导电层的距离通过配置于该起偏器与该透明导电层之间的透明导电性薄膜侧结构体来确保,该透明导电性薄膜侧结构体为上述偏振片的该起偏器以外的结构体。

6、在一个实施方式中,上述透明导电性薄膜侧结构体从起偏器侧起依次具备第1相位差层、第2相位差层以及粘合剂层。

7、在一个实施方式中,上述透明导电性薄膜具备透明基材和配置于该透明基材的至少单侧的上述透明导电层,该透明基材由环烯烃系树脂构成。

8、发明效果

9、根据本发明的实施方式,可以提供一种传感器层叠体,其具备偏振片和包含金属纳米线的透明导电性薄膜,且抑制了透明导电性薄膜的导电性降低。

技术特征:

1.一种传感器层叠体,其具备透明导电性薄膜以及配置于该透明导电性薄膜的至少单侧的偏振片,

2.根据权利要求1所述的传感器层叠体,其中,所述起偏器与透明导电层的距离通过配置于该起偏器与该透明导电层之间的透明导电性薄膜侧结构体来确保,该透明导电性薄膜侧结构体为所述偏振片的该起偏器以外的结构体。

3.根据权利要求2所述的传感器层叠体,其中,所述透明导电性薄膜侧结构体从所述起偏器侧起依次具备第1相位差层、第2相位差层以及粘合剂层。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的传感器层叠体,其中,所述透明导电性薄膜具备透明基材和配置于该透明基材的至少单侧的所述透明导电层;

技术总结提供一种传感器层叠体,其具备偏振片和包含金属纳米线的透明导电性薄膜,且抑制了透明导电性薄膜的导电性降低。本发明的传感器层叠体具备透明导电性薄膜以及配置于该透明导电性薄膜的至少单侧的偏振片,该透明导电性薄膜具备包含金属纳米线的透明导电层,该偏振片具备起偏器,该起偏器与该透明导电层的距离为25μm以上且小于70μm。在一个实施方式中,上述起偏器与透明导电层的距离通过配置于该起偏器与该透明导电层之间的透明导电性薄膜侧结构体来确保,该透明导电性薄膜侧结构体为上述偏振片的该起偏器以外的结构体。技术研发人员:河野文彦受保护的技术使用者:日东电工株式会社技术研发日:技术公布日:2024/7/29

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